.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

STMicroelectronics MDmesh Semiconductores discretos

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Tipos de Semiconductores discretos

Lista Imágenes

Resultados: 669

Filtros aplicados:

Fabricante = STMicroelectronics Nombre comercial = MDmesh

Tipo de producto

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Descargar tabla (.CSV)

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 400 V, 0.063 Ohm typ., 38 A MDmesh DM2 Power MOSFET i

STP45N40DM2AG
STMicroelectronics
1: S/32.68
4,720En existencias
1,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
STP45N40DM2AG

N.º de artículo de Mouser
511-STP45N40DM2AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 400 V, 0.063 Ohm typ., 38 A MDmesh DM2 Power MOSFET i

Obtenga más información

Hoja de datos

4,720En existencias

1,000En pedido

S/32.68

S/17.80

S/16.34

S/15.91

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh M5 MOS

STP45N65M5
STMicroelectronics
1: S/33.97
3,884En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP45N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STP45N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.067 Ohm 35A MDmesh M5 MOS

Obtenga más información

Hoja de datos

3,884En existencias

S/33.97

S/20.08

S/18.45

S/18.19

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.155 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8

STL28N60DM2
STMicroelectronics
1: S/20.08
1,241En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STL28N60DM2

N.º de artículo de Mouser
511-STL28N60DM2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.155 Ohm typ., 21 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8

Hoja de datos

1,241En existencias

Cinta cortada

S/20.08

S/13.29

S/10.41

S/9.25

S/8.17

Envase tipo carrete

S/8.17

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

MOSFETs

SMD/SMT

PowerFLAT-8x8-5

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 365 mOhm typ., 9 A MDmesh DM6 Power MOSFET in

STD9N65DM6AG
STMicroelectronics
1: S/12.17
2,357En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD9N65DM6AG

N.º de artículo de Mouser
511-STD9N65DM6AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 365 mOhm typ., 9 A MDmesh DM6 Power MOSFET in

Hoja de datos

2,357En existencias

Cinta cortada

S/12.17

S/7.87

S/5.63

S/4.73

S/4.06

Envase tipo carrete

S/4.06

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

MOSFETs

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2

STB13N60M2
STMicroelectronics
1: S/12.30
1,784En existencias
2,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
STB13N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STB13N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2

Obtenga más información

Hoja de datos

1,784En existencias

2,000En pedido

Cinta cortada

S/12.30

S/7.96

S/5.50

S/4.52

Envase tipo carrete

S/4.19

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

MOSFETs

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 1.90 Ohm typ., 3 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package

STD4N90K5
STMicroelectronics
1: S/10.36
3,559En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD4N90K5

N.º de artículo de Mouser
511-STD4N90K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 1.90 Ohm typ., 3 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package

Obtenga más información

Hoja de datos

3,559En existencias

Cinta cortada

S/10.36

S/6.67

S/4.56

S/3.64

S/3.57

Envase tipo carrete

S/3.34

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

MOSFETs

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh

STF11NM80
STMicroelectronics
1: S/30.01
910En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF11NM80

N.º de artículo de Mouser
511-STF11NM80

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh

Obtenga más información

Hoja de datos

910En existencias

S/30.01

S/14.71

S/13.93

S/13.80

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 650V Pwr Mosfet

STF15NM65N
STMicroelectronics
1: S/23.65
938En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF15NM65N

N.º de artículo de Mouser
511-STF15NM65N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 650V Pwr Mosfet

Obtenga más información

Hoja de datos

938En existencias

S/23.65

S/12.43

S/11.05

S/9.76

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 65V 12A MDMESH

STF16N65M5
STMicroelectronics
1: S/17.11
8,330En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF16N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STF16N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 65V 12A MDMESH

Obtenga más información

Hoja de datos

8,330En existencias

S/17.11

S/8.73

S/7.91

S/6.49

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V 0.25 17A Mdmesh

STF18NM80
STMicroelectronics
1: S/35.52
403En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF18NM80

N.º de artículo de Mouser
511-STF18NM80

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V 0.25 17A Mdmesh

Obtenga más información

Hoja de datos

403En existencias

S/35.52

S/18.49

S/17.93

S/17.46

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.23 Ohm typ., 16 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220FP package

STF23N80K5
STMicroelectronics
1: S/26.19
795En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF23N80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STF23N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.23 Ohm typ., 16 A MDmesh K5 Power MOSFET in TO-220FP package

Hoja de datos

795En existencias

S/26.19

S/13.89

S/12.69

S/11.52

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 2.75 Ohm typ., 2 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package

STF3LN80K5
STMicroelectronics
1: S/9.03
3,153En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF3LN80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STF3LN80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 2.75 Ohm typ., 2 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP package

Obtenga más información

Hoja de datos

3,153En existencias

S/9.03

S/4.39

S/3.90

S/3.10

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.087 Ohm typ., 32 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package

STF40N65M2
STMicroelectronics
1: S/19.09
1,082En existencias
1,000Se espera el 25/05/2026

N.º de artículo del Fabricante
STF40N65M2

N.º de artículo de Mouser
511-STF40N65M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.087 Ohm typ., 32 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220FP package

