STMicroelectronics Mdmesh M5 Serie Semiconductores discretos

Tipos de Semiconductores discretos
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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V .0308 Ohm 11A MDmesh V MOS
Hoja de datos
Plazo de entrega 16 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V MDMesh M5
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 650V 93A 0.019 Ohm Mdmesh M5
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 600
Mult.: 600

MOSFETs Si Through Hole Max247-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET N-CH 650V
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 1,000
Mult.: 1,000
: 1,000
MOSFETs Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3)
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 0.56 Ohm 7A MDmesh M5 PWR MO
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 1,000
Mult.: 1,000

MOSFETs Si Through Hole TO-220-3
STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 650V 0.037Ohm 58A
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 600
Mult.: 600

MOSFETs Si Through Hole TO-247-4

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650 V 0.056 Ohm 42 A Mdmesh
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas
Min.: 600
Mult.: 600

MOSFETs Si Through Hole TO-247-3