CoolMOS – Mouser Perú

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 9A DPAK-2

IPD60R385CPATMA1
Infineon Technologies
1: S/12.47
1,085En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R385CPATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R385CPATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 9A DPAK-2

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1,085En existencias

Cinta cortada

S/12.47

S/8.04

S/5.59

S/4.52

S/4.23

Envase tipo carrete

S/4.03

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 1.7A DPAK-2

IPD60R3K3C6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/3.91
3,850En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R3K3C6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R3K3C6ATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 1.7A DPAK-2

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3,850En existencias

Cinta cortada

S/3.91

S/2.63

S/1.88

S/1.48

Envase tipo carrete

S/1.12

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPN60R3K4CEATMA1
Infineon Technologies
1: S/3.01
2,327En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPN60R3K4CEATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN60R3K4CEATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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2,327En existencias

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Cinta cortada

S/3.01

S/1.85

S/1.19

S/0.907

Envase tipo carrete

S/0.606

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 38A TO220-3 CoolMOS C6

IPP60R099C6
Infineon Technologies
1: S/24.60
405En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R099C6

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R099C6

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 38A TO220-3 CoolMOS C6

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405En existencias

Más información disponible

S/24.60

S/19.69

S/16.25

S/13.76

S/12.51

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPP80R280P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/13.89
301En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPP80R280P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP80R280P7XKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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301En existencias

S/13.89

S/7.57

S/5.76

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 53A TO247-3 CoolMOS C6

IPW60R070C6FKSA1
Infineon Technologies
1: S/37.37
152En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R070C6FKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R070C6FKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 53A TO247-3 CoolMOS C6

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152En existencias

S/37.37

S/21.93

S/19.61

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 31A TO247-3 CoolMOS CP

IPW60R099CP
Infineon Technologies
1: S/33.84
28En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R099CP

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R099CP

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 31A TO247-3 CoolMOS CP

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Más información disponible

S/33.84

S/24.64

S/19.44

S/17.59

S/17.07

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 31A TO247-3 CoolMOS CP

IPW60R099CPFKSA1
Infineon Technologies
1: S/31.05
1En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R099CPFKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R099CPFKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 31A TO247-3 CoolMOS CP

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S/31.05

S/19.61

S/17.07

Min.: 1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 25A TO247-3 CoolMOS CP

IPW60R125CP
Infineon Technologies
1: S/26.70
1En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R125CP

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R125CP

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 25A TO247-3 CoolMOS CP

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1En existencias

S/26.70

S/20.47

S/16.56

S/14.66

S/13.03

Min.: 1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 20.2A TO247-3 CoolMOS C6

IPW60R190C6
Infineon Technologies
1: S/18.79
139En existencias
716En pedido
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R190C6

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R190C6

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 20.2A TO247-3 CoolMOS C6

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139En existencias

716En pedido

S/18.79

S/10.45

S/8.60

S/7.83

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 20.2A TO247-3 CoolMOS E6

IPW60R190E6
Infineon Technologies
1: S/19.31
9En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R190E6

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R190E6

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 20.2A TO247-3 CoolMOS E6

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9En existencias

S/19.31

S/12.90

S/9.93

S/8.77

S/7.83

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 83.2A TO247-3 CoolMOS C6

IPW65R037C6FKSA1
Infineon Technologies
1: S/62.61
30En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPW65R037C6FKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R037C6FKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 83.2A TO247-3 CoolMOS C6

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Hoja de datos

30En existencias

S/62.61

S/44.63

S/37.02

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 7.3A TO220FP-3 CoolMOS C3

SPA07N60C3
Infineon Technologies
1: S/12.13
105En existencias
500En pedido
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPA07N60C3

N.º de artículo de Mouser
726-SPA07N60C3

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 7.3A TO220FP-3 CoolMOS C3

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105En existencias

500En pedido

S/12.13

S/6.02

S/5.42

S/4.34

S/4.30

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

SPD07N60C3ATMA1
Infineon Technologies
1: S/13.24
1,304En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPD07N60C3ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-SPD07N60C3ATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

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1,304En existencias

Cinta cortada

S/13.24

S/8.60

S/5.98

S/4.99

S/4.82

Envase tipo carrete

S/4.52

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 6A TO220-3 CoolMOS C3

SPP06N80C3
Infineon Technologies
1: S/10.41
370En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPP06N80C3

N.º de artículo de Mouser
726-SPP06N80C3

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 6A TO220-3 CoolMOS C3

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370En existencias

S/10.41

S/6.67

S/4.56

S/3.77

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Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 17A TO220-3 CoolMOS C3

SPP17N80C3XKSA1
Infineon Technologies
1: S/21.11
323En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPP17N80C3XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-SPP17N80C3XKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 17A TO220-3 CoolMOS C3

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323En existencias

S/21.11

S/11.01

S/10.02

S/9.16

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 21.7A TO247-3 CoolMOS CFD

SPW24N60CFD
Infineon Technologies
1: S/27.05
207En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPW24N60CFD

N.º de artículo de Mouser
726-SPW24N60CFD

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 21.7A TO247-3 CoolMOS CFD

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207En existencias

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S/27.05

S/20.73

S/14.71

S/13.16

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

IPD60R600E6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/8.08
2,494En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R600E6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R600E6ATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

Hoja de datos

2,494En existencias

Cinta cortada

S/8.08

S/5.16

S/3.42

S/2.80

S/2.45

S/2.23

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD70R1K4CEAUMA1
Infineon Technologies
1: S/4.60
1,186En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD70R1K4CEAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD70R1K4CEAUMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

Hoja de datos

1,186En existencias

Cinta cortada

S/4.60

S/2.86

S/2.12

S/1.63

S/1.08

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPS70R600P7SAKMA1
Infineon Technologies
1: S/4.95
392En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPS70R600P7SAKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPS70R600P7AKMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

Hoja de datos

392En existencias

Más información disponible

S/4.95

S/3.10

S/2.24

S/1.99

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

SPD06N60C3ATMA1
Infineon Technologies
1: S/11.40
1,290En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPD06N60C3ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-SPD06N60C3ATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

Hoja de datos

1,290En existencias

Cinta cortada

S/11.40

S/7.35

S/5.25

S/4.43

S/3.81

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 8A TO220FP-3 CoolMOS C3

SPA08N80C3
Infineon Technologies
1: S/13.89
185En existencias
500En pedido
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPA08N80C3

N.º de artículo de Mouser
726-SPA08N80C3

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 8A TO220FP-3 CoolMOS C3

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Hoja de datos

185En existencias

500En pedido

S/13.89

S/9.03

S/6.62

S/5.50

S/4.82

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPWS65R035CFD7AXKSA1
Infineon Technologies
1: S/53.28
5En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPWS65R035CFD7AXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPWS65R035CFD7AX

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

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5En existencias

S/53.28

S/41.67

S/34.74

S/30.96

S/28.94

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 17A TO220-3 CoolMOS C3

SPP17N80C3
Infineon Technologies
1: S/22.10
138En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPP17N80C3

N.º de artículo de Mouser
726-SPP17N80C3

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 17A TO220-3 CoolMOS C3

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Hoja de datos

138En existencias

S/22.10

S/14.66

S/11.87

S/10.06

S/9.16

Min.: 1
Mult.: 1

MOSFETs HIGH POWER_NEW

IPDD60R037CM8XTMA1
Infineon Technologies
Disponibilidad restringida
Nuevo en Mouser

N.º de artículo del Fabricante
IPDD60R037CM8XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPDD60R037CM8XTM

Nuevo en Mouser

Infineon Technologies

MOSFETs HIGH POWER_NEW

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