IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 120 A low loss
STGYA120M65DF2
STMicroelectronics
1:
S/43.17
377 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STGYA120M65DF2
STMicroelectronics
IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 120 A low loss
377 En existencias
1
S/43.17
10
S/23.69
100
S/22.75
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IGBT Transistors
Si
Through Hole
Max247-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 3.2 mOhm typ., 180 A, STripFET F7 Power MOSFET in an H2PAK-2 p
STH200N10WF7-2
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1:
S/21.59
649 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STH200N10WF7-2
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 100 V, 3.2 mOhm typ., 180 A, STripFET F7 Power MOSFET in an H2PAK-2 p
649 En existencias
1
S/21.59
10
S/15.48
100
S/11.70
500
S/11.52
1,000
S/10.79
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.290 Ohm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 H
STL18N65M2
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1:
S/14.02
3,751 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STL18N65M2
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.290 Ohm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 H
3,751 En existencias
1
S/14.02
10
S/9.12
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S/6.41
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S/5.46
1,000
S/4.86
3,000
S/4.86
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-5x6-8
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.186Ohm typ. 18A MDmesh M2
STL24N60M2
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1:
S/16.38
N.º de artículo de Mouser 511-STL24N60M2
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.186Ohm typ. 18A MDmesh M2
1
S/16.38
10
S/10.75
100
S/7.53
500
S/6.71
1,000
S/6.32
3,000
S/6.24
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
PowerFLAT-8x8-5
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 10 Amp Zener SuperMESH
STP10NK60Z
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1:
S/16.17
3,110 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STP10NK60Z
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 10 Amp Zener SuperMESH
3,110 En existencias
1
S/16.17
10
S/9.07
100
S/8.43
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S/7.44
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 9 Amp Zener SuperMESH
STP10NK80Z
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1:
S/21.50
2,157 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STP10NK80Z
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 9 Amp Zener SuperMESH
2,157 En existencias
1
S/21.50
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S/9.85
100
S/9.72
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 0.0036Ohm typ. 110A
STP150N10F7
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1:
S/12.13
3,089 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STP150N10F7
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 0.0036Ohm typ. 110A
3,089 En existencias
1
S/12.13
10
S/7.10
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S/6.75
500
S/5.89
1,000
S/5.50
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 20 Amp
STP20NM60FP
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1:
S/24.73
1,293 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STP20NM60FP
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 20 Amp
1,293 En existencias
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 6.2Amp Zener SuperMESH
STP8NK80Z
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1:
S/18.62
1,571 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STP8NK80Z
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 6.2Amp Zener SuperMESH
1,571 En existencias
1
S/18.62
10
S/8.17
100
S/7.61
500
S/7.27
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 450 Volt 0.4 A
STS1DNC45
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1:
S/9.42
4,386 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STS1DNC45
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 450 Volt 0.4 A
4,386 En existencias
1
S/9.42
10
S/6.67
100
S/4.60
500
S/3.87
2,500
S/3.87
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
SOIC-8
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 100V-0.22ohms 6A
STU6NF10
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1:
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4,985 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STU6NF10
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 100V-0.22ohms 6A
4,985 En existencias
1
S/5.50
10
S/2.39
100
S/2.20
500
S/1.80
1,000
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1,000
S/1.54
3,000
S/1.39
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-251-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.135 21A MDmesh II
+1 imagen
STW28NM50N
STMicroelectronics
1:
S/32.81
687 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STW28NM50N
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 0.135 21A MDmesh II
687 En existencias
1
S/32.81
10
S/20.30
100
S/19.31
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.088 Ohm typ., 40 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package
STW40N90K5
STMicroelectronics
1:
S/60.11
421 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STW40N90K5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.088 Ohm typ., 40 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package
421 En existencias
