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TSM Serie Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 19

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Serie = TSM

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 54A, Single N-Channel Power MOSFET

TSM110NB04LCR RLG
Taiwan Semiconductor
1: S/4.04
8,207En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TSM110NB04LCR RLG

N.º de artículo de Mouser
821-TSM110NB04LCRRLG

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 54A, Single N-Channel Power MOSFET

Hoja de datos

8,207En existencias

Cinta cortada

S/4.04

S/2.59

S/1.88

S/1.61

Envase tipo carrete

S/1.37

Ver

MouseReel Disponible

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Carrete: 2,500

SMD/SMT

PDFN56-8

N-Channel

1 Channel

40 V

54 A

11 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

23 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 121A, Single N-Channel Power MOSFET

TSM033NB04CR RLG
Taiwan Semiconductor
1: S/8.21
3,886En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TSM033NB04CR RLG

N.º de artículo de Mouser
821-TSM033NB04CRRLG

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 121A, Single N-Channel Power MOSFET

Hoja de datos

3,886En existencias

Cinta cortada

S/8.21

S/5.03

S/3.56

S/2.97

S/2.80

Envase tipo carrete

S/2.61

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

PDFN56-8

N-Channel

1 Channel

40 V

121 A

3.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

77 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 28A, Single N-Channel Power MOSFET

TSM280NB06LCR RLG
Taiwan Semiconductor
1: S/4.90
8,422En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TSM280NB06LCR RLG

N.º de artículo de Mouser
821-TSM280NB06LCRRLG

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 28A, Single N-Channel Power MOSFET

Hoja de datos

8,422En existencias

Cinta cortada

S/4.90

S/3.06

S/2.01

S/1.56

Envase tipo carrete

S/1.25

Ver

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

PDFN-56-8

N-Channel

1 Channel

60 V

28 A

28 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

18 nC

- 55 C

+ 175 C

56 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V, 124A, Single N-Channel Power MOSFET

TSM036N03PQ56 RLG
Taiwan Semiconductor
1: S/5.98
1,846En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TSM036N03PQ56 RLG

N.º de artículo de Mouser
821-TSM036N03PQ56RLG

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V, 124A, Single N-Channel Power MOSFET

Hoja de datos

1,846En existencias

Cinta cortada

S/5.98

S/3.74

S/2.48

S/2.02

Envase tipo carrete

S/2.02

S/1.56

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

PDFN-56-8

N-Channel

1 Channel

30 V

124 A

3.6 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

50 nC

- 55 C

+ 150 C

83 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 35A, Single N-Channel Power MOSFET

TSM220NB06CR RLG
Taiwan Semiconductor
1: S/4.95
658En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TSM220NB06CR RLG

N.º de artículo de Mouser
821-TSM220NB06CRRLG

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 35A, Single N-Channel Power MOSFET

Hoja de datos

658En existencias

Cinta cortada

S/4.95

S/3.19

S/2.12

S/1.69

Envase tipo carrete

S/1.35

Ver

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SMD/SMT

PDFN56-8

N-Channel

1 Channel

60 V

35 A

22 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

23 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 161A, Single N-Channel Power MOSFET

TSM025NB04CR RLG
Taiwan Semiconductor
5,000: S/3.36
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TSM025NB04CR RLG

N.º de artículo de Mouser
821-TSM025NB04CRRLG

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 161A, Single N-Channel Power MOSFET

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas

Cinta cortada

S/3.36

Min.: 5,000
Mult.: 2,500

Carrete: 2,500

SMD/SMT

PDFN56-8

N-Channel

1 Channel

40 V

161 A

2.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

113 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 161A, Single N-Channel Power MOSFET

TSM025NB04LCR RLG
Taiwan Semiconductor
5,000: S/3.36
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TSM025NB04LCR RLG

N.º de artículo de Mouser
821-TSM025NB04LCRRLG

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 161A, Single N-Channel Power MOSFET

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Cinta cortada

S/3.36

Min.: 5,000
Mult.: 2,500

Carrete: 2,500

SMD/SMT

PDFN56-8

N-Channel

1 Channel

40 V

161 A

2.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

112 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 121A, Single N-Channel Power MOSFET

TSM033NB04LCR RLG
Taiwan Semiconductor
5,000: S/2.61
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TSM033NB04LCR RLG

N.º de artículo de Mouser
821-TSM033NB04LCRRLG

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 121A, Single N-Channel Power MOSFET

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Cinta cortada

S/2.61

Min.: 5,000
Mult.: 2,500

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SMD/SMT

PDFN56-8

N-Channel

1 Channel

40 V

121 A

3.3 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

79 nC

- 55 C

+ 175 C

107 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 104A, Single N-Channel Power MOSFET

TSM045NB06CR RLG
Taiwan Semiconductor
5,000: S/3.36
Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TSM045NB06CR RLG

N.º de artículo de Mouser
821-TSM045NB06CRRLG

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 104A, Single N-Channel Power MOSFET

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas

Cinta cortada

S/3.36

Min.: 5,000
Mult.: 2,500

Carrete: 2,500

SMD/SMT

PDFN56-8

N-Channel

1 Channel

60 V

104 A

5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

104 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 107A, Single N-Channel Power MOSFET

TSM048NB06LCR RLG
Taiwan Semiconductor
5,000: S/3.36
Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TSM048NB06LCR RLG

