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MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)

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Resultados: 139

Filtros aplicados:

Fabricante = MACOM

Polaridad del transistor

Id - Corriente de drenaje continua

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Frecuencia de trabajo

Ganancia

Potencia de salida

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Empaquetado

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

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Descargar tabla (.CSV)

N.° de pieza

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 100-500MHz 150Watts 28Volt Gain 8dB

UF28150J
MACOM
1: S/2,485.49

N.º de artículo del Fabricante
UF28150J

N.º de artículo de Mouser
937-UF28150J

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 100-500MHz 150Watts 28Volt Gain 8dB

Hoja de datos

Más información disponible

S/2,485.49

S/2,114.05

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

16 A

65 V

100 MHz to 500 MHz

8 dB

150 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

375-04

Tray

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,40W,<500MHz,28V,TMOS

MRF166W
MACOM
1: S/765.49

N.º de artículo del Fabricante
MRF166W

N.º de artículo de Mouser
937-MRF166W

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,40W,<500MHz,28V,TMOS

Hoja de datos

Más información disponible

S/765.49

S/601.40

Min.: 1
Mult.: 1

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 100-500MHz 150Watts 28Volt 10dB

MRF275G
MACOM
1: S/1,463.33

N.º de artículo del Fabricante
MRF275G

N.º de artículo de Mouser
937-MRF275G

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 100-500MHz 150Watts 28Volt 10dB

Obtenga más información

Hoja de datos

Más información disponible

S/1,463.33

S/1,235.65

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

26 A

65 V

100 MHz to 500 MHz

11.2 dB

150 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

375-04

Tray

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,Mosfet,40W,28V,100-500MHz

UF2840P
MACOM
1: S/632.62
17En pedido

N.º de artículo del Fabricante
UF2840P

N.º de artículo de Mouser
937-UF2840P

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,Mosfet,40W,28V,100-500MHz

Hoja de datos

17En pedido

S/632.62

S/500.18

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

4 A

65 V

100 MHz to 500 MHz

10 dB

40 W

+ 200 C

Screw Mount

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET

PTVA102001EA-V1-R0
MACOM
1: S/1,520.35
Plazo de entrega no en existencias 7 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
PTVA102001EA-V1-R0

N.º de artículo de Mouser
941-PTVA102001EA1R0

NRND

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 7 Semanas

Cinta cortada

S/1,520.35

S/1,283.85

Envase tipo carrete

S/1,283.85

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 50

N-Channel

10 mA

105 V

340 mOhms

960 MHz to 1.6 GHz

18.5 dB

200 W

+ 225 C

SMD/SMT

H-36265-2

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET

PTVA127002EV-V1-R0
MACOM
50: S/4,313.67
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
PTVA127002EV-V1-R0

N.º de artículo de Mouser
941-PTVA127002EV1R0

NRND

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas

Envase tipo carrete

S/4,313.67

Min.: 50
Mult.: 50

: 50

N-Channel

105 V

100 mOhms

1.2 GHz to 1.4 GHz

16 dB

700 W

+ 225 C

SMD/SMT

H-36275-4

Reel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,Mosfet,120W,2-175MHz,28V

DU28120V
MACOM
20: S/747.47
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
DU28120V

N.º de artículo de Mouser
937-DU28120V

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,Mosfet,120W,2-175MHz,28V

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas

S/747.47

Min.: 20
Mult.: 20

N-Channel

6 mA

65 V

2 MHz to 175 MHz

13 dB

120 W

SMD/SMT

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-175MHz 80Watts 28Volt Gain 13dB

MRF173
MACOM
1: S/332.61
Plazo de entrega 36 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
MRF173

N.º de artículo de Mouser
937-MRF173

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-175MHz 80Watts 28Volt Gain 13dB

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega 36 Semanas

S/332.61

S/288.92

S/252.71

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

9 A

65 V

200 MHz

13 dB

80 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

221-11-3

Tray

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-500MHz 100Watts 28Volt Gain 8.8dB

MRF275L
MACOM
20: S/655.41
Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
MRF275L

N.º de artículo de Mouser
937-MRF275L

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-500MHz 100Watts 28Volt Gain 8.8dB

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 28 Semanas

S/655.41

Min.: 20
Mult.: 20

N-Channel

13 A

65 V

500 MHz

8.8 dB

100 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

333-04

Tray

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 100-500MHz 40Watts 28Volt Gain 10dB

UF2840G
MACOM
20: S/1,157.73
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
UF2840G

