Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 30 V, 3.0 A, 0.095 ohm at 10V, DFN2020B(WF)
XSM6K336NW,LXHF
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 30 V, 3.0 A, 0.095 ohm at 10V, DFN2020B(WF)
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 100 V, 3.5 A, 0.069 ohm at 10V, DFN2020B(WF)
XSM6K361NW,LXHF
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 100 V, 3.5 A, 0.069 ohm at 10V, DFN2020B(WF)
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 40 V, 8.0 A, 0.0118 ohm at 10V, DFN2020B(WF)
XSM6K519NW,LXHF
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 40 V, 8.0 A, 0.0118 ohm at 10V, DFN2020B(WF)
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V DTMOS VI TOLL 55mohm
TK055U60Z1,RQ
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V DTMOS VI TOLL 55mohm
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LVMOS SOP-8-ADV
TPCA8120,L1Q
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LVMOS SOP-8-ADV
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
SOP-8
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 600 V, 0.08 ohma.10V, TO-220SIS, DTMOS?
TK080A60Z1,S4X
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-ch MOSFET, 600 V, 0.08 ohma.10V, TO-220SIS, DTMOS?
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Si
Through Hole
TO-220SIS-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 375W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TJ200F04M3L,LXHQ
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 375W 1MHz Automotive; AEC-Q101
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
TO-220SM-3
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS SOD-962 VRMW 15V 1uA TVS Diodes
DF2S20ASL,L3F
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Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS SOD-962 VRMW 15V 1uA TVS Diodes
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Diodos de varactor Variable capacitance diode for electronic tuning applications
JDV2S41AFS,L3M
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Nuevo en Mouser
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Diodos de varactor Variable capacitance diode for electronic tuning applications
4,478 En existencias
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Varactor Diodes
SMD/SMT
SOD-923-2
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DSOP-ADV PD=170W 1MHz PWR MOSFET TRNS
TPWR6003PL,L1Q
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DSOP-ADV PD=170W 1MHz PWR MOSFET TRNS
23,773 En existencias
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
DSOP-8
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET, P-CH, 40V, 7A, TSOP
+1 imagen
SSM6J808R,LF
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET, P-CH, 40V, 7A, TSOP
26,948 En existencias
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MOSFETs
Si
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) WSON10 N-CH 26V .003A
TPD7107F,BXH
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1,771 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TPD7107FBXH
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) WSON10 N-CH 26V .003A
1,771 En existencias
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
WSON-10
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS ESD Protection Diode Bi-directional type
DF3D18FU,LF
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153,723 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-DF3D18FULF
Toshiba
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS ESD Protection Diode Bi-directional type
153,723 En existencias
1
S/1.63
10
S/1.09
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S/0.74
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SOT-323-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=375W F=1MHZ AEC-Q101
TK160F10N1L,LXGQ
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N.º de artículo de Mouser 757-TK160F10N1LLXGQ
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=375W F=1MHZ AEC-Q101
26,382 En existencias
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S/20.04
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S/9.42
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MOSFETs
Si
SMD/SMT
TO-220SM-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOP8 N-CH 80V 120A
TPH2R408QM,L1Q
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85,347 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TPH2R408QM,L1Q
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOP8 N-CH 80V 120A
85,347 En existencias
1
S/10.41
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5,000
S/3.35
1,000
S/3.53
2,500
S/3.52
5,000
S/3.35
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Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSON N-CH 60V 20A
XPN12006NC,L1XHQ
Toshiba
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N.º de artículo de Mouser 757-XPN12006NCL1XHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSON N-CH 60V 20A
