CoolMOS – Mouser Perú

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

A continuación, seleccione una categoría para ver las opciones de filtrado y reducir su búsqueda.

Resultados: 676

Filtros aplicados:

Nombre comercial = CoolMOS

Restablecer todos

Buscar dentro de los resultados

En existencias

Normalmente en existencia

Activo

Nuevos productos

En conformidad con la RoHS

.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Descargar tabla (.CSV)

N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPQC60R017S7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/63.34
699En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPQC60R017S7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPQC60R017S7XTMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

699En existencias

Cinta cortada

S/63.34

S/51.56

S/42.96

S/38.27

Envase tipo carrete

S/35.78

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPQC60R040S7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/35.99
739En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPQC60R040S7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPQC60R040S7XTMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

739En existencias

Cinta cortada

S/35.99

S/28.81

S/23.31

S/20.73

Envase tipo carrete

S/18.36

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPQC60T017S7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/65.83
750En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPQC60T017S7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPQC60T017S7XTMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

750En existencias

Cinta cortada

S/65.83

S/53.62

S/44.68

S/39.82

Envase tipo carrete

S/37.20

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V CoolMOS CM8 Power Transistor

IPT60R037CM8XTMA1
Infineon Technologies
1: S/39.65
2,679En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
IPT60R037CM8XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT60R037CM8XTMA

Nuevo en Mouser

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V CoolMOS CM8 Power Transistor

Obtenga más información

Hoja de datos

2,679En existencias

Cinta cortada

S/39.65

S/27.99

S/23.31

S/21.29

Envase tipo carrete

S/19.39

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPT60T022S7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/50.57
952En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT60T022S7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT60T022S7XTMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

952En existencias

Cinta cortada

S/50.57

S/38.31

S/31.95

S/28.47

S/26.62

Envase tipo carrete

S/26.62

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPT60T065S7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/24.12
2,083En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT60T065S7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT60T065S7XTMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

2,083En existencias

Cinta cortada

S/24.12

S/16.47

S/11.78

S/11.09

S/10.97

Envase tipo carrete

S/10.36

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R016CM8XKSA1
Infineon Technologies
1: S/68.41
371En existencias
480En pedido
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R016CM8XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R016CM8XKSA

Nuevo en Mouser

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

371En existencias

480En pedido

S/68.41

S/55.69

S/46.44

S/41.32

S/38.61

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R037CM8XKSA1
Infineon Technologies
1: S/35.17
1,418En existencias
1,680En pedido
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R037CM8XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R037CM8XKSA

Nuevo en Mouser

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

1,418En existencias

1,680En pedido

S/35.17

S/28.12

S/22.75

S/20.21

S/17.93

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V CoolMOS CM8 Power Transistor

IPZA60R016CM8XKSA1
Infineon Technologies
1: S/69.75
246En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
IPZA60R016CM8XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPZA60R016CM8XKS

Nuevo en Mouser

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V CoolMOS CM8 Power Transistor

Obtenga más información

Hoja de datos

246En existencias

S/69.75

S/56.76

S/47.30

S/42.14

S/39.39

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPDQ60R040S7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/28.98
625En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPDQ60R040S7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-PDQ60R040S7XTMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

625En existencias

Cinta cortada

S/28.98

S/20.55

S/18.19

Envase tipo carrete

S/18.15

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPDQ60R065S7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/29.46
739En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPDQ60R065S7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-PDQ60R065S7XTMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

739En existencias

Cinta cortada

S/29.46

S/19.31

S/14.19

S/12.64

Envase tipo carrete

S/11.22

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD60R400CEAUMA1
Infineon Technologies
1: S/6.97
4,025En existencias
5,000En pedido
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R400CEAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R400CEAUMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

Obtenga más información

Hoja de datos

4,025En existencias

5,000En pedido

Cinta cortada

S/6.97

S/4.43

S/2.94

S/2.30

S/2.10

Envase tipo carrete

S/1.81

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 20.2A TO220-3 CoolMOS C6

IPP60R190C6
Infineon Technologies
1: S/15.44
4,423En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R190C6