N.º de artículo de Mouser
937-UF2840G

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 100-500MHz 40Watts 28Volt Gain 10dB

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas

S/1,157.73

Min.: 20
Mult.: 20

N-Channel

65 V

100 MHz to 500 MHz

10 dB

40 W

- 55 C

+ 150 C

SMD/SMT

319-07

Tray

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET

PTAB182002FC-V1-R0
MACOM
50: S/477.86
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
PTAB182002FC-V1-R0

N.º de artículo de Mouser
941-PTAB182002FC1R0

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET

No en existencias

Envase tipo carrete

S/477.86

S/435.29

Ver

Min.: 50
Mult.: 50

: 50

Dual N-Channel

65 V

150 mOhms

1.805 GHz to 1.88 GHz

15.5 dB

190 W

+ 200 C

SMD/SMT

H-37248-4

Reel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET

PTAB182002FC-V1-R250
MACOM
250: S/435.33
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
PTAB182002FC-V1-R250

N.º de artículo de Mouser
941-PTAB182002FC1R2

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET

No en existencias

Envase tipo carrete

S/435.33

Ver

Min.: 250
Mult.: 250

: 250

Dual N-Channel

65 V

150 mOhms

1.805 GHz to 1.88 GHz

15.5 dB

190 W

+ 200 C

SMD/SMT

H-37248-4

Reel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET

PTAC260302FC-V1-R0
MACOM
50: S/338.50
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
PTAC260302FC-V1-R0

N.º de artículo de Mouser
941-PTAC260302FC1R0

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET

No en existencias

Envase tipo carrete

S/338.50

S/304.91

Presupuesto

Min.: 50
Mult.: 50

: 50

Dual N-Channel

65 V

800 mOhms

2.62 GHz to 2.69 GHz

15.5 dB

30 W

+ 225 C

SMD/SMT

H-37248H-4

Reel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET

PTAC260302FC-V1-R250
MACOM
250: S/304.96
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
PTAC260302FC-V1-R250

N.º de artículo de Mouser
941-PTAC260302FC1R2

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET

No en existencias

Envase tipo carrete

S/304.96

Presupuesto

Min.: 250
Mult.: 250

: 250

Dual N-Channel

65 V

800 mOhms

2.62 GHz to 2.69 GHz

15.5 dB

30 W

+ 225 C

SMD/SMT

H-37248H-4

Reel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Si LDMOS

PTFA211801E-V5-R0
MACOM
50: S/764.71
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
PTFA211801E-V5-R0

N.º de artículo de Mouser
941-PTFA211801EV5R0

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Si LDMOS

No en existencias

Envase tipo carrete

S/764.71

Ver

Min.: 50
Mult.: 50

: 50

Reel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Si LDMOS

PTFA211801E-V5-R250
MACOM
250: S/714.40
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
PTFA211801E-V5-R250

N.º de artículo de Mouser
941-PTFA211801EV5R25

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Si LDMOS

No en existencias

Envase tipo carrete

S/714.40

Ver

Min.: 250
Mult.: 250

: 250

Reel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET

PTFB201402FC-V2-R0
MACOM
50: S/337.29
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
PTFB201402FC-V2-R0

N.º de artículo de Mouser
941-PTFB201402FC2R0

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET

No en existencias

Envase tipo carrete

S/337.29

S/307.24

Ver

Min.: 50
Mult.: 50

: 50

N-Channel

65 V

300 mOhms

2.01 GHz to 2.025 GHz

16 dB

140 W

+ 225 C

SMD/SMT

H-37248-4

Reel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET

PTFB201402FC-V2-R250
MACOM
250: S/307.28
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
PTFB201402FC-V2-R250

N.º de artículo de Mouser
941-PTFB201402FC2R2

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET

No en existencias

Envase tipo carrete

S/307.28

Ver

Min.: 250
Mult.: 250

: 250

N-Channel

65 V

300 mOhms

2.01 GHz to 2.025 GHz

16 dB

140 W

+ 225 C

SMD/SMT

H-37248-4

Reel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET

PTFC260202FC-V1-R0
MACOM
50: S/280.92
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
PTFC260202FC-V1-R0

N.º de artículo de Mouser
941-PTFC260202FC1R0

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET

No en existencias

Envase tipo carrete

S/280.92

S/253.01

Presupuesto

Min.: 50
Mult.: 50

: 50

Dual N-Channel

65 V

50 mOhms

2.495 GHz to 2.69 GHz

20 dB

25 W

+ 225 C

SMD/SMT

H-37248-4

Reel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET

PTFC260202FC-V1-R250
MACOM
250: S/253.06
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
PTFC260202FC-V1-R250

