CoolMOS – Mouser Perú

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 13A TO247-3 CoolMOS CP

IPW50R250CP
Infineon Technologies
1: S/15.78
167En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW50R250CP

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726-IPW50R250CP

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 13A TO247-3 CoolMOS CP

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S/15.78

S/10.32

S/8.08

S/6.71

S/5.85

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPS70R1K4P7SAKMA1
Infineon Technologies
1: S/3.74
29,212En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPS70R1K4P7SAKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPS70R1K4P7AKMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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29,212En existencias

S/3.74

S/2.82

S/1.93

S/1.51

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600 V CoolMOS 8 Power Transistor

IPLT60R024CM8XTMA1
Infineon Technologies
1: S/42.66
700En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
IPLT60R024CM8XTMA1

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726-IPLT60R024CM8XTM

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600 V CoolMOS 8 Power Transistor

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S/42.66

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S/25.84

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S/21.50

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600 V CoolMOS 8 Power Transistor

IPLT60R037CM8XTMA1
Infineon Technologies
1: S/30.27
700En existencias
Nuevo producto

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IPLT60R037CM8XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPLT60R037CM8XTM

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600 V CoolMOS 8 Power Transistor

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S/30.27

S/24.25

S/19.61

S/17.42

S/15.39

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S/15.39

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD50R950CEAUMA1
Infineon Technologies
1: S/3.78
4,702En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD50R950CEAUMA1

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726-IPD50R950CEAUMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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S/3.78

S/2.36

S/1.53

S/1.17

S/1.06

Envase tipo carrete

S/0.83

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPBE65R075CFD7AATMA1
Infineon Technologies
1: S/34.40
815En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPBE65R075CFD7AATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPBE65R075CFD7AA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

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S/34.40

S/22.88

S/18.49

S/16.43

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S/14.58

MouseReel Disponible

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD60R600P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.62
2,510En existencias
2,500En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R600P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R600P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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S/6.62

S/4.17

S/2.77

S/2.17

S/1.98

Envase tipo carrete

S/1.69

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: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPT60R040S7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/31.78
1,485En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT60R040S7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT60R040S7XTMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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S/31.78

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S/16.25

S/16.21

S/15.65

Envase tipo carrete

S/15.18

MouseReel Disponible

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 20.2A D2PAK-2 CoolMOS C6

IPB60R190C6
Infineon Technologies
1: S/16.60
898En existencias
NRND

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IPB60R190C6

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R190C6

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 20.2A D2PAK-2 CoolMOS C6

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S/16.60

S/10.84

S/8.30

S/7.14

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

SPD03N60C3ATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.87
2,125En existencias
NRND

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SPD03N60C3ATMA1

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726-SPD03N60C3ATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

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S/7.87

S/3.48

S/2.64

S/2.32

S/2.28

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S/2.28

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 20.7A TO220-3

SPP20N65C3XKSA1
Infineon Technologies
1: S/20.51
420En existencias
NRND

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SPP20N65C3XKSA1

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726-SPP20N65C3XKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 20.7A TO220-3

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S/20.51

S/10.66

S/9.72

S/8.82

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP60R065S7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/26.96
406En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R065S7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R065S7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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S/17.67

S/13.03

S/11.52

S/10.23

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPA60R099C7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/28.55
395En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R099C7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R099C7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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S/28.55

S/18.71

S/13.76

S/12.26

S/10.88

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPA60R170CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/13.16
1,000En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R170CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R170CFD7XKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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S/13.16

S/6.58

S/5.93

S/4.82

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPBE65R115CFD7AATMA1
Infineon Technologies
1: S/22.83
571En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPBE65R115CFD7AATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPBE65R115CFD7AA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

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571En existencias

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S/22.83

S/15.18

S/10.88

S/10.45

Envase tipo carrete

S/9.76

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPBE65R190CFD7AATMA1
Infineon Technologies
1: S/19.65
860En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPBE65R190CFD7AATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPBE65R190CFD7A1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

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S/19.65

S/12.81

S/10.02

S/8.39

Envase tipo carrete

S/7.78

S/7.31

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R185CFD7AUMA1
Infineon Technologies
1: S/15.09
3,364En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R185CFD7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R185CFD7AUM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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S/15.09

S/9.76

S/7.18

S/6.02

S/5.59

Envase tipo carrete

S/5.25

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPB65R190CFD7AATMA1
Infineon Technologies
1: S/16.51
839En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB65R190CFD7AATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-B65R190CFD7AATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

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839En existencias

Cinta cortada

S/16.51

S/10.84

S/7.61

S/6.75

Envase tipo carrete

S/6.32

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPA60R060C7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/32.47
224En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R060C7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R060C7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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224En existencias

S/32.47

S/25.97

S/21.03

S/18.66

S/16.56

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS

IPA65R045C7
Infineon Technologies
1: S/47.60
180En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA65R045C7

N.º de artículo de Mouser
726-IPA65R045C7

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS

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Hoja de datos

180En existencias

S/47.60

S/34.66

S/28.85

S/25.67

S/24.04

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD60R650CEAUMA1
Infineon Technologies
1: S/4.17
2,578En existencias
2,500En pedido
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R650CEAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R650CEAUMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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2,578En existencias

2,500En pedido

Cinta cortada

S/4.17

S/3.26

S/2.18

S/1.69

S/1.54

Envase tipo carrete

S/1.31

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS

IPL65R195C7AUMA1
Infineon Technologies
1: S/16.17
2,875En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPL65R195C7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL65R195C7AUMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS

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2,875En existencias

Cinta cortada

S/16.17

S/10.49

S/8.04

S/6.71

S/6.24

Envase tipo carrete

S/5.85

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPN70R450P7SATMA1
Infineon Technologies
1: S/5.25
3,967En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPN70R450P7SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN70R450P7SATM1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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3,967En existencias

Cinta cortada

S/5.25

S/2.07

S/1.53

S/1.30

Envase tipo carrete

S/1.30

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 700V 75A TO247-4

IPZ65R019C7
Infineon Technologies
1: S/100.79
93En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPZ65R019C7

N.º de artículo de Mouser
726-IPZ65R019C7

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 700V 75A TO247-4

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Hoja de datos

93En existencias

S/100.79

S/75.25

S/65.06

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPZ65R065C7
Infineon Technologies
1: S/41.58
221En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPZ65R065C7

N.º de artículo de Mouser
726-IPZ65R065C7

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

221En existencias

S/41.58

S/29.33

S/24.42

S/21.80

S/20.38

Min.: 1
Mult.: 1

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