CoolMOS – Mouser Perú

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

IPW60R125P6
Infineon Technologies
1: S/22.06
Plazo de entrega 8 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R125P6

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R125P6

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

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Hoja de datos

Plazo de entrega 8 Semanas

S/22.06

S/14.66

S/11.65

S/10.32

S/9.16

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY

IPW60R190P6FKSA1
Infineon Technologies
240: S/7.31
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R190P6FKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R190P6FKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas

S/7.31

S/6.41

Min.: 240
Mult.: 240

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_PRICE/PERFORM

IPZ60R099P6FKSA1
Infineon Technologies
1: S/27.61
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPZ60R099P6FKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPZ60R099P6FKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_PRICE/PERFORM

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas

S/27.61

S/16.00

S/13.37

S/13.33

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 10.6A TO220FP-3 CoolMOS E6

IPA60R380E6
Infineon Technologies
1: S/10.45
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R380E6

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R380E6

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 10.6A TO220FP-3 CoolMOS E6

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas

S/10.45

S/5.12

S/4.60

S/3.68

S/3.51

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 700V 20.2A TO220FP-3 CoolMOS E6

IPA65R190E6
Infineon Technologies
1: S/18.71
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPA65R190E6

N.º de artículo de Mouser
726-IPA65R190E6

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 700V 20.2A TO220FP-3 CoolMOS E6

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas

S/18.71

S/13.42

S/10.23

S/6.45

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 700V 13.8A TO220FP-3 CoolMOS C6

IPA65R280C6XKSA1
Infineon Technologies
1: S/14.02
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPA65R280C6XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA65R280C6XKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 700V 13.8A TO220FP-3 CoolMOS C6

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas

S/14.02

S/9.07

S/6.67

S/4.86

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V TO-220FP-3

IPA65R650CEXKSA1
Infineon Technologies
1: S/6.97
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPA65R650CEXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA65R650CEXKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V TO-220FP-3

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas

S/6.97

S/3.32

S/2.96

S/2.33

S/2.01

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 25mA D2PAK-2 CoolMOS CP

IPB60R125CP
Infineon Technologies
1,000: S/11.35
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R125CP

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R125CP

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 25mA D2PAK-2 CoolMOS CP

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas

Envase tipo carrete

S/11.35

Min.: 1,000
Mult.: 1,000

: 1,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 25mA D2PAK-2 CoolMOS CP

IPB60R125CPATMA1
Infineon Technologies
1: S/26.70
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R125CPATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R125CPATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 25mA D2PAK-2 CoolMOS CP

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas

Cinta cortada

S/26.70

S/17.89

S/12.90

S/12.17

Envase tipo carrete

S/11.35

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 23.8A D2PAK-2 CoolMOS C6

IPB60R160C6
Infineon Technologies
1: S/18.62
Plazo de entrega 8 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R160C6

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R160C6

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 23.8A D2PAK-2 CoolMOS C6

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Hoja de datos

Plazo de entrega 8 Semanas

Cinta cortada

S/18.62

S/12.26

S/9.16

S/8.17

Envase tipo carrete

S/7.22

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 23.8A D2PAK-2 CoolMOS C6

IPB60R160C6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/19.05
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R160C6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R160C6ATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 23.8A D2PAK-2 CoolMOS C6

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas

Cinta cortada

S/19.05

S/12.56

S/8.86

S/7.74

Envase tipo carrete

S/7.22

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 700V 3.2A DPAK-2

IPD65R1K4C6
Infineon Technologies
2,500: S/1.54
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD65R1K4C6

N.º de artículo de Mouser
726-IPD65R1K4C6

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 700V 3.2A DPAK-2

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Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas

Envase tipo carrete

S/1.54

Min.: 2,500
Mult.: 2,500

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 700V 3.2A DPAK-2

IPD65R1K4C6ATMA1
Infineon Technologies
2,500: S/1.54
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD65R1K4C6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD65R1K4C6ATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 700V 3.2A DPAK-2

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas

Envase tipo carrete

S/1.54

Min.: 2,500
Mult.: 2,500

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 25A I2PAK-3 CoolMOS CP

IPI60R125CP
Infineon Technologies
500: S/11.35
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPI60R125CP

N.º de artículo de Mouser
726-IPI60R125CP

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 25A I2PAK-3 CoolMOS CP

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas

S/11.35

Min.: 500
Mult.: 500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 21A I2PAK-3

IPI60R165CPXKSA1
Infineon Technologies
500: S/8.30
Plazo de entrega no en existencias 11 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPI60R165CPXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPI60R165CPXKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 21A I2PAK-3

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 11 Semanas

S/8.30

Min.: 500
Mult.: 500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 11A TO220-3 CoolMOS CP

IPP60R299CPXKSA1
Infineon Technologies
1: S/13.37
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R299CPXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R299CPXKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 11A TO220-3 CoolMOS CP

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas

S/13.37

S/6.71

S/6.06

S/4.95

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 9A TO220-3 CoolMOS CP

IPP60R385CP
Infineon Technologies
1: S/12.34
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R385CP

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R385CP

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 9A TO220-3 CoolMOS CP

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas

S/12.34

S/7.96

S/5.68

S/4.21

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 9A TO220-3 CoolMOS CP

IPP60R385CPXK
Infineon Technologies
500: S/4.52
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R385CPXK

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R385CPXK

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 9A TO220-3 CoolMOS CP

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas

S/4.52

S/4.12

Min.: 500
Mult.: 500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP65R125C7
Infineon Technologies
1: S/23.18
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPP65R125C7

N.º de artículo de Mouser
726-IPP65R125C7

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas

S/23.18

S/15.09

S/11.83

S/9.89

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 700V 20.2A TO220-3

IPP65R190C6
Infineon Technologies
500: S/7.10
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPP65R190C6

N.º de artículo de Mouser
726-IPP65R190C6

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 700V 20.2A TO220-3

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas

S/7.10

S/6.49

Min.: 500
Mult.: 500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 700V 20.2A TO220-3

IPP65R190C6XKSA1
Infineon Technologies
1: S/23.91
Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPP65R190C6XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP65R190C6XKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 700V 20.2A TO220-3

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 10 Semanas

S/23.91

S/17.33

S/14.36

S/6.45

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 39A TO247-3 CoolMOS CP

IPW60R075CPFKSA1
Infineon Technologies
240: S/23.35
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R075CPFKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R075CPFKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 39A TO247-3 CoolMOS CP

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas

S/23.35

Min.: 240
Mult.: 240

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 38A TO247-3 CoolMOS C6

IPW60R099C6FKSA1
Infineon Technologies
1: S/28.38
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R099C6FKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R099C6FKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 38A TO247-3 CoolMOS C6

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas

S/28.38

S/17.29

S/14.62

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R170CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/18.28
Plazo de entrega 8 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R170CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R170CFD7XKS

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

Plazo de entrega 8 Semanas

S/18.28

S/11.91

S/9.33

S/7.83

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 16A TO247-3 CoolMOS CP

IPW60R199CPFKSA1
Infineon Technologies
1: S/21.33
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R199CPFKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R199CPFKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 16A TO247-3 CoolMOS CP

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas

S/21.33

S/14.15

S/8.86

Min.: 1
Mult.: 1

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