N.º de artículo de Mouser
821-TSM048NB06LCRRLG

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 107A, Single N-Channel Power MOSFET

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas

Cinta cortada

S/3.36

Min.: 5,000
Mult.: 2,500

Carrete: 2,500

SMD/SMT

PDFN56-8

N-Channel

1 Channel

60 V

107 A

4.8 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

105 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 75A, Single N-Channel Power MOSFET

TSM070NB04CR RLG
Taiwan Semiconductor
5,000: S/1.67
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TSM070NB04CR RLG

N.º de artículo de Mouser
821-TSM070NB04CRRLG

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 75A, Single N-Channel Power MOSFET

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas

Cinta cortada

S/1.67

Min.: 5,000
Mult.: 2,500

Carrete: 2,500

SMD/SMT

PDFN56-8

N-Channel

1 Channel

40 V

75 A

7 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

40 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 75A, Single N-Channel Power MOSFET

TSM070NB04LCR RLG
Taiwan Semiconductor
5,000: S/1.67
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TSM070NB04LCR RLG

N.º de artículo de Mouser
821-TSM070NB04LCRRLG

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 75A, Single N-Channel Power MOSFET

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

Cinta cortada

S/1.67

Min.: 5,000
Mult.: 2,500

Carrete: 2,500

SMD/SMT

PDFN56-8

N-Channel

1 Channel

40 V

75 A

7 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

39 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 54A, Single N-Channel Power MOSFET

TSM110NB04CR RLG
Taiwan Semiconductor
5,000: S/1.31
Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TSM110NB04CR RLG

N.º de artículo de Mouser
821-TSM110NB04CRRLG

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 54A, Single N-Channel Power MOSFET

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 24 Semanas

Cinta cortada

S/1.31

Min.: 5,000
Mult.: 2,500

Carrete: 2,500

SMD/SMT

PDFN56-8

N-Channel

1 Channel

40 V

54 A

11 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

23 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 51A, Single N-Channel Power MOSFET

TSM130NB06CR RLG
Taiwan Semiconductor
5,000: S/1.67
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TSM130NB06CR RLG

N.º de artículo de Mouser
821-TSM130NB06CRRLG

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 51A, Single N-Channel Power MOSFET

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Cinta cortada

S/1.67

Min.: 5,000
Mult.: 2,500

Carrete: 2,500

SMD/SMT

PDFN56-8

N-Channel

1 Channel

60 V

51 A

13 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

36 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 51A, Single N-Channel Power MOSFET

TSM130NB06LCR RLG
Taiwan Semiconductor
180,000: S/1.67
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TSM130NB06LCR RLG

N.º de artículo de Mouser
821-TSM130NB06LCRRLG

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 51A, Single N-Channel Power MOSFET

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Cinta cortada

S/1.67

Min.: 180,000
Mult.: 2,500

Carrete: 2,500

SMD/SMT

PDFN56-8

N-Channel

1 Channel

60 V

51 A

13 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

37 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 41A, Single N-Channel Power MOSFET

TSM150NB04CR RLG
Taiwan Semiconductor
1: S/4.90
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TSM150NB04CR RLG

N.º de artículo de Mouser
821-TSM150NB04CRRLG

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 41A, Single N-Channel Power MOSFET

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Cinta cortada

S/4.90

S/3.06

S/1.95

S/1.56

Envase tipo carrete

S/1.25

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

PDFN56-8

N-Channel

1 Channel

40 V

41 A

15 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

19 nC

- 55 C

+ 175 C

56 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 41A, Single N-Channel Power MOSFET

TSM150NB04LCR RLG
Taiwan Semiconductor
1: S/4.90
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TSM150NB04LCR RLG

N.º de artículo de Mouser
821-TSM150NB04LCRRLG

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40V, 41A, Single N-Channel Power MOSFET

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

Cinta cortada

S/4.90

S/3.06

S/2.01

S/1.56

Envase tipo carrete

S/1.25

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

PDFN56-8

N-Channel

1 Channel

40 V

41 A

15 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

18 nC

- 55 C

+ 175 C

56 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 35A, Single N-Channel Power MOSFET

TSM220NB06LCR RLG
Taiwan Semiconductor
5,000: S/1.31
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TSM220NB06LCR RLG

N.º de artículo de Mouser
821-TSM220NB06LCRRLG

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 35A, Single N-Channel Power MOSFET

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

Cinta cortada

S/1.31

Min.: 5,000
Mult.: 2,500

Carrete: 2,500

SMD/SMT

PDFN56-8

N-Channel

1 Channel

60 V

35 A

22 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

23 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 27A, Single N-Channel Power MOSFET

TSM300NB06CR RLG
Taiwan Semiconductor
1: S/5.03
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TSM300NB06CR RLG

N.º de artículo de Mouser
821-TSM300NB06CRRLG

Taiwan Semiconductor

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 60V, 27A, Single N-Channel Power MOSFET

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Cinta cortada

S/5.03

S/3.12

S/2.05

S/1.58

Envase tipo carrete

S/1.25

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

PDFN56-8

N-Channel

1 Channel

60 V

27 A

30 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

18 nC

- 55 C

+ 175 C

56 W

Enhancement

AEC-Q101

Reel, Cut Tape, MouseReel

TSM Serie Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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