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Transistores de radiofrecuencia

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Tipos de Transistores de radiofrecuencia

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N.° de pieza

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET

PTVA123501EC-V2-R0
MACOM
50: S/1,472.79
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
PTVA123501EC-V2-R0

N.º de artículo de Mouser
941-PTVA123501EC2R0

NRND

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET

Hoja de datos

No en existencias

Envase tipo carrete

S/1,472.79

Min.: 50
Mult.: 50

: 50

RF MOSFET Transistors

Screw Mount

H-36248-2

1.2 GHz to 1.4 GHz

350 W

17 dB

Reel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET

PTVA123501EC-V2-R250
MACOM
250: S/1,465.61
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
PTVA123501EC-V2-R250

N.º de artículo de Mouser
941-PTVA123501EC2R2

NRND

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET

Hoja de datos

No en existencias

Envase tipo carrete

S/1,465.61

Min.: 250
Mult.: 250

: 250

RF MOSFET Transistors

Screw Mount

H-36248-2

1.2 GHz to 1.4 GHz

350 W

17 dB

Reel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET

PTVA123501FC-V1-R0
MACOM
50: S/1,384.82
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
PTVA123501FC-V1-R0

N.º de artículo de Mouser
941-PTVA123501FC1R0

NRND

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET

Hoja de datos

No en existencias

Envase tipo carrete

S/1,384.82

Min.: 50
Mult.: 50

: 50

RF MOSFET Transistors

Screw Mount

H-37248-2

1.2 GHz to 1.4 GHz

350 W

17 dB

Reel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET

PTVA123501FC-V1-R250
MACOM
250: S/1,465.61
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
PTVA123501FC-V1-R250

N.º de artículo de Mouser
941-PTVA123501FC1R2

NRND

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET

Hoja de datos

No en existencias

Envase tipo carrete

S/1,465.61

Min.: 250
Mult.: 250

: 250

RF MOSFET Transistors

Screw Mount

H-37248-2

1.2 GHz to 1.4 GHz

350 W

17 dB

Reel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET

PTVA127002EV-V1-R250
MACOM
250: S/2,213.98
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
PTVA127002EV-V1-R250

N.º de artículo de Mouser
941-PTVA127002EV1R2

NRND

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET

Hoja de datos

No en existencias

Envase tipo carrete

S/2,213.98

Min.: 250
Mult.: 250

: 250

RF MOSFET Transistors

SMD/SMT

H-36275-4

1.2 GHz to 1.4 GHz

700 W

+ 225 C

16 dB

Reel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET

PXAC210552FC-V1-R0
MACOM
50: S/288.70
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
PXAC210552FC-V1-R0

N.º de artículo de Mouser
941-PXAC210552FC1R0

NRND

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET

No en existencias

Envase tipo carrete

S/288.70

S/260.02

Presupuesto

Min.: 50
Mult.: 50

: 50

RF MOSFET Transistors

SMD/SMT

H-37248-4

1.805 GHz to 2.17 GHz

55 W

+ 225 C

17.2 dB

Reel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET

PXAC210552FC-V1-R2
MACOM
250: S/260.06
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
PXAC210552FC-V1-R2

N.º de artículo de Mouser
941-PXAC210552FC1R2

NRND

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET

No en existencias

Envase tipo carrete

S/260.06

Presupuesto

Min.: 250
Mult.: 250

: 250

RF MOSFET Transistors

SMD/SMT

H-37248-4

1.805 GHz to 2.17 GHz

55 W

+ 225 C

17.2 dB

Reel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET

PXAD184218FV-V1-R0
MACOM
50: S/756.41
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
PXAD184218FV-V1-R0