Obtenga más información

Hoja de datos

1,082En existencias

1,000Se espera el 25/05/2026

S/19.09

S/14.02

S/12.26

S/11.48

S/10.97

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 20 Amp

STP20NM60
STMicroelectronics
1: S/20.81
974En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP20NM60

N.º de artículo de Mouser
511-STP20NM60

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 20 Amp

Obtenga más información

Hoja de datos

974En existencias

S/20.81

S/14.23

S/13.67

S/13.46

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V MDMesh

STP30N65M5
STMicroelectronics
1: S/31.82
708En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP30N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STP30N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V MDMesh

Obtenga más información

Hoja de datos

708En existencias

S/31.82

S/16.34

S/15.57

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220 package

STP33N60DM2
STMicroelectronics
1: S/18.45
1,406En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP33N60DM2

N.º de artículo de Mouser
511-STP33N60DM2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.110 Ohm typ., 24 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220 package

Obtenga más información

Hoja de datos

1,406En existencias

S/18.45

S/10.54

S/9.80

S/8.73

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 30 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-220 packag

STP45N60DM6
STMicroelectronics
1: S/22.23
982En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP45N60DM6

N.º de artículo de Mouser
511-STP45N60DM6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ., 30 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-220 packag

Obtenga más información

Hoja de datos

982En existencias

S/22.23

S/21.20

S/18.02

S/16.04

S/14.19

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 68 mOhm typ., 36 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220 package

STP46N60M6
STMicroelectronics
1: S/31.82
990En existencias
1,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
STP46N60M6

N.º de artículo de Mouser
511-STP46N60M6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 68 mOhm typ., 36 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220 package

Obtenga más información

Hoja de datos

990En existencias

1,000En pedido

S/31.82

S/22.49

S/19.69

S/15.61

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2

STU13N60M2
STMicroelectronics
1: S/9.12
2,389En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STU13N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STU13N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.35Ohm 11A Mdmesh M2

Obtenga más información

Hoja de datos

2,389En existencias

S/9.12

S/4.12

S/3.71

S/3.12

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-251-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.84 Ohm 5A 2nd Gen MDmesh

STU7NM60N
STMicroelectronics
1: S/12.60
1,718En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STU7NM60N

N.º de artículo de Mouser
511-STU7NM60N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.84 Ohm 5A 2nd Gen MDmesh

Obtenga más información

Hoja de datos

1,718En existencias

S/12.60

S/5.12

S/4.77

S/4.43

S/4.27

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-251-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1700 V, 2.3 Ohm typ., 5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package

STW12N170K5
STMicroelectronics
1: S/45.67
1,083En existencias
1,157En pedido

N.º de artículo del Fabricante
STW12N170K5

N.º de artículo de Mouser
511-STW12N170K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1700 V, 2.3 Ohm typ., 5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package

Obtenga más información

Hoja de datos

1,083En existencias

1,157En pedido

S/45.67

S/30.79

S/24.77

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V 0.033ohm 69A Mdmesh

STW77N65M5
STMicroelectronics
1: S/69.88
508En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW77N65M5

N.º de artículo de Mouser
511-STW77N65M5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V 0.033ohm 69A Mdmesh

Obtenga más información

Hoja de datos

508En existencias

S/69.88

S/43.09

S/42.57

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 42 mOhm typ., 60 A MDmesh DM2 Power MOSFET in

STWA65N65DM2AG
STMicroelectronics
1: S/43.22
447En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STWA65N65DM2AG

N.º de artículo de Mouser
511-STWA65N65DM2AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 42 mOhm typ., 60 A MDmesh DM2 Power MOSFET in

Hoja de datos

447En existencias

S/43.22

S/29.76

S/22.79

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 20 Amp

STB20NM50T4
STMicroelectronics
1: S/26.45
957En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB20NM50T4

N.º de artículo de Mouser
511-STB20NM50

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 20 Amp

Hoja de datos

957En existencias

Cinta cortada

S/26.45

S/17.76

S/12.81

Envase tipo carrete

S/11.87

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

MOSFETs

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 600V

STB26NM60N
STMicroelectronics
1: S/33.80
913En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STB26NM60N

N.º de artículo de Mouser
511-STB26NM60N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 600V

Obtenga más información

Hoja de datos

913En existencias

Cinta cortada

S/33.80

S/23.01

S/17.67

Envase tipo carrete

S/16.34

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

MOSFETs

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

STMicroelectronics MDmesh Semiconductores discretos

Tipos de Semiconductores discretos

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

D2PAK-3 (TO-263-3)
DPAK-3 (TO-252-3)
H2PAK-2
I2PAK-3
ISOTOP
ISOTOP-4
Max247-3
PowerFLAT-3.3x3.3-HV-8
PowerFLAT-5
PowerFLAT-5x5-12
PowerFLAT-5x6-4
PowerFLAT-5x6-8
PowerFLAT-5x6-HV-8
PowerFLAT-5x6-VHV-8
PowerFLAT-8
PowerFLAT-8x8-5
PowerFLAT-8x8-HV-5
TO-220-3
TO-220FP-3
TO-247-3