Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) HV6E 60W TO270-2N FET
MRFE6S9060NR1
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N.º de artículo de Mouser 841-MRFE6S9060NR1
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) HV6E 60W TO270-2N FET
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S/399.38
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Si
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TO-270
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power
AFM907NT1
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power
15,675 En existencias
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S/20.43
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SMD/SMT
DFN-16
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 720-960 MHz 100 W AVG. 48 V
NXP Semiconductors AFV09P350-04NR3
AFV09P350-04NR3
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 720-960 MHz 100 W AVG. 48 V
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OM-780-4
N-Channel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband Airfast RF Power LDMOS Transistor 136-941 MHz, 6.0 W, 7.5 V
AFM906NT1
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband Airfast RF Power LDMOS Transistor 136-941 MHz, 6.0 W, 7.5 V
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HVSON-16
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 600W 50V NI1230H
MRFE6VP5600HR6
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 600W 50V NI1230H
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NI-1230
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 800MHZ 13.6V
AFT09MS031NR1
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 800MHZ 13.6V
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TO-270-2
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V
MRF1K50NR5
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistors, 1.8-500 MHz, 1500 W CW, 50 V
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OM-1230-4
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
MRF101BN
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 100 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
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TO-220-3
N-Channel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 75W 12.5V TO270WB4G
AFT05MP075GNR1
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N.º de artículo de Mouser 841-AFT05MP075GNR1
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 75W 12.5V TO270WB4G
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TO-270-WBG-4
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
MRF300AN
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N.º de artículo de Mouser 771-MRF300AN
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF Power LDMOS Transistor, 300 W CW over 1.8-250 MHz, 50 V
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TO-247-3
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 UHF 13.6V
AFT05MS031GNR1
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 UHF 13.6V
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RF MOSFET Transistors
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SMD/SMT
TO-270-2
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 300W50VISM NI780H-4
MRFE6VP6300HR5
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N.º de artículo de Mouser 841-MRFE6VP6300HR5
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 300W50VISM NI780H-4
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RF MOSFET Transistors
Si
Screw Mount
NI-780-4
N-Channel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) HV6 1950MHZ 2W PLD1.5N
MW6S004NT1
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N.º de artículo de Mouser 841-MW6S004NT1
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) HV6 1950MHZ 2W PLD1.5N
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Si
SMD/SMT
PLD-1.5-4
N-Channel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 65V LDMOS Transistor
MRFX1K80HR5
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 65V LDMOS Transistor
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S/1,719.14
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S/1,488.19
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RF MOSFET Transistors
Si
Screw Mount
NI-1230H-4
N-Channel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 65V LDMOS 1800W CW 1.8-400MHz
MRFX1K80NR5
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N.º de artículo de Mouser 771-MRFX1K80NR5
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Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 65V LDMOS 1800W CW 1.8-400MHz
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RF MOSFET Transistors
Si
SMD/SMT
OM-1230-4
N-Channel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 75W 12.5V TO270WB4
AFT05MP075NR1
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S/221.58
154 En existencias
N.º de artículo de Mouser 841-AFT05MP075NR1
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 75W 12.5V TO270WB4
154 En existencias
