Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Polaridad del transistor
Tecnología
Id - Corriente de drenaje continua
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Frecuencia de trabajo
Ganancia
Potencia de salida
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Empaquetado
CML Micro MWT-PH30F71
CML Micro Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 10
N-Channel GaAs 18 GHz 14 dB 25 dBm SMD/SMT Die Reel, Cut Tape
CML Micro MWT-PH30F73
CML Micro Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 10
N-Channel GaAs 18 GHz 14 dB 25 dBm SMD/SMT Die Reel, Cut Tape
CML Micro MWT-PH31F71
CML Micro Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 10
N-Channel GaAs 18 GHz 13 dB 28.5 dBm SMD/SMT Die Reel, Cut Tape
CML Micro MWT-PH32F71
CML Micro Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 10
Mult.: 10
: 10
N-Channel GaAs 12 GHz 13 dB 29.5 dBm SMD/SMT Die Reel
CML Micro MWT-PH33F70
CML Micro Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 10
N-Channel GaAs 26 GHz 14 dB 24 dBm SMD/SMT Die Reel, Cut Tape
CML Micro MWT-PH33F71
CML Micro Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 10
N-Channel GaAs 26 GHz 14 dB 24 dBm SMD/SMT Die Reel, Cut Tape
CML Micro MWT-PH33F73
CML Micro Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 10
N-Channel GaAs 26 GHz 14 dB 24 dBm SMD/SMT Die Reel, Cut Tape
CML Micro MWT-PH3F
CML Micro Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1
N-Channel GaAs 28 GHz 14 dB 24 dBm SMD/SMT Die Gel Pack
CML Micro MWT-PH3F70
CML Micro Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 10
N-Channel GaAs 28 GHz 14 dB 24 dBm SMD/SMT Die Reel, Cut Tape
CML Micro MWT-PH3F71
CML Micro Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 10
Mult.: 10
: 10
N-Channel GaAs 28 GHz 14 dB 24 dBm SMD/SMT Die Reel
CML Micro MWT-PH3F73
CML Micro Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 10
N-Channel GaAs 28 GHz 14 dB 24 dBm SMD/SMT Die Reel, Cut Tape
CML Micro MWT-PH4F70
CML Micro Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 10
Mult.: 10
: 10
N-Channel GaAs 28 GHz 14 dB 23 dBm SMD/SMT Reel
CML Micro MWT-PH4F71
CML Micro Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 10
N-Channel GaAs 28 GHz 14 dB 23 dBm SMD/SMT Reel, Cut Tape
CML Micro MWT-PH4F73
CML Micro Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 10
N-Channel GaAs 28 GHz 14 dB 23 dBm SMD/SMT Reel, Cut Tape
CML Micro MWT-PH7F70
CML Micro Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 10
Mult.: 10
: 10
N-Channel GaAs 28 GHz 15 dB 24.5 dBm SMD/SMT Die Reel
CML Micro MWT-PH7F73
CML Micro Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 10
N-Channel GaAs 28 GHz 15 dB 24.5 dBm SMD/SMT Die Reel, Cut Tape
CML Micro MWT-PH9F70
CML Micro Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 10
Mult.: 10
: 10
N-Channel GaAs 26 GHz 13 dB 28 dBm SMD/SMT Reel
CML Micro MWT-PH9F71
CML Micro Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 10
Mult.: 10
: 10
N-Channel GaAs 26 GHz 13 dB 28 dBm SMD/SMT Reel
CML Micro MWT-PH9F73
CML Micro Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 10
Mult.: 10
: 10
N-Channel GaAs 26 GHz 13 dB 28 dBm SMD/SMT Reel
MACOM PTFA220041M-V4-R1K
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 200W, Si LDMOS, 28V, 700-22000MHz, Plastic SMT DFN No en existencias
Min.: 1,000
Mult.: 1,000
: 1,000
Si Reel
MACOM PTFB241402FC-V1-R250
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 140W, Si LDMOS, 28V, 2300-2400MHz, 248 PP No en existencias
Min.: 250
Mult.: 250
: 250
Si Reel
MACOM PTFB241402FC-V1-R0
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 140W, Si LDMOS, 28V, 2300-2400MHz, 248 PP No en existencias
Min.: 50
Mult.: 50
: 50
Si Reel
MACOM PTNC210604MD-V2-R5
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 60W, Si LDMOS IC , 28V, 1800-2100MHz, TO270
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 500
Mult.: 500
: 500
Si Reel
MACOM PTVA082407NF-V2-R5
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 240W, Si LDMOS, 48V, 790-820MHz, TO288
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 500
Mult.: 500
: 500
Si Reel
MACOM PXAE261908NF-V1-R5
MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 240W, SiLDMOS, 28V, 2615-2515-2675 MHz
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 500
Mult.: 500
: 500
Si Reel