.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

PowerMESH Semiconductores discretos

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

Tipos de Semiconductores discretos

Lista Imágenes

Resultados: 19

Filtros aplicados:

Nombre comercial = PowerMESH

Tipo de producto

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Descargar tabla (.CSV)

N.° de pieza

IGBTs N-Ch Clamped 20 Amp

STGB20NB41LZT4
STMicroelectronics
1: S/16.64
1,509En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STGB20NB41LZT4

N.º de artículo de Mouser
511-STGB20NB41LZ

STMicroelectronics

IGBTs N-Ch Clamped 20 Amp

Hoja de datos

1,509En existencias

Cinta cortada

S/16.64

S/10.92

S/7.70

S/6.84

Envase tipo carrete

S/6.41

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

IGBT Transistors

SMD/SMT

D2PAK-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 40 Amp

STE40NC60
STMicroelectronics
1: S/169.03
146En existencias
100En pedido

N.º de artículo del Fabricante
STE40NC60

N.º de artículo de Mouser
511-STE40NC60

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 40 Amp

Obtenga más información

Hoja de datos

146En existencias

100En pedido

S/169.03

S/129.77

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

SMD/SMT

ISOTOP-4

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 53 Amp

STE53NC50
STMicroelectronics
1: S/163.40
164En existencias
300En pedido

N.º de artículo del Fabricante
STE53NC50

N.º de artículo de Mouser
511-STE53NC50

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 53 Amp

Obtenga más información

Hoja de datos

164En existencias

300En pedido

S/163.40

S/133.56

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

SMD/SMT

ISOTOP-4

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1500 V 2.5 A PowerMESH

STFW3N150
STMicroelectronics
1: S/19.01
1,379En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STFW3N150

N.º de artículo de Mouser
511-STFW3N150

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1500 V 2.5 A PowerMESH

Obtenga más información

Hoja de datos

1,379En existencias

S/19.01

S/10.54

S/7.65

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-3PF-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1500 V 4 A PowerMESH

STFW4N150
STMicroelectronics
1: S/28.55
1,375En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STFW4N150

N.º de artículo de Mouser
511-STFW4N150

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1500 V 4 A PowerMESH

Obtenga más información

Hoja de datos

1,375En existencias

S/28.55

S/16.64

S/13.46

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-3PF-3

IGBTs N-channel 600 V, 7 A very fast IGBT

STGD6NC60H-1
STMicroelectronics
1: S/7.78
3,058En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STGD6NC60H-1

N.º de artículo de Mouser
511-STGD6NC60H-1

STMicroelectronics

IGBTs N-channel 600 V, 7 A very fast IGBT

Hoja de datos

Comentarios de Producto

3,058En existencias

S/7.78

S/3.50

S/3.14

S/2.62

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors

Through Hole

IPAK-3

IGBTs N-Ch 600 Volt 7 Amp

STGD7NB60ST4
STMicroelectronics
1: S/12.30
1,783En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STGD7NB60ST4

N.º de artículo de Mouser
511-STGD7NB60ST4

STMicroelectronics

IGBTs N-Ch 600 Volt 7 Amp

Obtenga más información

Hoja de datos

1,783En existencias

Cinta cortada

S/12.30

S/7.96

S/5.50

S/4.56

S/4.39

Envase tipo carrete

S/4.11

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

IGBT Transistors

SMD/SMT

TO-252-3

IGBTs N-CH 7 A - 600V POWERMESH IGBT

STGF7NB60SL
STMicroelectronics
1: S/9.37
3,004En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STGF7NB60SL

N.º de artículo de Mouser
511-STGF7NB60SL

STMicroelectronics

IGBTs N-CH 7 A - 600V POWERMESH IGBT

Obtenga más información

Hoja de datos

3,004En existencias

S/9.37

S/4.56

S/4.08

S/3.66

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors

Through Hole

TO-220-3 FP

IGBTs N-CHANNEL IGBT

STGW30NC120HD
STMicroelectronics
1: S/22.06
2,568En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STGW30NC120HD

N.º de artículo de Mouser
511-STGW30NC120HD

STMicroelectronics

IGBTs N-CHANNEL IGBT

Hoja de datos

2,568En existencias

S/22.06

S/13.20

S/10.45

Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Transistors

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PowerMESH MOSFET

STP4N150
STMicroelectronics
1: S/24.08
617En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP4N150

