CoolMOS – Mouser Perú

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 21A TO247-3 CoolMOS CP

IPW60R165CP
Infineon Technologies
1: S/22.06
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R165CP

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R165CP

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 21A TO247-3 CoolMOS CP

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S/22.06

S/12.77

S/10.58

S/10.06

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Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3

SPA11N80C3XKSA1
Infineon Technologies
1: S/13.59
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPA11N80C3XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-SPA11N80C3XKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3

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S/13.59

S/6.79

S/6.15

S/5.03

Min.: 1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 4A TO220-3 CoolMOS C3

SPP04N80C3
Infineon Technologies
1: S/9.59
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPP04N80C3

N.º de artículo de Mouser
726-SPP04N80C3

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 4A TO220-3 CoolMOS C3

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S/9.59

S/6.15

S/4.24

S/3.59

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Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 34.6A TO247-3 CoolMOS C3

SPW35N60C3FKSA1
Infineon Technologies
1: S/40.85
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPW35N60C3FKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-SPW35N60C3FKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 34.6A TO247-3 CoolMOS C3

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S/40.85

S/24.17

S/22.02

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY

IPA65R190CFDXKSA2
Infineon Technologies
1: S/15.27
500En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPA65R190CFDXKSA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPA65R190CFDXKSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY

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500En pedido

S/15.27

S/7.74

S/7.01

S/5.93

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 11A TO220-3

IPP65R225C7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/14.06

N.º de artículo del Fabricante
IPP65R225C7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP65R225C7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 11A TO220-3

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S/14.06

S/9.07

S/6.45

S/5.42

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Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPP80R1K4P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/8.73

N.º de artículo del Fabricante
IPP80R1K4P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP80R1K4P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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S/8.73

S/5.50

S/3.60

S/2.86

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V CoolMOS CM8 Power Transistor

IPW60R070CM8XKSA1
Infineon Technologies
1: S/22.02
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R070CM8XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R070CM8XKSA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 600V CoolMOS CM8 Power Transistor

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S/22.02

S/13.29

S/10.84

S/10.71

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 46A TO247-3 CoolMOS C7

IPW65R045C7
Infineon Technologies
1: S/48.33

N.º de artículo del Fabricante
IPW65R045C7

N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R045C7

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 46A TO247-3 CoolMOS C7

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S/48.33

S/36.64

S/30.53

S/27.18

S/25.41

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPW65R145CFD7AXKSA1
Infineon Technologies
1: S/24.64

N.º de artículo del Fabricante
IPW65R145CFD7AXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R145CFD7AX1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

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S/24.64

S/16.17

S/11.87

S/10.58

S/9.37

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPZA60R060P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/30.66

N.º de artículo del Fabricante
IPZA60R060P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPZA60R060P7XKSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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S/30.66

S/24.51

S/19.87

S/17.59

S/15.61

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPZA60R099P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/28.98

N.º de artículo del Fabricante
IPZA60R099P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPZA60R099P7XKSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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S/28.98

S/18.96

S/13.98

S/12.43

S/11.01

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD60R1K0CEAUMA1
Infineon Technologies
1: S/4.43
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R1K0CEAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R1K0CEAUMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Cinta cortada

S/4.43

S/2.77

S/1.81

S/1.39

Envase tipo carrete

S/0.976

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

SPD03N50C3ATMA1
Infineon Technologies
Disponibilidad restringida
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPD03N50C3ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-SPD03N50C3ATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

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Disponibilidad restringida

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 23A TO220FP-3 CoolMOS CP

IPA50R140CPXK
Infineon Technologies
500: S/8.30
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPA50R140CPXK

N.º de artículo de Mouser
726-IPA50R140CPXK

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 23A TO220FP-3 CoolMOS CP

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Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas

S/8.30

S/8.04

Min.: 500
Mult.: 500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY

IPA60R190P6XKSA1
Infineon Technologies
500: S/4.39
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R190P6XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R190P6XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY

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Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas

S/4.39

Min.: 500
Mult.: 500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 6.5A TO220FP-3

IPA60R380P6
Infineon Technologies
1: S/9.37
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R380P6

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R380P6

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 6.5A TO220FP-3

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Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas

S/9.37

S/6.02

S/4.15

S/3.51

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Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

IPA60R600P6XKSA1
Infineon Technologies
500: S/2.93
Plazo de entrega no en existencias 11 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R600P6XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R600P6XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 11 Semanas

S/2.93

S/2.67

Min.: 500
Mult.: 500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 23A D2PAK-2 CoolMOS CP

IPB50R140CPATMA1
Infineon Technologies
1: S/20.64
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPB50R140CPATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB50R140CPATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 23A D2PAK-2 CoolMOS CP

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Cinta cortada

S/20.64

S/13.67

S/9.72

S/8.60

Envase tipo carrete

S/8.04

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 17A D2PAK-2 CoolMOS CP

IPB50R199CP
Infineon Technologies
1: S/15.87
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPB50R199CP

N.º de artículo de Mouser
726-IPB50R199CP

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 550V 17A D2PAK-2 CoolMOS CP

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Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas

Cinta cortada

S/15.87

S/10.36

S/8.08

S/6.79

Envase tipo carrete

S/5.89

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 99.6A D2PAK-2

IPB65R110CFDA
Infineon Technologies
1,000: S/12.69
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPB65R110CFDA

N.º de artículo de Mouser
726-IPB65R110CFDA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 99.6A D2PAK-2

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Envase tipo carrete

S/12.69

Min.: 1,000
Mult.: 1,000

: 1,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY

IPI60R199CPXKSA2
Infineon Technologies
1: S/15.87
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPI60R199CPXKSA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPI60R199CPXKSA2

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY

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S/15.87

S/8.08

S/7.31

S/6.24

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY

IPP60R160P6XKSA1
Infineon Technologies
1: S/14.49
Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R160P6XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R160P6XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_LEGACY

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Plazo de entrega no en existencias 12 Semanas

S/14.49

S/7.31

S/6.62

S/5.50

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

IPP65R420CFDXKSA2
Infineon Technologies
1: S/10.45
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPP65R420CFDXKSA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPP65R420CFDXKSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

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Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas

S/10.45

S/5.12

S/4.60

S/3.69

S/3.51

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPU80R2K0P7AKMA1
Infineon Technologies
1: S/6.28
Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IPU80R2K0P7AKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPU80R2K0P7AKMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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Plazo de entrega no en existencias 8 Semanas

S/6.28

S/3.93

S/2.56

S/1.97

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Mult.: 1

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