56,550 En existencias
1
S/7.61
10
S/4.86
100
S/3.25
500
S/2.57
1,000
Ver
5,000
S/2.18
1,000
S/2.34
2,500
S/2.30
5,000
S/2.18
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Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
TSON-8
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 27W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TJ8S06M3L,LXHQ
Toshiba
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S/5.76
45,224 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TJ8S06M3L,LXHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 27W 1MHz Automotive; AEC-Q101
45,224 En existencias
1
S/5.76
10
S/3.63
100
S/2.40
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S/1.87
2,000
S/1.54
4,000
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1,000
S/1.71
4,000
S/1.49
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Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
DPAK-3 (TO-252-3)
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOP8-ADV PD=170W 1MHz PWR MOSFET TRNS
TPH1R306P1,L1Q
Toshiba
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S/13.80
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N.º de artículo de Mouser 757-TPH1R306P1L1Q
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOP8-ADV PD=170W 1MHz PWR MOSFET TRNS
22,900 En existencias
1
S/13.80
10
S/8.99
100
S/6.24
500
S/5.29
2,500
S/5.12
5,000
S/4.95
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Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
SOP-8
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Silicon N-channel MOS (U-MOSIX-H)
+1 imagen
SSM6K804R,LF
Toshiba
1:
S/4.69
9,340 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-SSM6K804RLF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Silicon N-channel MOS (U-MOSIX-H)
9,340 En existencias
1
S/4.69
10
S/2.95
100
S/1.93
500
S/1.49
1,000
Ver
1,000
S/1.35
2,500
S/1.14
5,000
S/1.12
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Detalles
MOSFETs
Si
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSOP6F S-MOS(LF)
SSM6K818R,LF
Toshiba
1:
S/4.69
11,778 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-SSM6K818RLF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TSOP6F S-MOS(LF)
11,778 En existencias
1
S/4.69
10
S/2.95
100
S/1.93
500
S/1.49
1,000
Ver
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S/1.35
2,500
S/1.14
5,000
S/1.12
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Detalles
MOSFETs
Si
MOSFETs de SiC G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 45mohm
TW045N120C,S1F
Toshiba
1:
S/121.52
111 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TW045N120CS1F
Toshiba
MOSFETs de SiC G3 1200V SiC-MOSFET TO-247 45mohm
111 En existencias
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Detalles
SiC MOSFETS
SiC
Through Hole
TO-247-3
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=6A VDSS=100V
SSM6K341NU,LF
Toshiba
1:
S/3.01
587,368 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-SSM6K341NULF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LowON Res MOSFET ID=6A VDSS=100V
587,368 En existencias
1
S/3.01
10
S/1.85
100
S/1.22
500
S/0.929
3,000
S/0.692
6,000
Ver
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S/0.817
6,000
S/0.645
9,000
S/0.615
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Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
UDFN-6
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) U-MOSVIII-H 100V 160A 122nC MOSFET
TK160F10N1L,LQ
Toshiba
1:
S/16.43
18,984 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TK160F10N1LLQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) U-MOSVIII-H 100V 160A 122nC MOSFET
18,984 En existencias
1
S/16.43
10
S/10.79
100
S/7.57
500
S/6.71
1,000
S/6.28
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Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
TO-220SMW-3
Diodos de Conmutación de Señal Baja Hi Spd Switch Diode 0.1A 80V VR
1SS226,LF
Toshiba
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S/0.559
897,515 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-1SS226LF
Toshiba
Diodos de Conmutación de Señal Baja Hi Spd Switch Diode 0.1A 80V VR
897,515 En existencias
1
S/0.559
10
S/0.387
100
S/0.331
500
S/0.241
1,000
S/0.211
3,000
S/0.108
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Detalles
Diodes - General Purpose, Power, Switching
SMD/SMT
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DTMOSIV-High Speed 600V 88mVGS=10V)
TK31V60X,LQ
Toshiba
1:
S/30.96
4,913 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TK31V60XLQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DTMOSIV-High Speed 600V 88mVGS=10V)
4,913 En existencias
1
S/30.96
10
S/20.94
100
S/15.70
500
S/15.65
1,000
S/14.66
2,500
S/14.66
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Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
MOSFETs
Si
SMD/SMT
DFN8x8-5
Perú