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S/221.58
10
S/174.54
100
S/161.59
500
S/154.71
1,000
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RF MOSFET Transistors
Si
SMD/SMT
TO-270-WB-4
N-Channel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 4 W, 7.5 V
AFT05MS004NT1
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S/16.86
6,272 En existencias
N.º de artículo de Mouser 841-AFT05MS004NT1
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Wideband RF Power LDMOS Transistor, 136-941 MHz, 4 W, 7.5 V
6,272 En existencias
1
S/16.86
10
S/11.65
100
S/9.98
500
S/9.63
1,000
S/9.29
2,000
S/8.99
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RF MOSFET Transistors
Si
SMD/SMT
SOT-89-3
N-Channel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 UHF 13.6V
AFT05MS031NR1
NXP Semiconductors
1:
S/100.28
517 En existencias
N.º de artículo de Mouser 841-AFT05MS031NR1
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) MV9 UHF 13.6V
517 En existencias
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Detalles
RF MOSFET Transistors
Si
SMD/SMT
TO-270-2
N-Channel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) LANDMOBILE 7W PLD1.5W
AFT09MS007NT1
NXP Semiconductors
1:
S/50.87
943 En existencias
N.º de artículo de Mouser 841-AFT09MS007NT1
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) LANDMOBILE 7W PLD1.5W
943 En existencias
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1
S/50.87
10
S/36.08
100
S/31.09
500
S/29.76
1,000
S/28.51
2,000
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2,000
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Detalles
RF MOSFET Transistors
Si
SMD/SMT
PLD-1.5
N-Channel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) LATERAL N--CHANNEL RF POWER LDMOS TRANSISTOR, 1-2000 MHz, 4 W, 28 V
MMRF1014NT1
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1:
S/88.11
484 En existencias
N.º de artículo de Mouser 841-MMRF1014NT1
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) LATERAL N--CHANNEL RF POWER LDMOS TRANSISTOR, 1-2000 MHz, 4 W, 28 V
484 En existencias
1
S/88.11
10
S/67.12
100
S/60.03
500
S/59.43
1,000
S/57.88
2,000
Ver
2,000
Presupuesto
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Detalles
RF MOSFET Transistors
Si
SMD/SMT
PLD-1.5
N-Channel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1500 W CW, 1.8-500 MHz, 50 V
MRF1K50HR5
NXP Semiconductors
1:
S/1,675.97
21 En existencias
N.º de artículo de Mouser 841-MRF1K50HR5
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1500 W CW, 1.8-500 MHz, 50 V
21 En existencias
1
S/1,675.97
10
S/1,450.43
50
S/1,450.43
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Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
RF MOSFET Transistors
Si
SMD/SMT
NI-1230H-4S
N-Channel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 600W 50V NI1230H
MRFE6VP5600HR5
NXP Semiconductors
1:
S/2,494.04
50 En existencias
N.º de artículo de Mouser 841-MRFE6VP5600HR5
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 600W 50V NI1230H
50 En existencias
Embalaje alternativo
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Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
RF MOSFET Transistors
Si
SMD/SMT
NI-1230
N-Channel
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 1.25KW ISM NI1230H
MRFE6VP61K25HR5
NXP Semiconductors
1:
S/1,808.97
104 En existencias
350 En pedido
N.º de artículo de Mouser 841-MRFE6VP61K25HR5
NXP Semiconductors
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6 1.25KW ISM NI1230H
104 En existencias
350 En pedido
Embalaje alternativo
1
S/1,808.97
10
S/1,519.45
50
S/1,519.45
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Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
RF MOSFET Transistors
Si
Screw Mount
NI-1230H-4
N-Channel
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) NPN wideband silicon RF transistor
BFU520YX
NXP Semiconductors
1:
S/4.09
22,446 En existencias
Fin de vida útil
N.º de artículo de Mouser 771-BFU520YX
Fin de vida útil
NXP Semiconductors
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) NPN wideband silicon RF transistor
22,446 En existencias
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1
S/4.09
10
S/2.65
100
S/2.17
3,000
S/2.17
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Detalles
RF Bipolar Transistors
Si
SMD/SMT
SOT-363-6
NPN
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) NPN wideband silicon RF transistor
BFU530WF
NXP Semiconductors
1:
S/3.87
7,220 En existencias
9,960 En pedido
Fin de vida útil
N.º de artículo de Mouser 771-BFU530WF
Fin de vida útil
NXP Semiconductors
Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) NPN wideband silicon RF transistor
7,220 En existencias
9,960 En pedido
1
S/3.87
10
S/2.67
100
S/1.69
500
S/1.04
1,000
Ver
10,000
S/0.421
1,000
S/0.774
2,500
S/0.714
5,000
S/0.593
10,000
S/0.421
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Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
RF Bipolar Transistors
Si
SMD/SMT
SOT-323-3
NPN
Perú