N.º de artículo de Mouser
941-PXAD184218FV1R0

NRND

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET

Hoja de datos

No en existencias

Envase tipo carrete

S/756.41

Ver

Min.: 50
Mult.: 50

: 50

RF MOSFET Transistors

SMD/SMT

H-37275G-6/2

1.805 GHz to 1.88 GHz

420 W

+ 225 C

16 dB

Reel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET

PXAD184218FV-V1-R2
MACOM
250: S/706.62
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
PXAD184218FV-V1-R2

N.º de artículo de Mouser
941-PXAD184218FV1R2

NRND

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET

Hoja de datos

No en existencias

Envase tipo carrete

S/706.62

Ver

Min.: 250
Mult.: 250

: 250

RF MOSFET Transistors

SMD/SMT

H-37275G-6/2

1.805 GHz to 1.88 GHz

420 W

+ 225 C

16 dB

Reel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET

PXAD214218FV-V1-R0
MACOM
50: S/756.41
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
PXAD214218FV-V1-R0

N.º de artículo de Mouser
941-PXAD214218FV1R0

NRND

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET

Hoja de datos

No en existencias

Envase tipo carrete

S/756.41

Ver

Min.: 50
Mult.: 50

: 50

RF MOSFET Transistors

SMD/SMT

H-37275G-6/2

2.11 GHz to 2.17 GHz

430 W

+ 225 C

16 dB

Reel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET

PXFC191507FC-V1-R0
MACOM
50: S/367.82
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
PXFC191507FC-V1-R0

N.º de artículo de Mouser
941-PXFC191507FC1R0

NRND

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET

Hoja de datos

No en existencias

Envase tipo carrete

S/367.82

S/335.01

Presupuesto

Min.: 50
Mult.: 50

: 50

RF MOSFET Transistors

SMD/SMT

H-37248G-4/2

1.805 GHz to 1.99 GHz

150 W

+ 225 C

20.5 dB

Reel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET

PXFC191507FC-V1-R250
MACOM
250: S/335.06
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
PXFC191507FC-V1-R250

N.º de artículo de Mouser
941-PXFC191507FC1R2

NRND

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET

Hoja de datos

No en existencias

Envase tipo carrete

S/335.06

Presupuesto

Min.: 250
Mult.: 250

: 250

RF MOSFET Transistors

SMD/SMT

H-37248G-4/2

1.805 GHz to 1.99 GHz

150 W

+ 225 C

20.5 dB

Reel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET

PXFC192207FH-V3-R250
MACOM
250: S/502.63
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
PXFC192207FH-V3-R250

N.º de artículo de Mouser
941-PXFC192207FH3R2

NRND

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET

No en existencias

Envase tipo carrete

S/502.63

Ver

Min.: 250
Mult.: 250

: 250

RF MOSFET Transistors

SMD/SMT

H-37288G-4/2

1.805 GHz to 1.99 GHz

220 W

+ 225 C

20.5 dB

Reel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 150W, Si LDMOS, 28V, 1805-1880MHz, 248 SE

PXFE181507FC-V1-R0
MACOM
50: S/302.72
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
PXFE181507FC-V1-R0

N.º de artículo de Mouser
941-PXFE181507FCV1R0

NRND

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 150W, Si LDMOS, 28V, 1805-1880MHz, 248 SE

No en existencias

Envase tipo carrete

S/302.72

S/272.66

Presupuesto

Min.: 50
Mult.: 50

: 50

RF MOSFET Transistors

Reel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 150W, Si LDMOS, 28V, 1805-1880MHz, 248 SE

PXFE181507FC-V1-R2
MACOM
250: S/272.71
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
PXFE181507FC-V1-R2

N.º de artículo de Mouser
941-PXFE181507FCV1R2

NRND

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 150W, Si LDMOS, 28V, 1805-1880MHz, 248 SE

No en existencias

Envase tipo carrete

S/272.71

Presupuesto

Min.: 250
Mult.: 250

: 250

RF MOSFET Transistors

Reel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 150W, Si LDMOS, 28V, 2110-2170MHz, 248 SE

