CoolMOS – Mouser Perú

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 700V 38A TO247-3

IPW65R099C6FKSA1
Infineon Technologies
240: S/15.44
Plazo de entrega no en existencias 11 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPW65R099C6FKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R099C6FKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 700V 38A TO247-3

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 11 Semanas

S/15.44

Min.: 240
Mult.: 240

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPW80R360P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/16.08
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPW80R360P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW80R360P7XKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas

S/16.08

S/10.49

S/8.00

S/6.71

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3

SPA11N65C3
Infineon Technologies
1: S/12.90
Plazo de entrega 11 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPA11N65C3

N.º de artículo de Mouser
726-SPA11N65C3

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3

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Hoja de datos

Plazo de entrega 11 Semanas

S/12.90

S/6.45

S/5.81

S/4.69

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 560V 21A I2PAK-3

SPI21N50C3XKSA1
Infineon Technologies
1: S/17.89
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPI21N50C3XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-SPI21N50C3XKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 560V 21A I2PAK-3

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas

S/17.89

S/9.20

S/8.34

S/7.35

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

IPA60R125P6
Infineon Technologies
1: S/19.48
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R125P6

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R125P6

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

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Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas

S/19.48

S/12.73

S/9.98

S/8.30

S/7.31

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY

IPA65R110CFDXKSA2
Infineon Technologies
1: S/24.85
Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPA65R110CFDXKSA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPA65R110CFDXKSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 26 Semanas

S/24.85

S/13.46

S/12.30

S/11.74

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPAN80R360P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/13.76
Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPAN80R360P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPAN80R360P7XKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 13 Semanas

S/13.76

S/8.90

S/6.32

S/5.29

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V CoolMOS C7 Power Trans; 225mOhm

IPP65R225C7
Infineon Technologies
500: S/5.42
Plazo de entrega no en existencias 15 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPP65R225C7

N.º de artículo de Mouser
726-IPB65R225C7

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V CoolMOS C7 Power Trans; 225mOhm

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 15 Semanas

S/5.42

S/5.03

S/4.73

Min.: 500
Mult.: 500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) COOL MOS

IPD65R420CFDAATMA1
Infineon Technologies
1: S/12.00
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
IPD65R420CFDAATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD65R420CFDAATM

Nuevo en Mouser

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) COOL MOS

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

Cinta cortada

S/12.00

S/7.74

S/5.33

S/4.28

S/4.02

Envase tipo carrete

S/3.83

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

IPD65R420CFDATMA2
Infineon Technologies
2,500: S/3.32
Plazo de entrega no en existencias 19 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPD65R420CFDATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPD65R420CFDATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 19 Semanas

Envase tipo carrete

S/3.32

Min.: 2,500
Mult.: 2,500

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

IPD65R660CFDATMA2
Infineon Technologies
1: S/8.51
Plazo de entrega no en existencias 21 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPD65R660CFDATMA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPD65R660CFDATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 21 Semanas

Cinta cortada

S/8.51

S/5.46

S/3.67

S/2.91

S/2.68

Envase tipo carrete

S/2.55

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPDQ65R099CFD7XTMA1
Infineon Technologies
750: S/10.49
Plazo de entrega no en existencias 19 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPDQ65R099CFD7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPDQ65R099CFD7XT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Plazo de entrega no en existencias 19 Semanas

Envase tipo carrete

S/10.49

Min.: 750
Mult.: 750

: 750

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R125C7AUMA1
Infineon Technologies
3,000: S/8.64
Plazo de entrega no en existencias 39 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R125C7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R125C7AUMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 39 Semanas

Envase tipo carrete

S/8.64

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

IPL60R180P6
Infineon Technologies
3,000: S/6.28
Plazo de entrega no en existencias 39 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R180P6

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R180P6

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 39 Semanas

Envase tipo carrete

S/6.28

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER PRICE/PERFORM

IPL60R210P6AUMA1
Infineon Technologies
3,000: S/5.25
Plazo de entrega no en existencias 39 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R210P6AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R210P6AUMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER PRICE/PERFORM

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 39 Semanas

Envase tipo carrete

S/5.25

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS

IPL65R070C7
Infineon Technologies
1: S/33.54
Plazo de entrega no en existencias 39 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPL65R070C7

N.º de artículo de Mouser
726-IPL65R070C7

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 39 Semanas

Cinta cortada

S/33.54

S/26.83

S/21.72

S/19.31

S/17.11

Envase tipo carrete

S/17.11

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS

IPL65R070C7AUMA1
Infineon Technologies
3,000: S/17.11
Plazo de entrega no en existencias 39 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPL65R070C7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL65R070C7AUMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 39 Semanas

Envase tipo carrete

S/17.11

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS

IPL65R099C7
Infineon Technologies
3,000: S/11.74
Plazo de entrega no en existencias 39 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPL65R099C7

N.º de artículo de Mouser
726-IPL65R099C7

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 39 Semanas

Envase tipo carrete

S/11.74

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS

IPL65R099C7AUMA1
Infineon Technologies
3,000: S/11.74
Plazo de entrega no en existencias 39 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPL65R099C7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL65R099C7AUMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 39 Semanas

Envase tipo carrete

S/11.74

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V CoolMOS C7 Power Trans; 130mOhm

IPL65R130C7
Infineon Technologies
3,000: S/9.16
Plazo de entrega no en existencias 39 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPL65R130C7

N.º de artículo de Mouser
726-IPL65R130C7

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 650V CoolMOS C7 Power Trans; 130mOhm

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 39 Semanas

Envase tipo carrete

S/9.16

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS

IPL65R195C7
Infineon Technologies
3,000: S/5.85
Plazo de entrega no en existencias 39 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPL65R195C7

N.º de artículo de Mouser
726-IPL65R195C7

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER BEST IN CLASS

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 39 Semanas

Envase tipo carrete

S/5.85

Min.: 3,000
Mult.: 3,000

: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPP65R050CFD7AAKSA1
Infineon Technologies
500: S/20.77
Plazo de entrega no en existencias 19 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPP65R050CFD7AAKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP65R050CFD7AAK

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

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Plazo de entrega no en existencias 19 Semanas

S/20.77

S/18.40

Min.: 500
Mult.: 500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP65R065C7XKSA1
Infineon Technologies
500: S/18.02
Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPP65R065C7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP65R065C7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Plazo de entrega no en existencias 18 Semanas

S/18.02

S/15.95

Min.: 500
Mult.: 500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY

IPP65R110CFDXKSA2
Infineon Technologies
1: S/24.81
Plazo de entrega no en existencias 21 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPP65R110CFDXKSA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPP65R110CFDXKSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 21 Semanas

S/24.81

S/13.46

S/12.30

S/11.74

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY

IPP65R190CFDXKSA2
Infineon Technologies
1: S/15.27
Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPP65R190CFDXKSA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPP65R190CFDXKSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY

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Plazo de entrega no en existencias 16 Semanas

S/15.27

S/7.74

S/7.01

S/5.93

Min.: 1
Mult.: 1

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