CoolMOS – Mouser Perú

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 8A TO220FP-3 CoolMOS C3

SPA08N80C3XKSA1
Infineon Technologies
1: S/13.42
537En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPA08N80C3XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-SPA08N80C3XKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 8A TO220FP-3 CoolMOS C3

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537En existencias

S/13.42

S/6.67

S/6.02

S/4.90

S/4.82

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 20.7A TO220FP-3 CoolMOS C3

SPA20N60C3
Infineon Technologies
1: S/18.19
635En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPA20N60C3

N.º de artículo de Mouser
726-SPA20N60C3

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 20.7A TO220FP-3 CoolMOS C3

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635En existencias

S/18.19

S/12.00

S/8.47

S/7.48

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 17A D2PAK-2 CoolMOS C3

SPB17N80C3
Infineon Technologies
1: S/19.82
1,877En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPB17N80C3

N.º de artículo de Mouser
726-SPB17N80C3

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 17A D2PAK-2 CoolMOS C3

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1,877En existencias

Cinta cortada

S/19.82

S/13.12

S/10.28

S/9.12

Envase tipo carrete

S/8.08

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 17A D2PAK-2 CoolMOS C3

SPB17N80C3ATMA1
Infineon Technologies
1: S/17.63
1,397En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPB17N80C3ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-SPB17N80C3ATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800V 17A D2PAK-2 CoolMOS C3

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1,397En existencias

Cinta cortada

S/17.63

S/12.21

S/9.25

S/8.39

Envase tipo carrete

S/8.17

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 20.7A D2PAK-2 CoolMOS C3

SPB20N60C3
Infineon Technologies
1: S/18.66
1,734En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPB20N60C3

N.º de artículo de Mouser
726-SPB20N60C3

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 20.7A D2PAK-2 CoolMOS C3

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1,734En existencias

Cinta cortada

S/18.66

S/12.30

S/8.69

S/7.65

Envase tipo carrete

S/7.14

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 20A D2PAK-2 CoolMOS S5

SPB20N60S5
Infineon Technologies
1: S/20.90
871En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPB20N60S5

N.º de artículo de Mouser
726-SPB20N60S5

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 20A D2PAK-2 CoolMOS S5

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871En existencias

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Cinta cortada

S/20.90

S/13.89

S/11.01

S/9.85

Envase tipo carrete

S/8.69

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

SPD06N80C3ATMA1
Infineon Technologies
1: S/10.23
3,751En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPD06N80C3ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-SPD06N80C3ATMA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_LEGACY

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3,751En existencias

Cinta cortada

S/10.23

S/6.58

S/4.52

S/3.57

S/3.40

Envase tipo carrete

S/3.14

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 7.3A TO220-3

SPP07N60C3XKSA1
Infineon Technologies
1: S/12.86
225En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPP07N60C3XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-SPP07N60C3XKSA1

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 7.3A TO220-3

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225En existencias

S/12.86

S/6.45

S/5.81

S/4.69

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 20A TO220-3 CoolMOS S5

SPP20N60S5
Infineon Technologies
1: S/19.44
5,852En existencias
6,000En pedido
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPP20N60S5

N.º de artículo de Mouser
726-SPP20N60S5

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 20A TO220-3 CoolMOS S5

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5,852En existencias

6,000En pedido

S/19.44

S/10.58

S/9.63

S/8.69

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 34.6A TO247-3 CoolMOS C3

SPW35N60C3
Infineon Technologies
1: S/41.88
188En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPW35N60C3

N.º de artículo de Mouser
726-SPW35N60C3

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 34.6A TO247-3 CoolMOS C3

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188En existencias

S/41.88

S/31.78

S/26.49

S/23.56

S/22.02

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Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 34.1A TO247-3 CoolMOS CFD

SPW35N60CFD
Infineon Technologies
1: S/43.43
220En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPW35N60CFD

