.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

STMicroelectronics Transistores

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Tipos de Transistores

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

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N.° de pieza

Transistores Darlington Eight NPN Array

ULQ2801A
STMicroelectronics
1: S/17.76
754En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ULQ2801A

N.º de artículo de Mouser
511-ULQ2801A

STMicroelectronics

Transistores Darlington Eight NPN Array

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Hoja de datos

754En existencias

S/17.76

S/12.38

S/10.62

S/10.28

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Darlington Transistors

Through Hole

PDIP-18

NPN

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 620V-2.2ohms 2.7A

STU3N62K3
STMicroelectronics
1: S/8.43
2,988En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STU3N62K3

N.º de artículo de Mouser
511-STU3N62K3

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 620V-2.2ohms 2.7A

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Hoja de datos

2,988En existencias

S/8.43

S/3.95

S/3.59

S/3.03

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-251-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 500V 13A

STW19NM50N
STMicroelectronics
1: S/30.79
428En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW19NM50N

N.º de artículo de Mouser
511-STW19NM50N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 500V 13A

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Hoja de datos

428En existencias

S/30.79

S/17.20

S/14.53

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.135 Ohm typ. 15A MDmeshM5

STL31N65M5
STMicroelectronics
1: S/21.11
2,921En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL31N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STL31N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.135 Ohm typ. 15A MDmeshM5

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Hoja de datos

2,921En existencias

Cinta cortada

S/21.11

S/14.02

S/10.54

S/9.89

S/8.77

Envase tipo carrete

S/8.77

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

PowerFLAT-8x8-5

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 620V-1.1ohms 5.5A

STF6N62K3
STMicroelectronics
1: S/10.97
1,671En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF6N62K3

N.º de artículo de Mouser
511-STF6N62K3

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 620V-1.1ohms 5.5A

Obtenga más información

Hoja de datos

1,671En existencias

S/10.97

S/4.20

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP ultra na

STFU28N65M2
STMicroelectronics
1: S/16.60
1,737En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STFU28N65M2

N.º de artículo de Mouser
511-STFU28N65M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.15 Ohm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP ultra na

Hoja de datos

1,737En existencias

S/16.60

S/7.65

S/7.10

S/6.41

S/6.36

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

Módulos IGBT ACEPACK 2 converter inverter brake, 1200 V, 25 A trench gate field-stop IGBT M s

A2C25S12M3
STMicroelectronics
1: S/235.64
33En existencias

N.º de artículo del Fabricante
A2C25S12M3

N.º de artículo de Mouser
511-A2C25S12M3

STMicroelectronics

Módulos IGBT ACEPACK 2 converter inverter brake, 1200 V, 25 A trench gate field-stop IGBT M s

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Hoja de datos

33En existencias

S/235.64

Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Modules

Through Hole

ACEPACK2

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 0.190 ohm 16A Mdmesh

STB22NM60N
STMicroelectronics
1: S/13.89
1,020En existencias
Verificar estado con la fábrica

N.º de artículo del Fabricante
STB22NM60N

N.º de artículo de Mouser
511-STB22NM60N

Verificar estado con la fábrica

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 0.190 ohm 16A Mdmesh

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Hoja de datos

1,020En existencias

Cinta cortada

S/13.89

Envase tipo carrete

S/13.89

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

MOSFETs

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 Volt 5 Amp

STB8NM60T4
STMicroelectronics
1: S/18.10
919En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB8NM60T4

N.º de artículo de Mouser
511-STB8NM60

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 Volt 5 Amp

Hoja de datos

919En existencias

Cinta cortada

S/18.10

S/7.14

Envase tipo carrete

S/7.14

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

MOSFETs

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 5 Amp

STD5NM60-1
STMicroelectronics
1: S/14.66
1,997En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD5NM60-1

N.º de artículo de Mouser
511-STD5NM60-1

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 5 Amp

Hoja de datos

1,997En existencias

S/14.66

S/6.97

S/6.41

S/5.50

S/5.38

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-251-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 2.8Ohm typ 2.5A Zener-protecte

