Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 620V, 2.7A SuperMESH Mosfet
STD3N62K3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 620V, 2.7A SuperMESH Mosfet
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 400 Volt 3 Amp Zener SuperMESH
STD5NK40ZT4
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 400 Volt 3 Amp Zener SuperMESH
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 500 V, 700 mOhm typ., 7.5 A MDmesh Power MOSFET in a
STD5NM50AG
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 500 V, 700 mOhm typ., 7.5 A MDmesh Power MOSFET in a
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.95 Ohm typ., 5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package
STD7LN80K5
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 800 V, 0.95 Ohm typ., 5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 525 V 6.3 A DPAK
STD7N52K3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 525 V 6.3 A DPAK
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 40V 5.4mOhm 80A
STD95N4F3
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 40V 5.4mOhm 80A
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Herramientas de desarrollo del sensor de posición Wi-Fi expansion for the SensorTile Wireless Industrial Node (STWIN) kit
STEVAL-STWINWFV1
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Herramientas de desarrollo del sensor de posición Wi-Fi expansion for the SensorTile Wireless Industrial Node (STWIN) kit
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 0.275 Ohm 17.5A MDmesh K5
STF20N95K5
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 0.275 Ohm 17.5A MDmesh K5
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900V 0.25 Ohm 18.5A MDmesh K5
STF21N90K5
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 900V 0.25 Ohm 18.5A MDmesh K5
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.19 Ohm 19.5A MDmesh K5
STF25N80K5
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 0.19 Ohm 19.5A MDmesh K5
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 20 A Mdmesh
STF26NM60N
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1,984 En existencias
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 20 A Mdmesh
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 24V 120A Zener SuperMESH
STF3NK100Z
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N Ch 24V 120A Zener SuperMESH
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Nchanl 600 V 78 Ohm typ 34 A Pwr MOSFET
STF40N60M2
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1,487 En existencias
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1,487 En existencias
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S/25.67
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IGBTs Automotive-grade 10 A, 600 V short-circuit rugged IGBT with Ultrafast diode
+4 imágenes
STGD10HF60KD
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5,277 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STGD10HF60KD
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IGBTs Automotive-grade 10 A, 600 V short-circuit rugged IGBT with Ultrafast diode
5,277 En existencias
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S/10.02
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S/6.45
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S/3.50
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S/3.18
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IGBTs N-Ch 600 Volt 3 Amp
STGD3NB60SDT4
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7,090 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STGD3NB60SD
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IGBTs N-Ch 600 Volt 3 Amp
7,090 En existencias
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S/6.02
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S/3.79
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S/2.52
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S/1.79
2,500
S/1.58
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IGBTs 19 A - 600 V very fast IGBT
STGP19NC60HD
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S/9.50
2,210 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STGP19NC60HD
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IGBTs 19 A - 600 V very fast IGBT
2,210 En existencias
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S/9.50
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S/6.02
100
S/5.76
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IGBTs 4.5 A, 600 V very fast IGBT with Ultrafast diode
360°
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STGP3HF60HD
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S/5.50
5,701 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STGP3HF60HD
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IGBTs 4.5 A, 600 V very fast IGBT with Ultrafast diode
5,701 En existencias
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S/5.50
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S/2.60
100
S/2.28
500
S/1.80
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S/1.62
2,000
S/1.49
10,000
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IGBTs 19 A - 600 V Very fast IGBT
STGW19NC60HD
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1:
S/17.07
1,800 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STGW19NC60HD
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IGBTs 19 A - 600 V Very fast IGBT
1,800 En existencias
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S/17.07
10
S/9.59
100
S/7.65
600
S/6.67
1,200
S/6.62
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IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed
+1 imagen
STGWA40H120DF2
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S/25.59
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N.º de artículo de Mouser 511-STGWA40H120DF2
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IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed
705 En existencias
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S/25.59
10
S/14.53
100
S/11.35
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IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 120 A low loss
STGYA120M65DF2
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N.º de artículo de Mouser 511-STGYA120M65DF2
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IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 120 A low loss
377 En existencias
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S/43.17
10
S/23.52
100
S/22.75
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.290 Ohm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 H
STL18N65M2
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S/14.02
3,751 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STL18N65M2
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.290 Ohm typ., 8 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 H
3,751 En existencias
1
S/14.02
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S/9.12
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S/6.41
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S/5.46
1,000
S/4.86
3,000
S/4.86
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Carrete :3,000
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.186Ohm typ. 18A MDmesh M2
STL24N60M2
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1:
S/16.38
6,000 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STL24N60M2
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.186Ohm typ. 18A MDmesh M2
6,000 En existencias
1
S/16.38
10
S/10.75
100
S/7.53
500
S/6.71
1,000
S/6.32
3,000
S/6.24
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 0.066Ohm 31A MDmesh M5
STL36N55M5
STMicroelectronics
1:
S/26.57
2,982 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STL36N55M5
STMicroelectronics
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 0.066Ohm 31A MDmesh M5
2,982 En existencias
1
S/26.57
10
S/18.45
100
S/13.37
1,000
S/13.12
3,000
S/12.51
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Carrete :3,000
Detalles
IC de controladores de iluminación LED LED Front Panel 3V SUPPLY
STLED316SMTR
STMicroelectronics
1:
S/8.73
2,747 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STLED316SMTR
STMicroelectronics
IC de controladores de iluminación LED LED Front Panel 3V SUPPLY
2,747 En existencias
1
S/8.73
10
S/6.49
25
S/5.89
100
S/5.29
1,000
S/4.60
2,000
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250
S/4.99
500
S/4.77
2,000
S/4.34
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Circuitos de supervisión 3.4V Active Lo Open Drain Voltage Detect
STM1061N34WX6F
STMicroelectronics
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S/2.92
4,884 En existencias
N.º de artículo de Mouser 511-STM1061N34WX6F
STMicroelectronics
Circuitos de supervisión 3.4V Active Lo Open Drain Voltage Detect
4,884 En existencias
1
S/2.92
10
S/2.08
25
S/1.87
100
S/1.63
3,000
S/1.33
6,000
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250
S/1.52
500
S/1.45
1,000
S/1.40
6,000
S/1.20
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Carrete :3,000
Detalles
Perú