N.º de artículo de Mouser
941-PTFC260202FC1R2

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET

No en existencias

Envase tipo carrete

S/253.06

Presupuesto

Min.: 250
Mult.: 250

: 250

Dual N-Channel

65 V

50 mOhms

2.495 GHz to 2.69 GHz

20 dB

25 W

+ 225 C

SMD/SMT

H-37248-4

Reel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 30W, Si LDMOS IC , 50V, 575-960MHz, TO270

PTGA090304MD-V1-R5
MACOM
500: S/175.10
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
PTGA090304MD-V1-R5

N.º de artículo de Mouser
941-PTGA090304MDV1R5

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 30W, Si LDMOS IC , 50V, 575-960MHz, TO270

Hoja de datos

No en existencias

Envase tipo carrete

S/175.10

Min.: 500
Mult.: 500

: 500

Reel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 30W, Si LDMOS IC , 50V, 575-960MHz, TO270

PTGA090304MD-V2-R5
MACOM
500: S/175.05
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
PTGA090304MD-V2-R5

N.º de artículo de Mouser
941-PTGA090304MDV2R5

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 30W, Si LDMOS IC , 50V, 575-960MHz, TO270

Hoja de datos

No en existencias

Envase tipo carrete

S/175.05

Min.: 500
Mult.: 500

: 500

Reel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 40W, Si LDMOS IC , 28V, 1800-2100MHz, TO270

PTMC210404MD-V2-R5
MACOM
500: S/199.61
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
PTMC210404MD-V2-R5

N.º de artículo de Mouser
941-PTMC210404MDV2R5

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 40W, Si LDMOS IC , 28V, 1800-2100MHz, TO270

Hoja de datos

No en existencias

Envase tipo carrete

S/199.61

Min.: 500
Mult.: 500

: 500

Reel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 60W, Si LDMOS IC , 28V, 1800-2100MHz, TO270

PTNC210604MD-V1-R5
MACOM
500: S/214.48
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
PTNC210604MD-V1-R5

N.º de artículo de Mouser
941-PTNC210604MDV1R5

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 60W, Si LDMOS IC , 28V, 1800-2100MHz, TO270

Hoja de datos

No en existencias

Envase tipo carrete

S/214.48

Min.: 500
Mult.: 500

: 500

Reel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Power Amplifier

PTRA084808NF-V1-R5
MACOM
500: S/463.45
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
PTRA084808NF-V1-R5

N.º de artículo de Mouser
941-PTRA084808NF1R5

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Power Amplifier

Hoja de datos

No en existencias

Envase tipo carrete

S/463.45

Min.: 500
Mult.: 500

: 500

Dual N-Channel

105 V

80 mOhms

734 MHz to 821 MHz

18.2 dB

550 W

+ 225 C

SMD/SMT

HBSOF-6-2

Reel

MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

1 mA
6 mA
10 mA
50 mA
150 mA
240 mA
500 mA
600 mA
900 mA
1 A
2.5 A
2.8 A
4 A
4.5 A
5 A
6 A
9 A
12 A
13 A
16 A

2 MHz to 175 MHz
30 MHz to 90 MHz
80 MHz
100 MHz to 500 MHz
150 MHz
175 MHz
200 MHz
390 MHz to 450 MHz
400 MHz
500 MHz
500 MHz to 1.4 GHz
734 MHz to 821 MHz
746 MHz to 821 MHz
755 MHz to 805 MHz
859 MHz to 960 MHz
869 MHz to 960 MHz
900 MHz to 2.7 GHz
920 MHz to 960 MHz
960 MHz to 1.215 GHz
960 MHz to 1.6 GHz

8 dB
8.8 dB
9 dB
10 dB
11 dB
11.2 dB
12 dB
13 dB
13.5 dB
14 dB
14.3 dB
15 dB
15.5 dB
16 dB
16.5 dB
17 dB
17.2 dB
17.5 dB
17.7 dB
18 dB

2 W
4 W
5 W
8 W
10 W
12 W
15 W
20 W
25 W
28 W
30 W
40 W
45 W
50 W
55 W
60 W
80 W
90 W
100 W
120 W

211-07
211-07-3
221-11-3
244-4
249-06
305A-01
319-07
333-04
333-4
368-3
375-04
744A-01
H-33288-2
H-36248-2
H-36265-2
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