CoolMOS – Mouser Perú

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS

IPA65R095C7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/31.18
474En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPA65R095C7XKSA1

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726-IPA65R095C7XKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS

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474En existencias

S/31.18

S/20.43

S/15.01

S/13.37

S/11.87

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPA60R180P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/13.63
862En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R180P7XKSA1

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726-IPA60R180P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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862En existencias

S/13.63

S/8.73

S/5.93

S/4.95

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPA95R450P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/13.37
921En existencias

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IPA95R450P7XKSA1

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726-IPA95R450P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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S/13.37

S/6.71

S/6.06

S/5.85

S/4.95

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPAN70R360P7SXKSA1
Infineon Technologies
1: S/7.18
1,699En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPAN70R360P7SXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPAN70R360P7SXKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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S/7.18

S/3.44

S/3.07

S/2.30

S/2.08

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD95R1K2P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/8.04
2,100En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD95R1K2P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD95R1K2P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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S/8.04

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S/3.43

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Envase tipo carrete

S/2.30

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Módulos MOSFET 45 Amps 800V

IXKN45N80C
IXYS
1: S/255.85
7En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXKN45N80C

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747-IXKN45N80C

IXYS

Módulos MOSFET 45 Amps 800V

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7En existencias

S/255.85

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 21A TO220-3 CoolMOS CP

IPP60R165CPXKSA1
Infineon Technologies
1: S/13.63
532En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R165CPXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R165CPXKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 21A TO220-3 CoolMOS CP

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532En existencias

S/13.63

S/9.37

S/8.99

S/8.30

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 5.7A DPAK-2

IPD80R1K0CEATMA1
Infineon Technologies
1: S/8.64
2,101En existencias
NRND

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IPD80R1K0CEATMA1

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726-IPD80R1K0CEATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 5.7A DPAK-2

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Cinta cortada

S/8.64

S/5.55

S/2.61

Envase tipo carrete

S/2.61

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPN60R1K5CEATMA1
Infineon Technologies
1: S/3.27
7,837En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPN60R1K5CEATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN60R1K5CEATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Cinta cortada

S/3.27

S/2.04

S/1.32

S/1.00

Envase tipo carrete

S/0.688

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MouseReel Disponible

Min.: 1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD60R1K0CEAUMA1
Infineon Technologies
1: S/4.04
Plazo de entrega 15 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R1K0CEAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R1K0CEAUMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Plazo de entrega 15 Semanas

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S/4.04

S/2.52

S/1.64

S/1.26

S/1.14

Envase tipo carrete

S/0.907

MouseReel Disponible

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPU95R3K7P7AKMA1
Infineon Technologies
1: S/5.72
2,153En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPU95R3K7P7AKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPU95R3K7P7AKMA1

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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2,153En existencias

S/5.72

S/2.50

S/2.23

S/2.03

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

SPD04N80C3ATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.74
1,362En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPD04N80C3ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-SPD04N80C3ATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

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S/7.74

S/5.89

S/4.08

S/3.16

S/3.01

Envase tipo carrete

S/2.81

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 23.8A TO220-3 CoolMOS C6

IPP60R160C6
Infineon Technologies
1: S/19.44
488En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R160C6

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R160C6

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 23.8A TO220-3 CoolMOS C6

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488En existencias

S/19.44

S/12.69

S/9.93

S/8.30

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 14 Amps 600V 0.19 Rds

IXKC20N60C
IXYS
1: S/59.81
19En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXKC20N60C

N.º de artículo de Mouser
747-IXKC20N60C

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 14 Amps 600V 0.19 Rds

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19En existencias

S/59.81

S/44.68

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Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 15A TO220FP-3 CoolMOS C3

SPA15N60C3
Infineon Technologies
1: S/11.74
569En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPA15N60C3

N.º de artículo de Mouser
726-SPA15N60C3

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 15A TO220FP-3 CoolMOS C3

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569En existencias

S/11.74

S/7.35

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V CoolMOS CFD7 SJ Power Device

