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MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)

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Resultados: 139

Filtros aplicados:

Fabricante = MACOM

Polaridad del transistor

Id - Corriente de drenaje continua

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Frecuencia de trabajo

Ganancia

Potencia de salida

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Empaquetado

Restablecer todos

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En existencias

Normalmente en existencia

Activo

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Matched pair Transistors

MRF150MP
MACOM
1: S/1,168.18
165En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MRF150MP

N.º de artículo de Mouser
937-MRF150MP

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Matched pair Transistors

Hoja de datos

165En existencias

Más información disponible

S/1,168.18

S/1,108.88

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

16 A

125 V

150 MHz

17 dB

150 W

+ 200 C

SMD/SMT

221-11-3

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-500MHz 2Watts 28Volt Gain 16dB

MRF158
MACOM
1: S/229.75
554En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MRF158

N.º de artículo de Mouser
937-MRF158

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-500MHz 2Watts 28Volt Gain 16dB

Obtenga más información

Hoja de datos

554En existencias

S/229.75

S/169.33

S/166.63

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

500 mA

65 V

500 MHz

18 dB

2 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

305A-01

Tray

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-400MHz 5 Watts 28Volt Gain 11dB

MRF134
MACOM
1: S/235.77
168En existencias
160En pedido

N.º de artículo del Fabricante
MRF134

N.º de artículo de Mouser
937-MRF134

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-400MHz 5 Watts 28Volt Gain 11dB

Obtenga más información

Hoja de datos

168En existencias

160En pedido

S/235.77

S/201.11

S/184.04

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

900 mA

65 V

400 MHz

11 dB

5 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

211-07-3

Tray

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor.Mosfet,60W,28V,2-175MHz

DU2860U
MACOM
1: S/740.72
18En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DU2860U

N.º de artículo de Mouser
937-DU2860U

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor.Mosfet,60W,28V,2-175MHz

Hoja de datos

18En existencias

S/740.72

S/618.99

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

12 A

65 V

175 MHz

13 dB

60 W

+ 200 C

Screw Mount

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,150MHz,28V,150W,Mosfet

MRF140
MACOM
1: S/680.65
22En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MRF140

N.º de artículo de Mouser
937-MRF140

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,150MHz,28V,150W,Mosfet

Hoja de datos

22En existencias

S/680.65

S/568.80

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

16 A

65 V

150 MHz

15 dB

150 W

+ 200 C

Screw Mount

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,Mosfet,8W,12V,30-90MHz

FH2164
MACOM
1: S/765.53
17En existencias

N.º de artículo del Fabricante
FH2164

N.º de artículo de Mouser
937-FH2164

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,Mosfet,8W,12V,30-90MHz

Hoja de datos

17En existencias

S/765.53

S/606.21

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

4 A

65 V

30 MHz to 90 MHz

13 dB

8 W

+ 200 C

Screw Mount

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-500MHz 4Watts 28Volt Gain 16dB

MRF160
MACOM
1: S/275.50
70En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MRF160

N.º de artículo de Mouser
937-MRF160

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-500MHz 4Watts 28Volt Gain 16dB

Obtenga más información

Hoja de datos

70En existencias

S/275.50

S/213.88

S/202.79

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

1 A

65 V

500 MHz

18 dB

4 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

249-06

Tray

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,150W,<200MHz,28V,TMOS

MRF174
MACOM
1: S/394.44
72En existencias
40En pedido

N.º de artículo del Fabricante
MRF174

N.º de artículo de Mouser
937-MRF174

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,150W,<200MHz,28V,TMOS

Hoja de datos

72En existencias

40En pedido

S/394.44

S/306.46

S/295.45

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

13 A

65 V

200 MHz

9 dB

125 W

- 65 C

+ 200 C

Screw Mount

211-07

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 100-500MHz 100Watts 28Volt 10dB

UF28100V
MACOM
1: S/1,601.92
18En existencias

N.º de artículo del Fabricante
UF28100V

N.º de artículo de Mouser
937-UF28100V

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 100-500MHz 100Watts 28Volt 10dB

Hoja de datos

18En existencias

S/1,601.92

S/1,308.66

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

12 A

65 V

100 MHz to 500 MHz

10 dB

100 W

- 55 C

+ 150 C

SMD/SMT

744A-01

Tray

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-80MHz 600Watts 50Volt Gain 21dB

MRF157
MACOM
1: S/4,501.11
8En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MRF157

