IXTT2N170D2

IXYS
747-IXTT2N170D2
IXTT2N170D2

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1700V 2A

Modelo ECAD:
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Precio ext.
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S/ 96.58 S/ 965.80

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
IXYS
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
D3PAK-3 (TO-268-3)
N-Channel
1 Channel
1.7 kV
2 A
6.5 Ohms
- 20 V, 20 V
4.5 V
110 nC
- 55 C
+ 150 C
568 W
Depletion
Tube
Marca: IXYS
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: PH
Tiempo de caída: 106 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.: 1.4 S
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de subida: 58 ns
Serie: IXTT2N170
Cantidad de empaque de fábrica: 30
Subcategoría: Transistors
Tiempo de retardo de apagado típico: 33 ns
Tiempo típico de demora de encendido: 28 ns
Peso de la unidad: 6.500 g
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Atributos seleccionados: 0

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CNHTS:
8541290000
TARIC:
8541900000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541900299
ECCN:
EAR99

D2 Series N-Channel Depletion Mode Power MOSFETs

IXYS D2 Series 100V to 1700V N-Channel Depletion Mode Power MOSFETs are depletion mode devices that operate in a normally "on" mode, requiring zero turn-on voltage at the gate terminal. IXYS D2 series provides blocking voltages up to 1700V and low drain-to-source resistances to provide simplified control and reduced power dissipation in systems that are continuously “on," like emergency or burglar alarms.

High Voltage IEEE 1500V+ Discrete Semiconductors Transistors