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R190C6

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 20.2A TO220-3 CoolMOS C6

Obtenga más información

Hoja de datos

4,423En existencias

S/15.44

S/10.06

S/7.87

S/6.58

S/5.72

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 77.5A TO247-3 CoolMOS C6

IPW60R041C6
Infineon Technologies
1: S/60.24
662En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R041C6

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R041C6

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 77.5A TO247-3 CoolMOS C6

Obtenga más información

Hoja de datos

662En existencias

S/60.24

S/44.98

S/38.92

S/36.81

S/34.40

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 39A TO247-3 CoolMOS CP

IPW60R075CP
Infineon Technologies
1: S/43.04
271En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R075CP

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R075CP

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 39A TO247-3 CoolMOS CP

Obtenga más información

Hoja de datos

271En existencias

S/43.04

S/33.67

S/28.08

S/24.98

S/23.35

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 17A TO220FP-3 CoolMOS C3

SPA17N80C3
Infineon Technologies
1: S/21.03
2,289En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPA17N80C3

N.º de artículo de Mouser
726-SPA17N80C3

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 17A TO220FP-3 CoolMOS C3

Hoja de datos

2,289En existencias

S/21.03

S/13.93

S/11.31

S/9.55

S/8.73

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

SPD08N50C3ATMA1
Infineon Technologies
1: S/11.27
3,468En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPD08N50C3ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-SPD08N50C3ATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

Obtenga más información

Hoja de datos

3,468En existencias

Cinta cortada

S/11.27

S/7.27

S/4.95

S/3.96

S/3.69

Envase tipo carrete

S/3.50

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 11A TO220-3 CoolMOS C3

SPP11N80C3XKSA1
Infineon Technologies
1: S/15.05
2,040En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPP11N80C3XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-SPP11N80C3XKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 11A TO220-3 CoolMOS C3

Obtenga más información

Hoja de datos

2,040En existencias

S/15.05

S/7.61

S/6.88

S/5.81

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD70R360P7SAUMA1
Infineon Technologies
1: S/5.81
85,736En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD70R360P7SAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD70R360P7AUMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

Obtenga más información

Hoja de datos

85,736En existencias

Cinta cortada

S/5.81

S/3.65

S/2.41

S/1.88

S/1.71

Envase tipo carrete

S/1.44

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP60R080P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/20.38
14,435En existencias
4,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R080P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R080P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

14,435En existencias

4,000En pedido

S/20.38

S/10.58

S/9.63

S/8.77

S/8.73

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPT65R040CFD7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/39.73
3,978En existencias
3,998En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPT65R040CFD7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT65R040CFD7XTM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

3,978En existencias

3,998En pedido

Cinta cortada

S/39.73

S/27.22

S/21.24

S/21.03

S/20.64

Envase tipo carrete

S/19.65

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R017C7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/76.93
1,552En existencias
950En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R017C7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R017C7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

1,552En existencias

950En pedido

S/76.93

S/50.05

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPD60R180CM8XTMA1
Infineon Technologies
1: S/9.63
1,755En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R180CM8XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R180CM8XTMA

Nuevo en Mouser

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

1,755En existencias

Más información disponible

Cinta cortada

S/9.63

S/6.06

S/4.34

S/3.66

S/3.50

Envase tipo carrete

S/3.21

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPDQ65R040CFD7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/42.44
76En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPDQ65R040CFD7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPDQ65R040CFD7XT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

76En existencias

Cinta cortada

S/42.44

S/29.93

S/24.94

S/22.23

Envase tipo carrete

S/20.77

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP60R180CM8XKSA1
Infineon Technologies
1: S/10.84
346En existencias
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R180CM8XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R180CM8XKSA

Nuevo en Mouser

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

Obtenga más información

Hoja de datos

346En existencias

Más información disponible

S/10.84

S/5.33

S/4.82

S/3.85

S/3.70

Min.: 1
Mult.: 1

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

Semiconductores

Soluciones incluidas