N.º de artículo de Mouser
937-MRF157

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-80MHz 600Watts 50Volt Gain 21dB

Obtenga más información

Hoja de datos

8En existencias

S/4,501.11

S/3,989.07

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

60 A

125 V

80 MHz

21 dB

600 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

Tray

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 100-200MHz 45Watts 28Volt Gain 17dB

MRF171A
MACOM
1: S/351.74
51En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MRF171A

N.º de artículo de Mouser
937-MRF171A

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 100-200MHz 45Watts 28Volt Gain 17dB

Obtenga más información

Hoja de datos

51En existencias

S/351.74

S/271.85

S/262.04

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

4.5 A

65 V

150 MHz

17 dB

45 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

211-07-3

Tray

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor.Mosfet,20W,28V,2-175MHz

DU2820S
MACOM
1: S/320.65
22En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DU2820S

N.º de artículo de Mouser
937-DU2820S

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor.Mosfet,20W,28V,2-175MHz

Hoja de datos

22En existencias

S/320.65

S/242.13

S/236.84

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

24 A

65 V

175 MHz

13 dB

20 W

+ 200 C

Screw Mount

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 370W Si LDMOS 28V 2496 to 2690MHz

PXAE263708NB-V1-R2
MACOM
1: S/507.31
90En existencias

N.º de artículo del Fabricante
PXAE263708NB-V1-R2

N.º de artículo de Mouser
941-PXAE263708NBV1R2

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 370W Si LDMOS 28V 2496 to 2690MHz

Obtenga más información

Hoja de datos

90En existencias

Cinta cortada

S/507.31

S/422.00

S/389.84

Envase tipo carrete

S/389.84

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 250

N-Channel

65 V

80 mOhms

2.62 GHz to 2.69 GHz

13.5 dB

400 W

+ 225 C

Screw Mount

HB2SOF-8-1

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,<150MHz,28V,150W,TMOS

MRF175GU
MACOM
1: S/1,153.17
5En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MRF175GU

N.º de artículo de Mouser
937-MRF175GU

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,<150MHz,28V,150W,TMOS

Hoja de datos

5En existencias

S/1,153.17

S/948.54

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,Mosfet,10W,28V,2-175MHz

DU2810S
MACOM
1: S/315.49
51En existencias

N.º de artículo del Fabricante
DU2810S

N.º de artículo de Mouser
937-DU2810S

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,Mosfet,10W,28V,2-175MHz

Hoja de datos

51En existencias

S/315.49

S/238.35

S/233.19

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

2.8 A

65 V

175 MHz

13 dB

10 W

+ 200 C

Screw Mount

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-400MHz 15Watts 28Volt Gain 16dB

MRF136
MACOM
1: S/202.57
686En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MRF136

N.º de artículo de Mouser
937-MRF136

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-400MHz 15Watts 28Volt Gain 16dB

Obtenga más información

Hoja de datos

686En existencias

S/202.57

S/155.70

S/144.35

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

2.5 A

65 V

400 MHz

16 dB

15 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

211-07-3

Tray

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-175MHz 30Watts 50Volt Gain 18dB

MRF148A
MACOM
1: S/364.08
1,165En existencias
260En pedido

N.º de artículo del Fabricante
MRF148A

N.º de artículo de Mouser
937-MRF148A

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-175MHz 30Watts 50Volt Gain 18dB

Obtenga más información

Hoja de datos

1,165En existencias

260En pedido

S/364.08

S/282.94

S/274.47

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

6 A

125 V

175 MHz

18 dB

30 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

211-07-3

Tray

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,<175MHz,50V,150W,CuMollyPkg

MRF151A
MACOM
1: S/758.39
190En existencias
187En pedido

N.º de artículo del Fabricante
MRF151A

N.º de artículo de Mouser
937-MRF151A

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) Transistor,<175MHz,50V,150W,CuMollyPkg

Hoja de datos

190En existencias

187En pedido

S/758.39

S/620.71

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

16 A

125 V

175 MHz

13 dB

150 W

- 65 C

+ 150 C

Screw Mount

244-4

Tray

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-400MHz 100Watts 28Volt Gain 12dB

MRF177
MACOM
1: S/748.72
357En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MRF177

N.º de artículo de Mouser
937-MRF177

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-400MHz 100Watts 28Volt Gain 12dB

Obtenga más información

Hoja de datos

357En existencias

S/748.72

S/625.69

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

16 A

65 V

400 MHz

12 dB

100 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

744A-01

Tray

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-400MHz 30Watts 28Volt Gain 13dB