STU3N80K5
STMicroelectronics
1: S/8.04
2,731En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STU3N80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STU3N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 2.8Ohm typ 2.5A Zener-protecte

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Hoja de datos

2,731En existencias

S/8.04

S/3.60

S/3.28

S/2.74

S/2.35

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-251-3

N-Channel

Transistores Darlington Seven darlington 3V SUPPLY

ULQ2001A
STMicroelectronics
1: S/6.06
2,608En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ULQ2001A

N.º de artículo de Mouser
511-ULQ2001A

STMicroelectronics

Transistores Darlington Seven darlington 3V SUPPLY

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Hoja de datos

2,608En existencias

S/6.06

S/2.37

S/1.71

S/1.61

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Darlington Transistors

Through Hole

PDIP-16

NPN

Módulos MOSFET ACEPACK 2 power module, 3-level topology, 1200 V, 13 mOhm typ. SiC Power MOSFET

A2U12M12W2-F2
STMicroelectronics
1: S/921.45
41En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
A2U12M12W2-F2

N.º de artículo de Mouser
511-A2U12M12W2-F2

NRND

STMicroelectronics

Módulos MOSFET ACEPACK 2 power module, 3-level topology, 1200 V, 13 mOhm typ. SiC Power MOSFET

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Hoja de datos

41En existencias

S/921.45

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFET Modules

SiC

Press Fit

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.160 Ohm 19A HV Mdmesh II

STL26NM60N
STMicroelectronics
1: S/21.59
2,119En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL26NM60N

N.º de artículo de Mouser
511-STL26NM60N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.160 Ohm 19A HV Mdmesh II

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Hoja de datos

2,119En existencias

Cinta cortada

S/21.59

S/17.29

S/12.51

S/12.38

S/11.09

Envase tipo carrete

S/11.01

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

PowerFLAT-8x8-HV-5

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 4 AMP

STN3NF06L
STMicroelectronics
1: S/6.84
46,759En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STN3NF06L

N.º de artículo de Mouser
511-STN3NF06L

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60 Volt 4 AMP

Obtenga más información

Hoja de datos

46,759En existencias

Cinta cortada

S/6.84

S/4.34

S/2.90

S/2.28

Ver

Envase tipo carrete

S/1.89

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 4,000

MOSFETs

SMD/SMT

SOT-223-4

N-Channel

MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 35 A in a TO-LL package

SCT040TO65G3
STMicroelectronics
1: S/41.11
37En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
SCT040TO65G3

N.º de artículo de Mouser
511-SCT040TO65G3

Nuevo producto

STMicroelectronics

MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 35 A in a TO-LL package

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Hoja de datos

37En existencias

Más información disponible

Cinta cortada

S/41.11

S/31.05

S/23.05

S/21.50

Envase tipo carrete

S/21.50

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,800

SiC MOSFETS

SiC

SMD/SMT

TOLL-8

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 1.0 Ohm typ., 5 A MDmesh K6 Power MOSFET

STF80N1K1K6
STMicroelectronics
1: S/10.36
1,003En existencias
1,000En pedido
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
STF80N1K1K6

N.º de artículo de Mouser
511-STF80N1K1K6

Nuevo producto

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 1.0 Ohm typ., 5 A MDmesh K6 Power MOSFET

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Hoja de datos

1,003En existencias

1,000En pedido

S/10.36

S/5.07

S/4.52

S/3.63

S/3.33

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 515 mOhm typ., 7 A MDmesh K6 Power MOSFET

STF80N600K6
STMicroelectronics
1: S/13.80
1,047En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
STF80N600K6

N.º de artículo de Mouser
511-STF80N600K6

Nuevo producto

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 515 mOhm typ., 7 A MDmesh K6 Power MOSFET

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Hoja de datos

1,047En existencias

S/13.80

S/6.92

S/6.79

S/5.68

S/4.99

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220FP-3

N-Channel

IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 30 A low-loss M series IGBT

STGHU30M65DF2AG
STMicroelectronics
1: S/19.05
540En existencias
600En pedido
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
STGHU30M65DF2AG

