CoolMOS – Mouser Perú

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPU60R1K5CEAKMA2
Infineon Technologies
1: S/3.78
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IPU60R1K5CEAKMA2

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726-IPU60R1K5CEAKMA2

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 60A TO247-3 CoolMOS CP

IPW60R045CP
Infineon Technologies
1: S/68.76
222En existencias
NRND

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IPW60R045CP

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726-IPW60R045CP

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 60A TO247-3 CoolMOS CP

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S/53.19

S/46.01

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 60A TO247-3 CoolMOS CP

IPW60R045CPFKSA1
Infineon Technologies
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NRND

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IPW60R045CPFKSA1

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726-IPW60R045CPFKSA1

NRND

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 60A TO247-3 CoolMOS CP

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 53A TO247-3 CoolMOS C6

IPW60R070C6
Infineon Technologies
1: S/38.83
960En existencias
720En pedido
NRND

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IPW60R070C6

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726-IPW60R070C6

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 53A TO247-3 CoolMOS C6

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S/38.83

S/28.25

S/23.56

S/20.94

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 83.2A TO247-3 CoolMOS C6

IPW65R037C6
Infineon Technologies
1: S/62.61
289En existencias
NRND

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IPW65R037C6

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726-IPW65R037C6

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 83.2A TO247-3 CoolMOS C6

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S/62.61

S/48.42

S/41.88

S/41.84

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPW80R280P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/16.34
229En existencias
NRND

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IPW80R280P7XKSA1

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726-IPW80R280P7XKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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S/16.34

S/8.99

S/7.35

S/6.49

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 6A TO220FP-3 CoolMOS C3

SPA06N80C3XKSA1
Infineon Technologies
1: S/9.98
487En existencias
NRND

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SPA06N80C3XKSA1

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726-SPA06N80C3XKSA1

NRND

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 6A TO220FP-3 CoolMOS C3

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S/9.98

S/5.33

S/4.82

S/3.85

S/3.70

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 20.7A TO220FP CoolMOS CFD

SPA20N60CFD
Infineon Technologies
1: S/26.79
304En existencias
NRND

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SPA20N60CFD

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726-SPA20N60CFD

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 20.7A TO220FP CoolMOS CFD

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S/26.79

S/18.79

S/16.68

S/9.20

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 11A D2PAK-2 CoolMOS C3

SPB11N60C3
Infineon Technologies
1: S/19.78
395En existencias
NRND

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SPB11N60C3

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726-SPB11N60C3

NRND

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 11A D2PAK-2 CoolMOS C3

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S/19.78

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 11A TO220-3

SPP11N60CFDXKSA1
Infineon Technologies
1: S/14.79
380En existencias
NRND

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SPP11N60CFDXKSA1

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726-SPP11N60CFDXKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 11A TO220-3

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380En existencias

S/14.79

S/9.63

S/7.48

S/6.32

S/5.72

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 20.7A TO220-3

SPP20N60CFDXKSA1
Infineon Technologies
1: S/18.06
225En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPP20N60CFDXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-SPP20N60CFDXKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 20.7A TO220-3

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S/18.06

S/13.07

S/11.22

S/8.82

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 20.7A TO247-3 CoolMOS CFD

SPW20N60CFD
Infineon Technologies
1: S/21.46
269En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPW20N60CFD

N.º de artículo de Mouser
726-SPW20N60CFD

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 20.7A TO247-3 CoolMOS CFD

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S/21.46

S/18.53

S/12.77

S/11.14

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 20A TO247-3 CoolMOS S5

SPW20N60S5
Infineon Technologies
1: S/24.25
1,366En existencias
480En pedido
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPW20N60S5

N.º de artículo de Mouser
726-SPW20N60S5

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 20A TO247-3 CoolMOS S5

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480En pedido

S/24.25

S/13.72

S/11.44

S/11.40

S/11.05

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 46A TO247-3 CoolMOS CFD

SPW47N60CFD
Infineon Technologies
1: S/56.98
398En existencias
473En pedido
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPW47N60CFD

N.º de artículo de Mouser
726-SPW47N60CFD

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 46A TO247-3 CoolMOS CFD

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398En existencias

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S/56.98

S/42.57

S/34.19

S/32.55

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 23A TO220FP-3 CoolMOS CP

IPA50R140CP
Infineon Technologies
1: S/19.74
87En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA50R140CP

N.º de artículo de Mouser
726-IPA50R140CP

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500V 23A TO220FP-3 CoolMOS CP

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S/19.74

S/11.87

S/10.23

S/8.04

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA50R800CE
Infineon Technologies
1: S/5.25
339En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA50R800CE

N.º de artículo de Mouser
726-IPA50R800CE

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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S/5.25

S/3.28

S/2.16

S/1.71

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA50R800CEXKSA2
Infineon Technologies
1: S/5.07
1,585En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA50R800CEXKSA2

N.º de artículo de Mouser
726-IPA50R800CEXKSA2

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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S/5.07

S/2.36

S/2.09

S/1.71

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 10.4A TO220FP-3

IPA60R160P6
Infineon Technologies
1: S/15.27
30En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R160P6

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R160P6

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 10.4A TO220FP-3

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S/15.27

S/9.93

S/7.61

S/6.32

S/5.55

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Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 10.4A TO220FP-3

IPA60R160P6XKSA1
Infineon Technologies
1: S/14.49
328En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R160P6XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R160P6XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 10.4A TO220FP-3

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S/14.49

S/7.31

S/6.62

S/5.50

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPA60R160P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/13.50
366En existencias
109En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R160P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R160P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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S/13.50

S/8.73

S/6.24

S/5.20

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPA60R180C7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/15.35
230En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R180C7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R180C7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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230En existencias

S/15.35

S/9.93

S/7.31

S/6.11

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPA60R600P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/8.04
680En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R600P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R600P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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680En existencias

S/8.04

S/4.29

S/3.41

S/2.79

S/2.22

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPA80R750P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/8.47
1,500En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA80R750P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA80R750P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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S/8.47

S/4.09

S/3.66

S/2.90

S/2.64

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPAN60R180P7SXKSA1
Infineon Technologies
1: S/11.09
783En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPAN60R180P7SXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPAN60R180P7SXKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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783En existencias

S/11.09

S/7.10

S/4.90

S/4.17

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB60R099P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/20.90
245En existencias
1,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R099P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R099P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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245En existencias

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Cinta cortada

S/20.90

S/13.72

S/10.71

S/7.91

Envase tipo carrete

S/7.74

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 1,000

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