IPQC65R017CFD7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/80.80
525En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPQC65R017CFD7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPQC65R017CFD7XT

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V CoolMOS CFD7 SJ Power Device

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525En existencias

Cinta cortada

S/80.80

S/65.79

S/54.83

S/48.85

Envase tipo carrete

S/45.67

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V CoolMOS CFD7 SJ Power Device

IPQC65R040CFD7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/42.66
525En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPQC65R040CFD7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPQC65R040CFD7XT

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V CoolMOS CFD7 SJ Power Device

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Cinta cortada

S/42.66

S/30.10

S/25.07

S/22.36

Envase tipo carrete

S/20.90

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS

IPA65R065C7
Infineon Technologies
1: S/31.43
243En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA65R065C7

N.º de artículo de Mouser
726-IPA65R065C7

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS

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243En existencias

S/31.43

S/25.16

S/20.34

S/18.06

S/16.00

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_PRICE/PERFORM

IPB60R280P6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/12.00
860En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R280P6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R280P6ATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_PRICE/PERFORM

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860En existencias

Cinta cortada

S/12.00

S/7.78

S/5.33

S/4.39

Envase tipo carrete

S/4.07

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

Módulos MOSFET EasyPACK 1B module with CoolMOS CFD7A Automotive MOSFET and PressFIT / NTC

F899MR07W1D7B11ABPSA1
Infineon Technologies
1: S/185.03
48En existencias
48En pedido
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
F899MR07W1D7B11ABPSA1

N.º de artículo de Mouser
726-F899MR07W1D7B11A

Nuevo producto

Infineon Technologies

Módulos MOSFET EasyPACK 1B module with CoolMOS CFD7A Automotive MOSFET and PressFIT / NTC

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48En existencias

48En pedido

S/185.03

S/137.99

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V CoolMOS CM8 Power Transistor

IPT60R099CM8XTMA1
Infineon Technologies
1: S/18.02
1,472En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPT60R099CM8XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT60R099CM8XTMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V CoolMOS CM8 Power Transistor

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1,472En existencias

Cinta cortada

S/18.02

S/11.87

S/8.34

S/7.18

S/6.71

Envase tipo carrete

S/6.71

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V CoolMOS CM8 Power Transistor

IPZA65R040CM8XKSA1
Infineon Technologies
1: S/37.88
566En existencias
480En pedido
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPZA65R040CM8XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPZA65R040CM8XKS

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V CoolMOS CM8 Power Transistor

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Hoja de datos

566En existencias

480En pedido

S/37.88

S/22.27

S/19.95

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V CoolMOS CM8 Power Transistor

IPDQ60R024CM8XTMA1
Infineon Technologies
1: S/46.83
649En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPDQ60R024CM8XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPDQ60R024CM8XTM

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V CoolMOS CM8 Power Transistor

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Hoja de datos

649En existencias

Cinta cortada

S/46.83

S/35.48

S/29.58

S/26.36

Envase tipo carrete

S/24.64

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V CoolMOS CM8 Power Transistor

IPDQ60R070CM8XTMA1
Infineon Technologies
1: S/24.73
715En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPDQ60R070CM8XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPDQ60R070CM8XTM

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V CoolMOS CM8 Power Transistor

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Hoja de datos

715En existencias

Cinta cortada

S/24.73

S/16.17

S/11.91

S/10.58

Envase tipo carrete

S/9.42

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CoolMOS S7TA with embedded temperature sensor

IPDQ60T010S7AXTMA1
Infineon Technologies
1: S/106.77
642En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPDQ60T010S7AXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPDQ60T010S7AXTM

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CoolMOS S7TA with embedded temperature sensor

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Hoja de datos

642En existencias

Cinta cortada

S/106.77

S/85.48

S/73.92

Envase tipo carrete

S/73.92

Min.: 1
Mult.: 1

: 750

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