N.º de artículo de Mouser
511-STGHU30M65DF2AG

Nuevo producto

STMicroelectronics

IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 30 A low-loss M series IGBT

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Hoja de datos

540En existencias

600En pedido

Cinta cortada

S/19.05

S/12.64

S/8.94

Envase tipo carrete

S/7.70

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 600

IGBTs

SMD/SMT

HU3PAK-7

IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 30 A low-loss M series IGBT

STGWA30M65DF2AG
STMicroelectronics
1: S/18.02
766En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
STGWA30M65DF2AG

N.º de artículo de Mouser
511-STGWA30M65DF2AG

Nuevo producto

STMicroelectronics

IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 30 A low-loss M series IGBT

Obtenga más información

Hoja de datos

766En existencias

S/18.02

S/12.13

S/8.99

S/8.00

S/7.10

Min.: 1
Mult.: 1

IGBTs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-channel 40 V, 0.48 mOhm max., 672 A STripFET F8 Power MOSFET

STK615N4F8AG
STMicroelectronics
1: S/20.77
496En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
STK615N4F8AG

N.º de artículo de Mouser
511-STK615N4F8AG

Nuevo producto

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive N-channel 40 V, 0.48 mOhm max., 672 A STripFET F8 Power MOSFET

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Hoja de datos

496En existencias

Más información disponible

Cinta cortada

S/20.77

S/13.80

S/9.80

S/9.25

S/8.73

Envase tipo carrete

S/8.60

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

MOSFETs

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel logic level 60 V, 2.5 mOhm max., 160 A, STripFET F7 Power MOSFET

STL160N6LF7
STMicroelectronics
1: S/9.03
910En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
STL160N6LF7

N.º de artículo de Mouser
511-STL160N6LF7

Nuevo producto

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel logic level 60 V, 2.5 mOhm max., 160 A, STripFET F7 Power MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

910En existencias

Cinta cortada

S/9.03

S/5.76

S/3.90

S/3.10

S/2.89

Envase tipo carrete

S/2.75

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 3,000

MOSFETs

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 40 V StripFET II Pwr Mos

STP150NF04
STMicroelectronics
1: S/10.71
870En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP150NF04

N.º de artículo de Mouser
511-STP150NF04

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 40 V StripFET II Pwr Mos

Hoja de datos

870En existencias

S/10.71

S/7.27

S/6.24

S/5.25

S/5.12

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Rad-Hard 50 V, 0.8 A NPN transistor - Engineering model

2N2222AUB1
STMicroelectronics
1: S/398.09
144En existencias

N.º de artículo del Fabricante
2N2222AUB1

N.º de artículo de Mouser
511-2N2222AUB1

STMicroelectronics

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Rad-Hard 50 V, 0.8 A NPN transistor - Engineering model

Hoja de datos

144En existencias

S/398.09

S/373.89

S/324.09

Min.: 1
Mult.: 1

BJTs - Bipolar Transistors

SMD/SMT

UB-4

NPN

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Rad-Hard 60 V, 0.6 A PNP transistor - Engineering model

2N2907AUB1
STMicroelectronics
1: S/480.05
21En existencias

N.º de artículo del Fabricante
2N2907AUB1

N.º de artículo de Mouser
511-2N2907AUB1

STMicroelectronics

Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) Rad-Hard 60 V, 0.6 A PNP transistor - Engineering model

Hoja de datos

21En existencias

S/480.05

S/405.36

Min.: 1
Mult.: 1

BJTs - Bipolar Transistors

SMD/SMT

UB-4

PNP

STMicroelectronics Transistores

Tipos de Transistores

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

56.7 mm x 48 mm
A2-3
ACEPACK
ACEPACK DMT-32
ACEPACK SMIT-9
ACEPACK-1
ACEPACK-1-35
ACEPACK-2-35
ACEPACK-5
ACEPACK-9
ACEPACK1
ACEPACK2
B2-3
B4E-5
D2PAK
D2PAK-3
D2PAK-3 (TO-263-3)
DPAK
DPAK-3
DPAK-3 (TO-252-3)