CoolMOS – Mouser Perú

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 6A DPAK-2

IPD65R660CFDA
Infineon Technologies
1: S/9.72
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IPD65R660CFDA

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726-IPD65R660CFDA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 6A DPAK-2

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S/9.72

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S/4.24

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD70R1K4P7SAUMA1
Infineon Technologies
1: S/5.29
15,668En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD70R1K4P7SAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD70R1K4P7AUMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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S/5.29

S/3.78

S/2.35

S/1.62

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD80R280P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/15.09
5,481En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD80R280P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD80R280P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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S/15.09

S/9.59

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD80R2K4P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/5.29
9,180En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD80R2K4P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD80R2K4P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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S/5.29

S/3.31

S/2.18

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S/1.26

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD80R600P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/9.89
2,385En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD80R600P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD80R600P7ATMA1

Infineon Technologies

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S/9.89

S/6.32

S/4.21

S/3.41

S/3.06

Envase tipo carrete

S/2.74

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD95R750P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/10.71
4,065En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD95R750P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD95R750P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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S/10.71

S/6.84

S/4.73

S/4.03

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S/3.38

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPDQ60R010S7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/90.17
123En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPDQ60R010S7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPDQ60R010S7XTMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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S/90.17

S/67.47

S/60.97

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S/60.93

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R065P7AUMA1
Infineon Technologies
1: S/35.52
1,041En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R065P7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R065P7AUMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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S/35.52

S/23.61

S/19.09

S/16.99

Envase tipo carrete

S/15.01

MouseReel Disponible

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: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R075CFD7AUMA1
Infineon Technologies
1: S/24.94
1,784En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R075CFD7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R075CFD7AUM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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S/24.94

S/17.42

S/12.51

S/11.74

S/11.40

Envase tipo carrete

S/10.97

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: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R104C7AUMA1
Infineon Technologies
1: S/29.07
3,439En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R104C7AUMA1

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726-IPL60R104C7AUMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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S/19.05

S/14.02

S/12.47

S/11.91

Envase tipo carrete

S/11.05

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: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R125P7AUMA1
Infineon Technologies
1: S/14.49
6,254En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R125P7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R125P7AUMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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S/9.93

S/7.31

S/6.36

S/6.24

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S/5.98

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPL60R185P7AUMA1
Infineon Technologies
1: S/13.50
1,495En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPL60R185P7AUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPL60R185P7AUMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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S/8.64

S/5.89

S/4.90

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S/4.24

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPN70R2K0P7SATMA1
Infineon Technologies
1: S/3.35
9,027En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPN70R2K0P7SATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN70R2K0P7SATM1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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9,027En existencias

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S/3.35

S/2.07

S/1.34

S/1.02

S/0.92

Envase tipo carrete

S/0.697

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPN95R3K7P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/5.29
28,286En existencias
6,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPN95R3K7P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPN95R3K7P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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28,286En existencias

6,000En pedido

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S/5.29

S/3.30

S/2.17

S/1.69

S/1.53

Envase tipo carrete

S/1.24

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 3,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP60R022S7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/49.41
415En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R022S7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R022S7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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415En existencias

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S/49.41

S/37.45

S/31.86

S/27.05

S/25.97

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP60R060P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/29.15
1,060En existencias
3,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R060P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R060P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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1,060En existencias

3,000En pedido

S/29.15

S/19.09

S/14.32

S/12.17

S/11.05

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP60R070CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/25.97
1,025En existencias
500En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R070CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R070CFD7XKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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1,025En existencias

500En pedido

S/25.97

S/13.80

S/12.60

S/12.08

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP60R099P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/17.97
851En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R099P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R099P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

851En existencias

S/17.97

S/9.25

S/8.39

S/7.35

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP60R180P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/11.70
5,726En existencias
4,995En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPP60R180P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP60R180P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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5,726En existencias

4,995En pedido

S/11.70

S/5.81

S/5.25

S/4.12

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPP65R095C7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/28.34
1,114En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPP65R095C7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPP65R095C7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

1,114En existencias

S/28.34

S/17.16

S/13.67

S/11.95

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPT60R065S7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/22.58
1,089En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT60R065S7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT60R065S7XTMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

1,089En existencias

Cinta cortada

S/22.58

S/16.17

S/12.00

S/10.54

S/10.45

Envase tipo carrete

S/9.59

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPT65R080CFD7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/31.61
1,880En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT65R080CFD7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT65R080CFD7XTM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

1,880En existencias

Cinta cortada

S/31.61

S/20.73

S/15.22

S/13.55

S/12.00

Envase tipo carrete

S/12.00

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPT65R125CFD7XTMA1
Infineon Technologies
1: S/18.83
1,934En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPT65R125CFD7XTMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPT65R125CFD7XTM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

1,934En existencias

Cinta cortada

S/18.83

S/12.43

S/8.77

S/7.74

S/7.65

Envase tipo carrete

S/7.27

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R024P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/51.77
569En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R024P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R024P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

569En existencias

S/51.77

S/31.13

S/28.51

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPW60R031CFD7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/44.16
713En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPW60R031CFD7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPW60R031CFD7XKS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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713En existencias

S/44.16

S/25.50

S/24.38

Min.: 1
Mult.: 1

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