CoolMOS – Mouser Perú

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 23A TO220-3

IPP50R140CPXKSA1
Infineon Technologies
1: S/18.66
59En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPP50R140CPXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP50R140CPXKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 23A TO220-3

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59En existencias

S/18.66

S/9.89

S/8.99

S/8.04

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 30A TO220-3 CoolMOS C6

IPP60R125C6
Infineon Technologies
1: S/21.72
58En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R125C6

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R125C6

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 30A TO220-3 CoolMOS C6

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58En existencias

S/21.72

S/11.70

S/10.66

S/9.89

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 20.2A TO220-3 CoolMOS C6

IPP60R190C6XKSA1
Infineon Technologies
1: S/14.88
289En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R190C6XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R190C6XKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 20.2A TO220-3 CoolMOS C6

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289En existencias

S/14.88

S/7.53

S/6.84

S/5.72

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 20.2A TO220-3 CoolMOS E6

IPP60R190E6
Infineon Technologies
1: S/14.88
169En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R190E6

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R190E6

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 20.2A TO220-3 CoolMOS E6

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169En existencias

S/14.88

S/7.53

S/6.79

S/5.72

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 38A TO247-3 CoolMOS C6

IPW60R099C6
Infineon Technologies
1: S/31.13
304En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R099C6

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R099C6

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 38A TO247-3 CoolMOS C6

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304En existencias

S/31.13

S/23.01

S/18.62

S/16.51

S/14.62

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3

SPA11N60C3
Infineon Technologies
1: S/15.05
446En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPA11N60C3

N.º de artículo de Mouser
726-SPA11N60C3

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3

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446En existencias

S/15.05

S/7.61

S/6.88

S/5.81

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3

SPA11N80C3
Infineon Technologies
1: S/13.93
385En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPA11N80C3

N.º de artículo de Mouser
726-SPA11N80C3

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3

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385En existencias

S/13.93

S/9.07

S/6.97

S/5.81

S/5.03

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 13.4A TO220FP CoolMOS CFD

SPA15N60CFD
Infineon Technologies
1: S/18.06
15En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPA15N60CFD

N.º de artículo de Mouser
726-SPA15N60CFD

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 13.4A TO220FP CoolMOS CFD

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15En existencias

S/18.06

S/11.87

S/8.73

S/7.01

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 17A TO220FP-3 CoolMOS C3

SPA17N80C3XKSA1
Infineon Technologies
1: S/17.85
502En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPA17N80C3XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-SPA17N80C3XKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 17A TO220FP-3 CoolMOS C3

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502En existencias

S/17.85

S/10.06

S/9.25

S/8.73

S/8.69

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 4A TO220-3 CoolMOS C3

SPP04N80C3XKSA1
Infineon Technologies
1: S/8.99
42En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPP04N80C3XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-SPP04N80C3XKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 4A TO220-3 CoolMOS C3

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42En existencias

S/8.99

S/4.39

S/3.90

S/3.10

S/2.86

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 11A TO220-3

SPP11N60C3XKSA1
Infineon Technologies
1: S/14.19
77En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPP11N60C3XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-SPP11N60C3XKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 11A TO220-3

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77En existencias

Más información disponible

S/14.19

S/7.14

S/6.45

S/5.38

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 20.7A TO220-3

SPP20N60C3XKSA1
Infineon Technologies
1: S/17.54
754En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPP20N60C3XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-SPP20N60C3XKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 20.7A TO220-3

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754En existencias

S/17.54

S/8.99

S/8.17

S/7.14

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 24.3A TO220-3

SPP24N60C3XKSA1
Infineon Technologies
1: S/22.27
230En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPP24N60C3XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-SPP24N60C3XKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 24.3A TO220-3

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230En existencias

S/22.27

S/11.65

S/9.85

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 11A TO247-3 CoolMOS C3

SPW11N80C3
Infineon Technologies
1: S/17.20
54En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPW11N80C3

N.º de artículo de Mouser
726-SPW11N80C3

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 11A TO247-3 CoolMOS C3

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54En existencias

S/17.20

S/11.27

S/8.30

S/7.35

S/6.54

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 11A TO247-3 CoolMOS C3

SPW11N80C3FKSA1
Infineon Technologies
1: S/16.47
271En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPW11N80C3FKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-SPW11N80C3FKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 11A TO247-3 CoolMOS C3

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271En existencias

S/16.47

S/9.03

S/7.40

S/6.54

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 17A TO247-3 CoolMOS C3

SPW17N80C3
Infineon Technologies
1: S/20.94
216En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPW17N80C3

N.º de artículo de Mouser
726-SPW17N80C3

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 17A TO247-3 CoolMOS C3

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216En existencias

S/20.94

S/16.77

S/13.55

S/12.00

S/10.66

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 17A TO247-3 CoolMOS C3

SPW17N80C3FKSA1
Infineon Technologies
1: S/19.95
267En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPW17N80C3FKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-SPW17N80C3FKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 17A TO247-3 CoolMOS C3

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267En existencias

S/19.95

S/12.90

S/10.66

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 20.7A TO247-3 CoolMOS C3

SPW20N60C3
Infineon Technologies
1: S/21.50
199En existencias
1,200En pedido
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPW20N60C3

N.º de artículo de Mouser
726-SPW20N60C3

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 20.7A TO247-3 CoolMOS C3

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199En existencias

1,200En pedido

S/21.50

S/12.08

S/9.50

S/9.33

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA50R280CEXKSA2
Infineon Technologies
1: S/7.05
1,231En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA50R280CEXKSA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPA50R280CEXKSA2

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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S/7.05

S/3.36

S/3.00

S/2.58

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA50R380CE
Infineon Technologies
1: S/6.79
718En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA50R380CE

N.º de artículo de Mouser
726-IPA50R380CE

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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718En existencias

S/6.79

S/4.30

S/2.87

S/2.35

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Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA50R380CEXKSA2
Infineon Technologies
1: S/6.79
635En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA50R380CEXKSA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPA50R380CEXKSA2

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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635En existencias

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S/6.79

S/3.75

S/2.87

S/2.35

S/1.87

Min.: 1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA50R950CEXKSA2
Infineon Technologies
1: S/4.95
1,008En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA50R950CEXKSA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPA50R950CEXKSA2

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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1,008En existencias

S/4.95

S/2.31

S/2.05

S/1.66

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

IPA60R099P6
Infineon Technologies
1: S/25.24
383En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R099P6

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R099P6

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER PRICE/PERFORM

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383En existencias

S/25.24

S/16.56

S/12.43

S/10.54

S/9.59

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPA60R099P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/18.02
562En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R099P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R099P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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562En existencias

S/18.02

S/9.25

S/8.43

S/7.35

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPA60R120P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/17.16
524En existencias
2,500En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R120P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R120P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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524En existencias

2,500En pedido

S/17.16

S/11.18

S/8.77

S/7.31

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Mult.: 1

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