CoolMOS – Mouser Perú

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

IPW60R070P6
Infineon Technologies
1: S/26.53
183En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R070P6

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726-IPW60R070P6

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

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S/26.53

S/20.30

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S/14.58

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

IPW60R070P6XKSA1
Infineon Technologies
1: S/26.83
174En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R070P6XKSA1

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726-IPW60R070P6XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

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S/26.83

S/15.22

S/12.94

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

IPW60R099P6
Infineon Technologies
1: S/21.80
214En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R099P6

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726-IPW60R099P6

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

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S/21.80

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S/12.94

S/11.44

S/10.15

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R120C7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/26.70
223En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R120C7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R120C7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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S/26.70

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S/11.44

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R120P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/19.18
417En existencias

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IPW60R120P7XKSA1

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726-IPW60R120P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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417En existencias

S/19.18

S/12.43

S/9.85

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPW65R035CFD7AXKSA1
Infineon Technologies
1: S/53.45
180En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW65R035CFD7AXKSA1

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726-IPW65R035CFD7AXK

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

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S/53.45

S/41.80

S/34.83

S/31.05

S/29.03

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 46A TO247-3 CoolMOS C7

IPW65R045C7FKSA1
Infineon Technologies
1: S/48.33
112En existencias

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IPW65R045C7FKSA1

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726-IPW65R045C7FKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 46A TO247-3 CoolMOS C7

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S/36.64

S/30.53

S/27.18

S/25.41

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW65R095C7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/26.45
346En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW65R095C7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R095C7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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S/15.44

S/12.90

S/12.73

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPW65R099CFD7AXKSA1
Infineon Technologies
1: S/27.43
60En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW65R099CFD7AXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R099CFD7AXK

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

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60En existencias

S/27.43

S/15.82

S/13.29

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 31.2A TO247-3

IPW65R110CFDAFKSA1
Infineon Technologies
1: S/31.00
201En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW65R110CFDAFKSA1

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726-IPW65R110CFDAFKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 31.2A TO247-3

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S/14.58

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPWS65R050CFD7AXKSA1
Infineon Technologies
1: S/44.98
151En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPWS65R050CFD7AXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPWS65R050CFD7AX

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

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S/27.26

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S/22.70

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPZA60R037CM8XKSA1
Infineon Technologies
1: S/41.71
12En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
IPZA60R037CM8XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPZA60R037CM8XKS

Nuevo en Mouser

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S/21.80

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPZA60R037P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/43.26
114En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPZA60R037P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPZA60R037P7XKSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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S/43.26

S/25.67

S/23.74

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPZA60R080P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/31.91
174En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPZA60R080P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPZA60R080P7XKSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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S/31.91

S/21.20

S/17.16

S/15.22

S/13.50

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Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 560V 16A TO247-3 CoolMOS C3

SPW16N50C3
Infineon Technologies
1: S/18.88
378En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SPW16N50C3

N.º de artículo de Mouser
726-SPW16N50C3

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 560V 16A TO247-3 CoolMOS C3

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378En existencias

S/18.88

S/10.49

S/10.36

S/7.96

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Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 70 Amps 600V

IXKH70N60C5
IXYS
1: S/109.09
9En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXKH70N60C5

N.º de artículo de Mouser
747-IXKH70N60C5

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 70 Amps 600V

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9En existencias

Más información disponible

S/109.09

S/88.84

S/78.43

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 47 Amps 600V 0.045 Rds

IXKR47N60C5
IXYS
1: S/120.62
30En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXKR47N60C5

N.º de artículo de Mouser
747-IXKR47N60C5

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 47 Amps 600V 0.045 Rds

Hoja de datos

30En existencias

S/120.62

S/78.13

S/74.65

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 10.6A TO220FP-3 CoolMOS C6

IPA60R380C6
Infineon Technologies
1: S/11.18
330En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R380C6

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R380C6XK

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 10.6A TO220FP-3 CoolMOS C6

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330En existencias

S/11.18

S/7.14

S/4.86

S/4.05

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 7A TO220FP-3

IPA60R650CEXKSA1
Infineon Technologies
1: S/6.71
120En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R650CEXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R650CEXKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 7A TO220FP-3

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120En existencias

S/6.71

S/2.94

S/2.55

S/1.96

S/1.90

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Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA80R460CEXKSA2
Infineon Technologies
1: S/13.42
159En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPA80R460CEXKSA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPA80R460CEXKSA2

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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159En existencias

S/13.42

S/6.75

S/6.06

S/4.95

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA80R650CEXKSA2
Infineon Technologies
1: S/11.52
107En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPA80R650CEXKSA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPA80R650CEXKSA2

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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107En existencias

S/11.52

S/5.72

S/5.16

S/4.12

S/4.08

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD50R2K0CEAUMA1
Infineon Technologies
1: S/3.35
328En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD50R2K0CEAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD50R2K0CEAUMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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S/3.35

S/2.06

S/1.34

S/1.02

Envase tipo carrete

S/0.744

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: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD50R3K0CEAUMA1
Infineon Technologies
1: S/2.75
1,475En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD50R3K0CEAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD50R3K0CEAUMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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1,475En existencias

Cinta cortada

S/2.75

S/1.70

S/1.06

S/0.963

Envase tipo carrete

S/0.71

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD60R1K5CEAUMA1
Infineon Technologies
1: S/4.04
2,451En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R1K5CEAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R1K5CEAUMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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2,451En existencias

Cinta cortada

S/4.04

S/2.53

S/1.64

S/1.26

Envase tipo carrete

S/0.929

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MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 9A DPAK-2

IPD60R385CPATMA1
Infineon Technologies
1: S/12.47
1,085En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R385CPATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R385CPATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 9A DPAK-2

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1,085En existencias

Cinta cortada

S/12.47

S/8.04

S/5.59

S/4.52

S/4.23

Envase tipo carrete

S/4.03

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

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