N.º de artículo de Mouser
726-SPW35N60CFD

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 34.1A TO247-3 CoolMOS CFD

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220En existencias

S/43.43

S/25.80

S/23.87

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 47A TO247-3 CoolMOS C3

SPW47N60C3
Infineon Technologies
1: S/51.64
977En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
SPW47N60C3

N.º de artículo de Mouser
726-SPW47N60C3

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 47A TO247-3 CoolMOS C3

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S/51.64

S/31.13

S/29.89

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPA60R060P7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/29.15
937En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R060P7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R060P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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937En existencias

S/29.15

S/19.09

S/14.32

S/12.17

S/11.05

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPA60R120C7XKSA1
Infineon Technologies
1: S/19.22
1,000En existencias
1,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R120C7XKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R120C7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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1,000En existencias

1,000En pedido

S/19.22

S/9.93

S/9.03

S/8.08

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA60R280P7SXKSA1
Infineon Technologies
1: S/7.74
3,902En existencias
1,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IPA60R280P7SXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA60R280P7SXKSA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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3,902En existencias

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S/7.74

S/3.72

S/3.32

S/2.63

S/2.33

Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA70R360P7SXKSA1
Infineon Technologies
1: S/6.75
3,136En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA70R360P7SXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA70R360P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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3,136En existencias

S/6.75

S/2.92

S/2.52

S/2.07

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Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPA70R600P7SXKSA1
Infineon Technologies
1: S/7.18
15,355En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPA70R600P7SXKSA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPA70R600P7XKSA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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15,355En existencias

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S/7.18

S/4.47

S/2.91

S/2.24

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Min.: 1
Mult.: 1

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPB60R040C7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/47.95
1,106En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB60R040C7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB60R040C7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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1,106En existencias

Cinta cortada

S/47.95

S/33.24

S/24.73

S/24.64

Envase tipo carrete

S/23.52

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPB65R115CFD7AATMA1
Infineon Technologies
1: S/22.49
828En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB65R115CFD7AATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPB65R115CFD7AAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

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828En existencias

Cinta cortada

S/22.49

S/13.29

S/10.06

S/9.20

Envase tipo carrete

S/9.20

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

IPBE65R050CFD7AATMA1
Infineon Technologies
1: S/39.39
1,027En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPBE65R050CFD7AATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPBE65R050CFD7AA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) AUTOMOTIVE_COOLMOS

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1,027En existencias

Cinta cortada

S/39.39

S/27.82

S/23.18

S/21.80

Envase tipo carrete

S/19.31

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPD60R180P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/11.87
6,267En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R180P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R180P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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6,267En existencias

Cinta cortada

S/11.87

S/7.57

S/5.25

S/4.43

Envase tipo carrete

S/3.74

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

IPD60R180P7SAUMA1
Infineon Technologies
1: S/8.26
11,227En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R180P7SAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R180P7SAUMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) CONSUMER

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11,227En existencias

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Cinta cortada

S/8.26

S/5.29

S/3.53

S/2.80

S/2.58

Envase tipo carrete

S/2.34

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

IPD60R280P7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/9.72
3,474En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD60R280P7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD60R280P7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) LOW POWER_NEW

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3,474En existencias

Cinta cortada

S/9.72

S/7.14

S/4.95

S/3.92

S/3.59

Envase tipo carrete

S/2.61

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

IPD65R190C7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/15.05
2,455En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD65R190C7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD65R190C7ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW

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Hoja de datos

2,455En existencias

Cinta cortada

S/15.05

S/9.76

S/6.49

S/5.38

S/5.16

Envase tipo carrete

S/4.90

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 6A DPAK-2

IPD65R660CFDA
Infineon Technologies
1: S/9.72
4,066En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD65R660CFDA

N.º de artículo de Mouser
726-IPD65R660CFDA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 650V 6A DPAK-2

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Hoja de datos

4,066En existencias

Cinta cortada

S/9.72

S/6.24

S/4.24

S/3.38

S/3.22

Envase tipo carrete

S/2.94

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

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