CoolMOS – Mouser Perú

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPQC60R040S7AXTMA1
Infineon Technologies
750: S/19.05
Plazo de entrega no en existencias 17 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPQC60R040S7AXTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPQC60R040S7AXTM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 17 Semanas

Envase tipo carrete

S/19.05

Min.: 750
Mult.: 750

: 750

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPQC60T022S7XTMA1
Infineon Technologies
750: S/30.70
Plazo de entrega no en existencias 17 Semanas
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPQC60T022S7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPQC60T022S7XTMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 17 Semanas

Envase tipo carrete

S/30.70

Min.: 750
Mult.: 750

: 750

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPT65R099CFD7XTMA1
Infineon Technologies
2,000: S/9.29
Plazo de entrega no en existencias 17 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPT65R099CFD7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT65R099CFD7XTM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 17 Semanas

Envase tipo carrete

S/9.29

Min.: 2,000
Mult.: 2,000

: 2,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPT65R155CFD7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/17.46
Plazo de entrega 17 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPT65R155CFD7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT65R155CFD7XTM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

Plazo de entrega 17 Semanas

Cinta cortada

S/17.46

S/11.40

S/8.90

S/7.44

S/6.92

Envase tipo carrete

S/6.49

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPT65R190CFD7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/16.00
Plazo de entrega 18 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPT65R190CFD7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT65R190CFD7XTM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

Plazo de entrega 18 Semanas

Cinta cortada

S/16.00

S/10.41

S/7.96

S/6.67

S/6.19

Envase tipo carrete

S/5.81

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPU80R600P7AKMA1
Infineon Technologies
1: S/10.45
Plazo de entrega no en existencias 19 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPU80R600P7AKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPU80R600P7AKMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 19 Semanas

S/10.45

S/6.62

S/4.39

S/3.62

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 13A TO247-3 CoolMOS CP

IPW50R250CPFKSA1
Infineon Technologies
1: S/15.48
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPW50R250CPFKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW50R250CPFKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 13A TO247-3 CoolMOS CP

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas

S/15.48

S/10.84

S/6.19

S/6.15

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPW65R115CFD7AXKSA1
Infineon Technologies
1: S/30.62
Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPW65R115CFD7AXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R115CFD7AXK

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 20 Semanas

S/30.62

S/20.04

S/14.75

S/13.12

S/11.65

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPW65R190CFD7AXKSA1
Infineon Technologies
1: S/21.84
Plazo de entrega 20 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPW65R190CFD7AXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R190CFD7AX1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

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Hoja de datos

Plazo de entrega 20 Semanas

S/21.84

S/14.23

S/11.14

S/9.33

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY

IPW65R190CFDFKSA2
Infineon Technologies
1: S/17.76
Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPW65R190CFDFKSA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R190CFDFKSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 22 Semanas

S/17.76

S/9.80

S/8.17

S/7.27

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPW80R290C3AXKSA1
Infineon Technologies
1: S/29.97
Plazo de entrega no en existencias 17 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPW80R290C3AXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW80R290C3AXKSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 17 Semanas

S/29.97

S/17.24

S/14.62

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPWS65R075CFD7AXKSA1
Infineon Technologies
240: S/21.50
Plazo de entrega no en existencias 21 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPWS65R075CFD7AXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPWS65R075CFD7AX

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 21 Semanas

S/21.50

S/19.09

S/16.94

Min.: 240
Mult.: 240

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 700V 46A TO247-4

IPZ65R045C7
Infineon Technologies
1: S/53.28
Plazo de entrega 52 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPZ65R045C7

N.º de artículo de Mouser
726-IPZ65R045C7

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 700V 46A TO247-4

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Hoja de datos

Plazo de entrega 52 Semanas

S/53.28

S/41.71

S/34.74

S/30.92

S/28.94

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 700V 46A TO247-4

IPZ65R045C7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/53.23
Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPZ65R045C7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPZ65R045C7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 700V 46A TO247-4

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Plazo de entrega no en existencias 52 Semanas

S/53.23

S/41.67

S/34.70

S/30.92

S/28.94

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 6A DPAK-2

SP000928260
Infineon Technologies
2,500: S/2.94
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
SP000928260

N.º de artículo de Mouser
726-SP000928260

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 6A DPAK-2

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

Envase tipo carrete

S/2.94

Min.: 2,500
Mult.: 2,500

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 8.7A DPAK-2

SP000928262
Infineon Technologies
2,500: S/3.83
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
SP000928262

N.º de artículo de Mouser
726-SP000928262

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 8.7A DPAK-2

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

Envase tipo carrete

S/3.83

Min.: 2,500
Mult.: 2,500

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CoolMOS Power MOSFET w/ HiPerDyn FRED

FDM47-06KC5
IXYS
1: S/141.51
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
FDM47-06KC5

N.º de artículo de Mouser
747-FDM47-06KC5

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CoolMOS Power MOSFET w/ HiPerDyn FRED

Hoja de datos

No en existencias

S/141.51

S/120.70

S/105.57

Presupuesto

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20 Amps 600V

IXKP20N60C5M
IXYS
50: S/15.39
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXKP20N60C5M

N.º de artículo de Mouser
747-IXKP20N60C5M

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 20 Amps 600V

Hoja de datos

No en existencias

S/15.39

S/12.43

S/11.01

S/9.46

Presupuesto

Min.: 50
Mult.: 50

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 24 Amps 600V

IXKP24N60C5
IXYS
300: S/22.27
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXKP24N60C5

N.º de artículo de Mouser
747-IXKP24N60C5

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 24 Amps 600V

Hoja de datos

No en existencias

S/22.27

S/19.87

S/17.67

Min.: 300
Mult.: 50

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 24 Amps 600V

IXKP24N60C5M
IXYS
50: S/19.05
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXKP24N60C5M

N.º de artículo de Mouser
747-IXKP24N60C5M

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 24 Amps 600V

Hoja de datos

No en existencias

S/19.05

S/15.39

S/13.67

S/11.70

Min.: 50
Mult.: 50

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 30A TO220FP-3 CoolMOS C6

IPA60R125C6XKSA1
Infineon Technologies
1: S/21.72
Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R125C6XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R125C6XKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 30A TO220FP-3 CoolMOS C6

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 14 Semanas

S/21.72

S/11.70

S/10.66

S/9.89

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 25A TO220FP-3 CoolMOS CP

IPA60R125CP
Infineon Technologies
500: S/12.47
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R125CP

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R125CP

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 25A TO220FP-3 CoolMOS CP

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

S/12.47

S/11.35

Min.: 500
Mult.: 500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 25A TO220FP-3 CoolMOS CP

IPA60R125CPXKSA1
Infineon Technologies
500: S/11.35
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R125CPXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R125CPXKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 25A TO220FP-3 CoolMOS CP

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

S/11.35

Min.: 500
Mult.: 500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 11A TO220FP-3 CoolMOS CP

IPA60R299CPXK
Infineon Technologies
1: S/13.67
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R299CPXK

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R299CPXK

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 11A TO220FP-3 CoolMOS CP

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

S/13.67

S/8.90

S/6.84

S/5.33

S/4.95

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 11A TO220FP-3 CoolMOS CP

IPA60R299CPXKSA1
Infineon Technologies
1: S/13.67
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R299CPXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R299CPXKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 11A TO220FP-3 CoolMOS CP

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

S/13.67

S/8.90

S/6.84

S/4.95

Min.: 1
Mult.: 1

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