PXFE211507FC-V1-R0
MACOM
50: S/302.72
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
PXFE211507FC-V1-R0

N.º de artículo de Mouser
941-PXFE211507FCV1R0

NRND

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 150W, Si LDMOS, 28V, 2110-2170MHz, 248 SE

No en existencias

Envase tipo carrete

S/302.72

S/272.66

Presupuesto

Min.: 50
Mult.: 50

: 50

RF MOSFET Transistors

Reel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 150W, Si LDMOS, 28V, 2110-2170MHz, 248 SE

PXFE211507FC-V1-R2
MACOM
250: S/272.71
No en existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
PXFE211507FC-V1-R2

N.º de artículo de Mouser
941-PXFE211507FCV1R2

NRND

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 150W, Si LDMOS, 28V, 2110-2170MHz, 248 SE

No en existencias

Envase tipo carrete

S/272.71

Presupuesto

Min.: 250
Mult.: 250

: 250

RF MOSFET Transistors

Reel

Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) NPN wideband silicon RF transistor

BFU520XAR
NXP Semiconductors
1: S/2.88
Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
BFU520XAR

N.º de artículo de Mouser
771-BFU520XAR

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) NPN wideband silicon RF transistor

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas

Cinta cortada

S/2.88

S/1.76

S/1.14

S/0.86

S/0.697

Envase tipo carrete

S/0.512

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

RF Bipolar Transistors

SMD/SMT

SOT-143B-4

Bipolar Wideband

10.5 GHz

6.5 dBm

- 40 C

+ 150 C

Reel, Cut Tape

Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) NPN wideband silicon RF transistor

BFU530XAR
NXP Semiconductors
1: S/3.31
Plazo de entrega 53 Semanas
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
BFU530XAR

N.º de artículo de Mouser
771-BFU530XAR

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) NPN wideband silicon RF transistor

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega 53 Semanas

Cinta cortada

S/3.31

S/2.04

S/1.35

S/1.06

S/0.903

Envase tipo carrete

S/0.688

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

RF Bipolar Transistors

SMD/SMT

SOT-143B-4

Bipolar Wideband

11 GHz

10 dBm

- 40 C

+ 150 C

Reel, Cut Tape

Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) NPN wideband silicon RF transistor

BFU550XRVL
NXP Semiconductors
1: S/2.06
Plazo de entrega 53 Semanas
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
BFU550XRVL

N.º de artículo de Mouser
771-BFU550XRVL

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) NPN wideband silicon RF transistor

Hoja de datos

Plazo de entrega 53 Semanas

Cinta cortada

S/2.06

S/1.52

S/0.86

S/0.581

Ver

Envase tipo carrete

S/0.275

Min.: 1
Mult.: 1

: 10,000

RF Bipolar Transistors

SMD/SMT

SOT-143R-4

Bipolar Wideband

11 GHz

13.5 dBm

- 40 C

+ 150 C

Reel, Cut Tape

Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) Single NPN 21GHz

BFU660F,115
NXP Semiconductors
1: S/4.39
Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
BFU660F,115

N.º de artículo de Mouser
771-BFU660F115

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) Single NPN 21GHz

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas

Cinta cortada

S/4.39

S/2.72

S/1.78

S/1.37

S/1.20

Envase tipo carrete

S/0.989

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

RF Bipolar Transistors

SMD/SMT

SOT-343F-4

Bipolar Wideband

21 GHz

+ 150 C

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) NPN WIDEBAND SILICON GERMANIUM RF TRANS

BFU730F,115
NXP Semiconductors
1: S/3.23
Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
BFU730F,115

N.º de artículo de Mouser
771-BFU730F115

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) NPN WIDEBAND SILICON GERMANIUM RF TRANS