MRF137
MACOM
1: S/286.90
245En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MRF137

N.º de artículo de Mouser
937-MRF137

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-400MHz 30Watts 28Volt Gain 13dB

Obtenga más información

Hoja de datos

245En existencias

S/286.90

S/234.52

S/230.22

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

5 A

65 V

400 MHz

13 dB

30 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

211-07-3

Tray

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-175MHz 300Watts 28Volt Gain 12dB

MRF141G
MACOM
1: S/1,535.96
20En existencias

N.º de artículo del Fabricante
MRF141G

N.º de artículo de Mouser
937-MRF141G

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-175MHz 300Watts 28Volt Gain 12dB

Obtenga más información

Hoja de datos

20En existencias

Más información disponible

S/1,535.96

S/1,318.51

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

32 A

65 V

175 MHz

12 dB

300 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

375-04

Tray

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-500MHz 20Watts 28Volt Gain 13.5dB

MRF166C
MACOM
1: S/321.60
72En existencias
40En pedido

N.º de artículo del Fabricante
MRF166C

N.º de artículo de Mouser
937-MRF166C

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) 5-500MHz 20Watts 28Volt Gain 13.5dB

Obtenga más información

Hoja de datos

72En existencias

40En pedido

S/321.60

S/247.81

S/238.56

Min.: 1
Mult.: 1

N-Channel

4 A

65 V

500 MHz

13.5 dB

20 W

- 65 C

+ 150 C

SMD/SMT

319-07

Tray

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET

PTVA030121EA-V1-R0
MACOM
1: S/209.93
41En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
PTVA030121EA-V1-R0

N.º de artículo de Mouser
941-PTVA030121EA1R0

NRND

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET

Hoja de datos

41En existencias

Cinta cortada

S/209.93

S/179.05

Envase tipo carrete

S/179.05

S/156.61

Presupuesto

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 50

1 mA

105 V

2.8 Ohms

390 MHz to 450 MHz

25 dB

12 W

+ 225 C

SMD/SMT

H-36265-2

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET

PTVA120251EA-V2-R0
MACOM
1: S/229.02
7En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
PTVA120251EA-V2-R0

N.º de artículo de Mouser
941-PTVA120251EA2R0

NRND

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET

Hoja de datos

7En existencias

Cinta cortada

S/229.02

S/218.66

Envase tipo carrete

S/218.66

S/204.04

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 50

N-Channel

10 mA

105 V

1.4 Ohms

500 MHz to 1.4 GHz

18 dB

25 W

+ 225 C

SMD/SMT

H-36265-2

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET

PTFC270101M-V1-R1K
MACOM
1: S/124.83
6En existencias
1,575En pedido
Pedido especial de fábrica

N.º de artículo del Fabricante
PTFC270101M-V1-R1K

N.º de artículo de Mouser
941-PTFC270101M1RK

Pedido especial de fábrica

MACOM

Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF) RF LDMOS FET

6En existencias

1,575En pedido

Cinta cortada

S/124.83

S/106.81

S/106.60

Envase tipo carrete

S/106.60

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

N-Channel

10 mA

65 V

2 Ohms

900 MHz to 2.7 GHz

19.5 dB

5 W

+ 225 C

SMD/SMT

SON-10

Reel, Cut Tape, MouseReel

MACOM Transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido metálico (MOSFET) y radiofrecuencia (RF)

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

1 mA
6 mA
10 mA
50 mA
150 mA
240 mA
500 mA
600 mA
900 mA
1 A
2.5 A
2.8 A
4 A
4.5 A
5 A
6 A
9 A
12 A
13 A
16 A

2 MHz to 175 MHz
30 MHz to 90 MHz
80 MHz
100 MHz to 500 MHz
150 MHz
175 MHz
200 MHz
390 MHz to 450 MHz
400 MHz
500 MHz
500 MHz to 1.4 GHz
734 MHz to 821 MHz
746 MHz to 821 MHz
755 MHz to 805 MHz
859 MHz to 960 Mhz
869 MHz to 960 MHz
900 MHz to 2.7 GHz
920 MHz to 960 MHz
960 MHz to 1.215 GHz
960 MHz to 1.6 GHz

8 dB
8.8 dB
9 dB
10 dB
11 dB
11.2 dB
12 dB
13 dB
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14 dB
14.3 dB
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17 dB
17.2 dB
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18 dB

2 W
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