Transistores de radiofrecuencia

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Tipo de producto
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Tipo de transistor
Tecnología
Frecuencia de trabajo
Potencia de salida
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Ganancia
Calificación
Empaquetado
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10G2324N10DL/LGA-7x7/REELDP
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
Carrete: 3,000

RF MOSFETs SMD/SMT LGA-20 LDMOS 2.3 GHz to 2.4 GHz 10 W + 125 C 31.3 dB Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10G2324N10DL/LGA-7x7/REELDP
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 1,000
Mult.: 1,000
Carrete: 1,000

RF MOSFETs SMD/SMT LGA-20 LDMOS 2.3 GHz to 2.4 GHz 10 W + 125 C 31.3 dB Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10G2327N55D/PQFN/REELDP
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 500
Mult.: 500
Carrete: 500

RF MOSFETs SMD/SMT QFN-20 LDMOS 2.3 GHz to 2.7 GHz 46.8 dBm + 200 C 31.2 dB Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10G2527N10DL/LGA-7x7/REELDP
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 1,000
Mult.: 1,000
Carrete: 1,000

RF MOSFETs SMD/SMT LGA-20 LDMOS 2.5 GHz to 2.7 GHz 10 W + 125 C 30 dB Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10G3336N16DL/LGA/REEL
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
Carrete: 3,000

RF MOSFETs SMD/SMT LGA-20 LDMOS 3.3 GHz to 3.6 GHz 16 W + 125 C 35 dB Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10G3336N16DL/LGA/REEL
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 1,000
Mult.: 1,000
Carrete: 1,000

RF MOSFETs SMD/SMT LGA-20 LDMOS 3.3 GHz to 3.6 GHz 16 W + 125 C 35 dB Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10G4750N12DL/LGA-7x7/REELDP
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 1,000
Mult.: 1,000
Carrete: 1,000

RF MOSFETs SMD/SMT LGA-20 LDMOS 4.7 GHz to 5 GHz 12 W + 125 C 30 dB Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10H0710N40D/LGA-12x8/REEL
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
Carrete: 3,000

RF MOSFETs SMD/SMT LGA-34 LDMOS 600 MHz to 800 MHz 46.9 dBm - 40 C + 120 C 34 dB Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10H0608N40D/LGA-12x8/REEL
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 500
Mult.: 500
Carrete: 500

RF MOSFETs SMD/SMT LGA-34 LDMOS 600 MHz to 800 MHz 46.9 dBm - 40 C + 120 C 34 dB Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B10H0710N40D/LGA-12x8/REEL
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 3,000
Mult.: 3,000
Carrete: 3,000

RF MOSFETs SMD/SMT LGA-34 LDMOS 700 MHz to 1 GHz 47 dBm - 40 C + 120 C 35 dB Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B11G1822N60D/PQFN-12x7/REELDP
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 1,500
Mult.: 1,500
Carrete: 1,500

RF MOSFETs SMD/SMT QFN-36 LDMOS 1.8 GHz to 2.2 GHz 48.5 dBm + 125 C 32 dB Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B11G1822N60D/PQFN-12x7/REELDP
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 300
Mult.: 300
Carrete: 300

RF MOSFETs SMD/SMT QFN-36 LDMOS 1.8 GHz to 2.2 GHz 48.5 dBm + 200 C 32 dB Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B11G2327N71D/PQFN-12x7/REELDP
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 1,500
Mult.: 1,500
Carrete: 1,500

RF MOSFETs SMD/SMT QFN-36 LDMOS 2.3 GHz to 2.7 GHz 49.5 dBm + 200 C 33.5 dB Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B11G3338N81D/PQFN-12x7/REELDP
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 1,500
Mult.: 1,500
Carrete: 1,500

RF MOSFETs SMD/SMT QFN-36 LDMOS 3.3 GHz to 3.8 GHz 49 dBm + 200 C 38 dB Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B11G3338N81D/PQFN-12x7/REELDP
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 300
Mult.: 300
Carrete: 300

RF MOSFETs SMD/SMT QFN-36 LDMOS 3.3 GHz to 3.8 GHz 49 dBm + 200 C 38 dB Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) B11G3742N81D/PQFN-12x7/REELDP
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
Min.: 1,500
Mult.: 1,500
Carrete: 1,500

RF MOSFETs SMD/SMT QFN-36 LDMOS 3.7 GHz to 4.2 GHz 48.5 dBm + 200 C 36 dB Reel
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLA9G1011L-300G/SOT502/TRAY
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 60
Mult.: 60

RF MOSFETs Screw Mount SOT502F-3 LDMOS 1.03 GHz to 1.09 GHz 300 W + 225 C 19.5 dB Tray
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLA9G1011L-300/SOT502/TRAY
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 60
Mult.: 60

RF MOSFETs Screw Mount SOT502A-3 LDMOS 1.03 GHz to 1.09 GHz 300 W + 225 C 19.5 dB Tray
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLA9G1011LS-300G/SOT502/TRAY
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 60
Mult.: 60

RF MOSFETs SMD/SMT SOT502E-3 LDMOS 1.03 GHz to 1.09 GHz 300 W + 225 C 19.5 dB Tray
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLA9G1011LS-300/SOT502/TRAY
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 60
Mult.: 60

RF MOSFETs SMD/SMT SOT502B-3 LDMOS 1.03 GHz to 1.09 GHz 300 W + 225 C 19.5 dB Tray
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLA9H0912L-250G/SOT502/TRAY
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 60
Mult.: 60

RF MOSFETs Screw Mount SOT502F-3 LDMOS 960 MHz to 1.215 GHz 250 W + 225 C 22 dB Tray
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLA9H0912L-250/SOT502/TRAY
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 60
Mult.: 60

RF MOSFETs Screw Mount SOT502A-3 LDMOS 960 MHz to 1.215 GHz 250 W + 225 C 22 dB Tray
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLA9H0912LS-700/SOT502/TRAY
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 60
Mult.: 60

RF MOSFETs Screw Mount SOT502F-3 LDMOS 960 MHz to 1.215 GHz 700 W + 225 C 20 dB Tray
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLA9H0912L-700/SOT502/TRAY
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 60
Mult.: 60

RF MOSFETs Screw Mount SOT502A-3 LDMOS 960 MHz to 1.215 GHz 700 W + 225 C 20 dB Tray
Ampleon Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) BLA9H0912LS-1200PGJ/SOT539/TRAY
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
Min.: 100
Mult.: 100
Carrete: 100

RF MOSFETs SMD/SMT SOT1248C-5 LDMOS 960 MHz to 1.215 GHz 1.2 kW + 225 C 19 dB Reel