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 53 Semanas

Cinta cortada

S/3.23

S/2.29

S/1.68

S/1.39

S/1.26

Envase tipo carrete

S/1.01

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

RF Bipolar Transistors

SMD/SMT

SOT-343F-4

Bipolar Wideband

SiGe

55 GHz

+ 150 C

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6E 25W50V TO270-2G

MRFE6VS25GNR1
NXP Semiconductors
1: S/295.97
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
MRFE6VS25GNR1

N.º de artículo de Mouser
841-MRFE6VS25GNR1

Fin de vida útil

NXP Semiconductors

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) VHV6E 25W50V TO270-2G

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

Cinta cortada

S/295.97

S/257.14

S/224.89

Envase tipo carrete

S/224.89

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 500

RF MOSFET Transistors

SMD/SMT

TO-270G-2

1.8 MHz to 2 GHz

25 W

- 40 C

+ 150 C

27 dB

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) BIP NPN 70MA 10V F

NSVF5488SKT3G
onsemi
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas
Fin de vida útil

N.º de artículo del Fabricante
NSVF5488SKT3G

N.º de artículo de Mouser
863-NSVF5488SKT3G

Fin de vida útil

onsemi

Transistores bipolares de radiofrecuencia (RF) BIP NPN 70MA 10V F

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

Cotización

RF Bipolar Transistors

SMD/SMT

SOT-623-3

Bipolar

7 GHz

- 55 C

+ 150 C

AEC-Q101

Reel, Cut Tape

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-150MHz 150Watts 50Volt Gain 17dB

MRF150
MACOM
Plazo de entrega no en existencias 38 Semanas
Pedido especial de fábrica

N.º de artículo del Fabricante
MRF150

N.º de artículo de Mouser
937-MRF150

Pedido especial de fábrica

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-150MHz 150Watts 50Volt Gain 17dB

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 38 Semanas

Cotización

RF MOSFET Transistors

SMD/SMT

221-11-3

150 MHz

150 W

- 65 C

+ 150 C

17 dB

Tray

Transistores de radiofrecuencia

Tipos de Transistores de radiofrecuencia

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

Ampleon
Analog Devices Inc.
CEL
Central Semiconductor
CML Micro
Comchip Technology
Diodes Incorporated
Guerrilla RF
Infineon
MACOM
Microchip
Micro Commercial Components (MCC)
Mini-Circuits
Nexperia
NXP
onsemi
Qorvo
Renesas Electronics
Skyworks
STMicroelectronics
Toshiba
WeEn Semiconductors
ZiLOG

0.41 mm x 0.34 mm
1.4 mm x 1.2 mm
1.42 mm x 1.2 mm x 0.85 mm
211-07
211-07-3
211-11
221-11-3
244-4
249-06
305A-01
319-07
332A-3
333-04
333-4
355C-2
355J-2
368-3
375-04
744A-01
A2-3

0 Hz to 3.5 GHz
0 Hz to 7 GHz
2.5 Hz to 2.7 Hz
30 kHz to 50 GHz
1 MHz
1 MHz to 400 MHz
1 MHz to 425 MHz
1 MHz to 450 MHz
1 MHz to 500 MHz
1 MHz to 650 MHz
1.8 MHz to 2 GHz
2 MHz to 175 MHz
2 MHz to 30 MHz
10 MHz to 4 GHz
30 MHz
30 MHz to 860 MHz
30 MHz to 90 MHz
40 MHz
45 MHz
45 MHz to 6 GHz

200 mW
1 W
2 W
2.2 W
3 W
4 W
4.9 W
5 W
6.5 dBm
7 dBm
8 W
10 W
10 dBm
10.5 dBm
12 W
13.5 dBm
14 W
15 W
16 W
16 dBm

6.4 dB
8 dB
8 dB, 11 dB
8.8 dB
8.9 dB
9 dB
10 dB
10 dB, 13 dB
10.8 dB
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11.5 dB
11.9 dB
12 bB
12 dB
12.2 dB
12.3 dB
12.5 dB
13 dB
13.3 dB