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IXYS Transistores

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Tipos de Transistores

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N.° de pieza

IGBTs 32 Amps 1700 V 5 V Rds

IXGH16N170A
IXYS
1: S/68.33
1,075En existencias
1,380En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IXGH16N170A

N.º de artículo de Mouser
747-IXGH16N170A

IXYS

IGBTs 32 Amps 1700 V 5 V Rds

Hoja de datos

1,075En existencias

1,380En pedido

S/68.33

S/42.10

S/42.05

S/41.32

Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors

Through Hole

TO-247AD-3

IGBTs G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 1200V 20A

IXGP20N120A3
IXYS
1: S/31.48
492En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXGP20N120A3

N.º de artículo de Mouser
747-IXGP20N120A3

IXYS

IGBTs G-SERIES A3/B3/C3 GENX3 IGBT 1200V 20A

Hoja de datos

492En existencias

S/31.48

S/17.93

S/16.43

S/16.25

Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors

Through Hole

TO-220AB-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -36.0 Amps -150V 0.110 Rds

IXTA36P15P TRL
IXYS
1: S/28.72
793En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTA36P15P TRL

N.º de artículo de Mouser
747-IXTA36P15PTRL

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -36.0 Amps -150V 0.110 Rds

Hoja de datos

793En existencias

Cinta cortada

S/28.72

S/23.22

S/18.15

S/16.94

Envase tipo carrete

S/16.94

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

MOSFETs

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

P-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 150V 44A P-CH TRENCH

IXTA44P15T-TRL
IXYS
1: S/31.39
1,294En existencias
800Se espera el 5/05/2026

N.º de artículo del Fabricante
IXTA44P15T-TRL

N.º de artículo de Mouser
747-IXTA44P15T-TRL

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 150V 44A P-CH TRENCH

Hoja de datos

1,294En existencias

800Se espera el 5/05/2026

Cinta cortada

S/31.39

S/22.36

S/17.16

S/16.21

Envase tipo carrete

S/16.21

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 800

MOSFETs

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

P-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 3KV 2A N-CH POLAR

IXTH2N300P3HV
IXYS
1: S/188.60
296En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTH2N300P3HV

N.º de artículo de Mouser
747-IXTH2N300P3HV

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 3KV 2A N-CH POLAR

Hoja de datos

296En existencias

S/188.60

S/151.27

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40 Amps 500V

IXTH40N50L2
IXYS
1: S/138.25
510En existencias
740En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IXTH40N50L2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTH40N50L2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40 Amps 500V

Obtenga más información

Hoja de datos

510En existencias

740En pedido

S/138.25

S/102.73

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

Módulos MOSFET 8 Amps 1500V

IXTN8N150L
IXYS
1: S/232.33
253En existencias
290En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IXTN8N150L

N.º de artículo de Mouser
747-IXTN8N150L

IXYS

Módulos MOSFET 8 Amps 1500V

Obtenga más información

Hoja de datos

253En existencias

290En pedido

S/232.33

S/195.56

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFET Modules

Screw Mount

SOT-227-4

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1700V 2A

IXTT2N170D2
IXYS
1: S/123.24
119En existencias
300En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IXTT2N170D2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTT2N170D2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1700V 2A

Obtenga más información

Hoja de datos

119En existencias

300En pedido

S/123.24

S/96.58

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

SMD/SMT

D3PAK-3 (TO-268-3)

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LINEAR L2 SERIES MOSFET 200V 110A

IXTX110N20L2
IXYS
1: S/154.76
282En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTX110N20L2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTX110N20L2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LINEAR L2 SERIES MOSFET 200V 110A

Obtenga más información

Hoja de datos

282En existencias

S/154.76

S/116.62

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

IGBTs XPT 600V IGBT GenX3 XPT IGBT

IXXH30N60B3D1
IXYS
1: S/31.26
538En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXXH30N60B3D1

N.º de artículo de Mouser
747-IXXH30N60B3D1

IXYS

IGBTs XPT 600V IGBT GenX3 XPT IGBT

Hoja de datos

538En existencias

S/31.26

S/18.02

S/15.05

S/14.79

Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors

Through Hole

TO-247AD-3

IGBTs 650V/370A TRENCH IGBT GENX4 XPT

IXXK200N65B4
IXYS
1: S/174.54
455En existencias
450En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IXXK200N65B4

N.º de artículo de Mouser
747-IXXK200N65B4

IXYS

IGBTs 650V/370A TRENCH IGBT GENX4 XPT

Obtenga más información

Hoja de datos

455En existencias

450En pedido

S/174.54

S/142.80

S/117.78

Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors

Through Hole

TO-264-3

IGBTs BIMOSET 42A 1700V

IXBH42N170A
IXYS
1: S/167.01
297En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXBH42N170A

N.º de artículo de Mouser
747-IXBH42N170A

IXYS

IGBTs BIMOSET 42A 1700V

Obtenga más información

Hoja de datos

297En existencias

S/167.01

S/124.40

S/119.15

Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 250V 30A N-CH HIPER

IXFA30N25X3
IXYS
1: S/34.53
547En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFA30N25X3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFA30N25X3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO263 250V 30A N-CH HIPER