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Detalles
MOSFETs
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 Volt 33 Amp
+1 imagen
STW42N65M5
STMicroelectronics
1:
S/43.60
529 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STW42N65M5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 Volt 33 Amp
529 En existencias
1
S/43.60
10
S/27.05
100
S/23.65
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.91 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package
STW6N90K5
STMicroelectronics
1:
S/14.71
1,618 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STW6N90K5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.91 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package
1,618 En existencias
1
S/14.71
10
S/8.21
100
S/5.59
600
S/5.20
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MOSFETs
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Hi-Volt Fast Sw
MJD47T4
STMicroelectronics
1:
S/6.28
11,413 En existencias
N.º de artículo del Fabricante
MJD47T4
N.º de artículo de Mouser 511-MJD47
STMicroelectronics
Transistores bipolares - Transistores de empalme bipolar (BJT) NPN Hi-Volt Fast Sw
11,413 En existencias
1
S/6.28
10
S/3.74
100
S/2.63
500
S/2.06
2,500
S/1.51
5,000
Ver
1,000
S/1.88
5,000
S/1.49
25,000
S/1.46
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Detalles
BJTs - Bipolar Transistors
Si
SMD/SMT
TO-252-3
NPN
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor
PD55015-E
STMicroelectronics
1:
S/98.00
167 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-PD55015-E
STMicroelectronics
Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) POWER RF Transistor
167 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/98.00
10
S/70.78
100
S/66.91
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RF MOSFET Transistors
Si
SMD/SMT
PowerSO-10RF-Formed-4
N-Channel
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V 40 mOhm typ. 30 A
SCT040H65G3AG
STMicroelectronics
1:
S/48.68
969 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-SCT040H65G3AG
STMicroelectronics
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V 40 mOhm typ. 30 A
969 En existencias
1
S/48.68
10
S/33.07
100
S/28.47
500
S/28.42
1,000
S/26.62
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Detalles
SiC MOSFETS
SiC
SMD/SMT
N-Channel
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an H
SCTW40N120G2VAG
STMicroelectronics
1:
S/73.96
570 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-SCTW40N120G2VAG
STMicroelectronics
MOSFETs de SiC Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mOhm typ., 33 A in an H
570 En existencias
1
S/73.96
10
S/45.88
100
S/45.80
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Detalles
SiC MOSFETS
SiC
Through Hole
HiP-247-3
N-Channel
MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 21 mOhm typ., 91 A in an HiP247 package
SCTW70N120G2V
STMicroelectronics
1:
S/139.97
714 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-SCTW70N120G2V
STMicroelectronics
MOSFETs de SiC Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 21 mOhm typ., 91 A in an HiP247 package
714 En existencias
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Detalles
SiC MOSFETS
SiC
Through Hole
HiP-247-3
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.135 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in D2PAK package
STB28N60M2
STMicroelectronics
1:
S/11.27
1,882 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STB28N60M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.135 Ohm typ., 22 A MDmesh M2 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in D2PAK package
1,882 En existencias
1
S/11.27
10
S/7.27
100
S/4.99
500
S/4.00
1,000
S/3.74
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 102 mOhm typ., 28 A MDmesh DM6 Power MOSFET in
STB30N65DM6AG
STMicroelectronics
1:
S/29.63
816 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STB30N65DM6AG
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 102 mOhm typ., 28 A MDmesh DM6 Power MOSFET in
816 En existencias
1
S/29.63
10
S/20.77
100
S/15.52
1,000
S/13.76
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 300 V, 37 mOhm typ., 53 A MDmesh M5 Power MOSFET in a
STB46N30M5
STMicroelectronics
1:
S/40.51
957 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STB46N30M5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 300 V, 37 mOhm typ., 53 A MDmesh M5 Power MOSFET in a
957 En existencias
1
S/40.51
10
S/27.78
100
S/22.40
500
S/22.36
1,000
S/20.90
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 70 mOhm typ., 36 A MDmesh DM6 Power MOSFET in
STB47N60DM6AG
STMicroelectronics
1:
S/32.16
998 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STB47N60DM6AG
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 600 V, 70 mOhm typ., 36 A MDmesh DM6 Power MOSFET in
998 En existencias
1
S/32.16
10
S/21.84
100
S/16.60
500
S/16.51
1,000
S/15.27
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
D2PAK-3 (TO-263-3)
N-Channel
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch 60V 0.15Ohm 10A STripFET VI DeepGat
STD10P6F6
STMicroelectronics
1:
S/5.93
12,234 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STD10P6F6
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-Ch 60V 0.15Ohm 10A STripFET VI DeepGat
12,234 En existencias
Embalaje alternativo
1
S/5.93
10
S/3.71
100
S/2.46
500
S/1.94
2,500
S/1.57
5,000
Ver
1,000
S/1.75
5,000
S/1.54
25,000
S/1.52
Comprar
Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
P-Channel
Perú
