CoolMOS – Mouser Perú

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 22.4A TO247-3

IPW65R150CFDAFKSA1
Infineon Technologies
1: S/21.89
235En existencias
480En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPW65R150CFDAFKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R150CFDAFKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 22.4A TO247-3

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235En existencias

480En pedido

S/21.89

S/12.30

S/10.19

S/9.63

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW65R190C7
Infineon Technologies
1: S/20.17
3En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW65R190C7

N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R190C7

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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S/20.17

S/13.16

S/10.32

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW65R190C7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/20.12
324En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW65R190C7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW65R190C7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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S/20.12

S/13.12

S/10.28

S/8.60

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPZ60R099C7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/31.09
26En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPZ60R099C7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPZ60R099C7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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S/31.09

S/20.68

S/16.73

S/14.84

S/13.16

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPW60R099CPAFKSA1
Infineon Technologies
1: S/36.03
146En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R099CPAFKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-PW60R099CPAFKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

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146En existencias

S/36.03

S/21.07

S/18.66

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 8A TO220-3 CoolMOS C3

SPP08N80C3
Infineon Technologies
1: S/12.86
130En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SPP08N80C3

N.º de artículo de Mouser
726-SPP08N80C3

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 8A TO220-3 CoolMOS C3

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130En existencias

S/12.86

S/8.30

S/5.93

S/4.95

S/4.29

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 850V 54.9A TO247-3

SPW55N80C3FKSA1
Infineon Technologies
1: S/61.92
104En existencias

N.º de artículo del Fabricante
SPW55N80C3FKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-SPW55N80C3FKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 850V 54.9A TO247-3

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104En existencias

S/61.92

S/37.93

S/37.71

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPAW60R180P7SXKSA1
Infineon Technologies
1: S/9.72
901En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPAW60R180P7SXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-AW60R180P7SXKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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901En existencias

S/9.72

S/6.02

S/5.98

S/5.55

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD50R650CEAUMA1
Infineon Technologies
1: S/4.77
1,489En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD50R650CEAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD50R650CEAUMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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S/4.77

S/3.10

S/2.40

S/2.17

S/1.23

S/1.20

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPN70R1K5CEATMA1
Infineon Technologies
1: S/3.78
2,336En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPN70R1K5CEATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN70R1K5CEATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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S/3.78

S/2.51

S/1.68

S/1.29

S/1.01

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPU80R1K4P7AKMA1
Infineon Technologies
1: S/5.98
1,319En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPU80R1K4P7AKMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPU80R1K4P7AKMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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S/5.98

S/5.89

S/4.64

S/4.18

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

SPD04N50C3ATMA1
Infineon Technologies
1: S/8.43
253En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPD04N50C3ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-SPD04N50C3ATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

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253En existencias

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S/8.43

S/5.12

S/3.65

S/2.90

S/2.66

S/2.63

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 23.8A TO220FP-3 CoolMOS C6

IPA60R160C6
Infineon Technologies
1: S/17.67
278En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R160C6

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R160C6

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 23.8A TO220FP-3 CoolMOS C6

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278En existencias

S/17.67

S/9.07

S/8.21

S/7.22

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 21A TO220FP-3 CoolMOS CP

IPA60R165CP
Infineon Technologies
1: S/25.97
502En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R165CP

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R165CP

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 21A TO220FP-3 CoolMOS CP

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S/25.97

S/19.39

S/15.01

S/8.30

S/8.26

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 20.2A TO220FP-3 CoolMOS C6

IPA60R190C6
Infineon Technologies
1: S/15.44
315En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R190C6

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R190C6XK

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 20.2A TO220FP-3 CoolMOS C6

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315En existencias

S/15.44

S/10.06

S/7.87

S/6.58

S/5.72

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 700V 13.8A TO220FP-3 CoolMOS E6

IPA65R280E6
Infineon Technologies
1: S/13.16
122En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPA65R280E6

N.º de artículo de Mouser
726-IPA65R280E6

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 700V 13.8A TO220FP-3 CoolMOS E6

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122En existencias

S/13.16

S/6.58

S/5.98

S/4.86

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 700V 10.6A TO220FP-3 CoolMOS E6

IPA65R380E6
Infineon Technologies
1: S/10.88
42En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPA65R380E6

N.º de artículo de Mouser
726-IPA65R380E6

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 700V 10.6A TO220FP-3 CoolMOS E6

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Hoja de datos

42En existencias

S/10.88

S/5.38

S/4.82

S/3.86

S/3.71

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 700V 7.3A TO220FP-3 CoolMOS E6

IPA65R600E6
Infineon Technologies
1: S/10.06
78En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPA65R600E6

N.º de artículo de Mouser
726-IPA65R600E6

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 700V 7.3A TO220FP-3 CoolMOS E6

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78En existencias

S/10.06

S/5.42

S/4.05

S/3.23

S/2.99

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA80R1K4CEXKSA2
Infineon Technologies
1: S/8.13
121En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPA80R1K4CEXKSA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPA80R1K4CEXKSA2

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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121En existencias

S/8.13

S/4.73

S/3.70

S/2.77

S/2.49

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 30A D2PAK-2 CoolMOS C6

IPB60R125C6
Infineon Technologies
1: S/25.33
548En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R125C6

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R125C6

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 30A D2PAK-2 CoolMOS C6

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S/25.33

S/16.34

S/11.48

S/10.58

Envase tipo carrete

S/9.89

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 21A D2PAK-2 CoolMOS CP

IPB60R165CPATMA1
Infineon Technologies
1: S/21.11
61En existencias
1,000En pedido
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R165CPATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R165CPATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 21A D2PAK-2 CoolMOS CP

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61En existencias

1,000En pedido

Cinta cortada

S/21.11

S/13.98

S/9.93

S/8.86

Envase tipo carrete

S/8.30

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD60R2K1CEAUMA1
Infineon Technologies
1: S/3.74
150En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R2K1CEAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R2K1CEAUMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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150En existencias

Cinta cortada

S/3.74

S/2.30

S/1.49

S/1.14

Envase tipo carrete

S/0.839

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 4.4A DPAK-2

IPD60R950C6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.84
1,559En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R950C6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R950C6ATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 4.4A DPAK-2

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Hoja de datos

1,559En existencias

Cinta cortada

S/6.84

S/3.95

S/2.71

S/2.16

S/2.00

Envase tipo carrete

S/1.76

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD65R400CEAUMA1
Infineon Technologies
1: S/6.67
2,501En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD65R400CEAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD65R400CEAUMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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2,501En existencias

Cinta cortada

S/6.67

S/3.72

S/2.50

S/1.99

Envase tipo carrete

S/1.71

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD65R650CEAUMA1
Infineon Technologies
1: S/6.24
70En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD65R650CEAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD65R650CEAUMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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70En existencias

Cinta cortada

S/6.24

S/3.90

S/2.59

S/2.14

S/1.94

Envase tipo carrete

S/1.55

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

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