Obtenga más información

Hoja de datos

547En existencias

S/34.53

S/19.35

S/17.85

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

SMD/SMT

TO-263-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 170 Amps 100V 0.009 Rds

IXFH170N10P
IXYS
1: S/59.34
368En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH170N10P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH170N10P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 170 Amps 100V 0.009 Rds

Obtenga más información

Hoja de datos

368En existencias

S/59.34

S/36.64

S/35.05

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trench HiperFET Power MOSFET

IXFH86N30T
IXYS
1: S/53.02
299En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH86N30T

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH86N30T

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Trench HiperFET Power MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

299En existencias

S/53.02

S/31.95

S/30.19

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 88 Amps 300V 0.04 Rds

IXFH88N30P
IXYS
1: S/70.95
234En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH88N30P

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH88N30P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 88 Amps 300V 0.04 Rds

Obtenga más información

Hoja de datos

234En existencias

S/70.95

S/50.61

S/43.09

S/42.05

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 250V 30A N-CH X3CLASS

IXFY30N25X3
IXYS
1: S/32.38
661En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFY30N25X3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFY30N25X3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO252 250V 30A N-CH X3CLASS

Obtenga más información

Hoja de datos

661En existencias

S/32.38

S/17.59

S/16.47

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

SMD/SMT

TO-252-3

N-Channel

IGBTs 600V, 28A at 110degreeC , TO-247AD-3

IXGH28N60B3D1
IXYS
1: S/30.49
437En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXGH28N60B3D1

N.º de artículo de Mouser
747-IXGH28N60B3D1

IXYS

IGBTs 600V, 28A at 110degreeC , TO-247AD-3

Hoja de datos

437En existencias

S/30.49

S/18.66

S/15.74

Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors

Through Hole

TO-247AD-3

IGBTs 60 Amps 1200V

IXGH30N120B3D1
IXYS
1: S/64.07
251En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXGH30N120B3D1

N.º de artículo de Mouser
747-IXGH30N120B3D1

IXYS

IGBTs 60 Amps 1200V

Hoja de datos

251En existencias

S/64.07

S/40.25

S/36.72

Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors

Through Hole

TO-247AD-3

IGBTs 12 Amps 1700 V 4 V Rds

IXGH6N170
IXYS
1: S/55.77
233En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXGH6N170

N.º de artículo de Mouser
747-IXGH6N170

IXYS

IGBTs 12 Amps 1700 V 4 V Rds

Hoja de datos

233En existencias

S/55.77

S/39.60

S/33.37

S/32.08

Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors

Through Hole

TO-247AD-3

IGBTs GenX3 1200V IGBTs

IXGT32N120A3
IXYS
1: S/50.40
298En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXGT32N120A3

N.º de artículo de Mouser
747-IXGT32N120A3

IXYS

IGBTs GenX3 1200V IGBTs

Obtenga más información

Hoja de datos

298En existencias

S/50.40

S/43.26

Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors

SMD/SMT

D3PAK-3 (TO-268-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -96 Amps -85V 0.013 Rds

IXTA96P085T
IXYS
1: S/25.84
3,737En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTA96P085T

N.º de artículo de Mouser
747-IXTA96P085T

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -96 Amps -85V 0.013 Rds

Hoja de datos

3,737En existencias

S/25.84

S/17.93

S/16.43

S/16.00

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

P-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 6 Amps 1200V 2.700 Rds

IXTH6N120
IXYS
1: S/57.62
193En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTH6N120

N.º de artículo de Mouser
747-IXTH6N120

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 6 Amps 1200V 2.700 Rds

Hoja de datos

193En existencias

S/57.62

S/38.23

S/37.41

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 650V 80A N-CH X2CLASS

IXTH80N65X2
IXYS
1: S/66.01
239En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXTH80N65X2

N.º de artículo de Mouser
747-IXTH80N65X2

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO247 650V 80A N-CH X2CLASS

Obtenga más información

Hoja de datos

239En existencias

S/66.01

S/40.55

S/40.12

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -10.0 Amps -500V 1.000 Rds

IXTQ10P50P
IXYS
1: S/37.02
488En existencias
530En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IXTQ10P50P

N.º de artículo de Mouser
747-IXTQ10P50P

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -10.0 Amps -500V 1.000 Rds

Hoja de datos

488En existencias

530En pedido

S/37.02

S/21.63

S/18.88

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-3P-3

P-Channel

IXYS Transistores

Tipos de Transistores

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

D2PAK-2 (TO-263-2)
D2PAK-3 (TO-263-3)
D2PAK-7 (TO-263-7)
D3PAK-3 (TO-268-3)
DPAK-3 (TO-252-3)
E1
E1-Pack
E2
E2-Pack
E3
E3-Pack
ISO247-3
ISO247-4
ISOPLUS227-4
ISOPLUS247-3
ISOPLUS264-3
ISOPLUS-DIL-17
ISOPLUS i4-3
ISOPLUS i4-PAC-3
ISOPLUS i4-PAC-5