N.º de artículo de Mouser
511-STP4N150

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PowerMESH MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

617En existencias

S/24.08

S/12.69

S/11.65

S/11.14

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1700 V, 7 Ohm typ., 2.6 A, PowerMESH Power MOSFET in TO-247 package

STW3N170
STMicroelectronics
1: S/26.36
1,188En existencias
600En pedido

N.º de artículo del Fabricante
STW3N170

N.º de artículo de Mouser
511-STW3N170

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1700 V, 7 Ohm typ., 2.6 A, PowerMESH Power MOSFET in TO-247 package

Obtenga más información

Hoja de datos

1,188En existencias

600En pedido

S/26.36

S/15.27

S/12.26

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-3PF-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1500 V PowerMesh

STW4N150
STMicroelectronics
1: S/31.09
813En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW4N150

N.º de artículo de Mouser
511-STW4N150

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1500 V PowerMesh

Obtenga más información

Hoja de datos

813En existencias

S/31.09

S/17.93

S/14.75

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 1500V HI-VOLT PWRMESH PWR MOSFET

STW9N150
STMicroelectronics
1: S/40.76
564En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW9N150

N.º de artículo de Mouser
511-STW9N150

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 1500V HI-VOLT PWRMESH PWR MOSFET

Hoja de datos

564En existencias

S/40.76

S/24.04

S/21.37

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1700 V, 7 Ohm typ., 2.6 A, PowerMESH Power MOSFET in TO-3PF package

STFW3N170
STMicroelectronics
1: S/26.66
227En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STFW3N170

N.º de artículo de Mouser
511-STFW3N170

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1700 V, 7 Ohm typ., 2.6 A, PowerMESH Power MOSFET in TO-3PF package

Hoja de datos

227En existencias

S/26.66

S/15.44

S/12.30

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-3PF-3

Módulos IGBT N-Ch 600 Volt 150Amp

STGE200NB60S
STMicroelectronics
1: S/111.71
27En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STGE200NB60S

N.º de artículo de Mouser
511-STGE200NB60S

STMicroelectronics

Módulos IGBT N-Ch 600 Volt 150Amp

Obtenga más información

Hoja de datos

27En existencias

Más información disponible

S/111.71

S/83.55

S/80.02

Min.: 1
Mult.: 1

IGBT Modules

Through Hole

ISOTOP-4

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 1500V 6Ohm 2.5A PowerMESH

STH3N150-2
STMicroelectronics
1: S/25.89
102En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STH3N150-2

N.º de artículo de Mouser
511-STH3N150-2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 1500V 6Ohm 2.5A PowerMESH

Obtenga más información

Hoja de datos

102En existencias

Más información disponible

Cinta cortada

S/25.89

S/17.37

S/12.51

S/12.38

Envase tipo carrete

S/11.57

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

MOSFETs

SMD/SMT

H2PAK-2

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1500V 6Ohm 2.5A N-Channel

STP3N150
STMicroelectronics
1: S/23.52
78En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP3N150

N.º de artículo de Mouser
511-STP3N150

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1500V 6Ohm 2.5A N-Channel

Hoja de datos

78En existencias

Más información disponible

S/23.52

S/12.60

S/11.48

S/10.41

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-220-3

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1500V 6Ohm 2.5A N-Channel

STW3N150
STMicroelectronics
1: S/19.26

N.º de artículo del Fabricante
STW3N150

N.º de artículo de Mouser
511-STW3N150

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1500V 6Ohm 2.5A N-Channel

Hoja de datos

Más información disponible

S/19.26

S/11.48

S/9.50

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs

Through Hole

TO-247-3

IGBTs N Ch 10A 600V

STGD10NC60HT4
STMicroelectronics
2,500: S/2.63
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
STGD10NC60HT4

N.º de artículo de Mouser
511-STGD10NC60HT4

STMicroelectronics

IGBTs N Ch 10A 600V

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas

Envase tipo carrete

S/2.63

Min.: 2,500
Mult.: 2,500

: 2,500

IGBT Transistors

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

PowerMESH Semiconductores discretos

Tipos de Semiconductores discretos

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte