Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOS10 DPAK 80V 5.1mohm
TK5R1P08QM,RQ
Toshiba
1:
S/10.06
4,465 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TK5R1P08QMRQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOS10 DPAK 80V 5.1mohm
4,465 En existencias
1
S/10.06
10
S/6.49
100
S/4.43
500
S/3.53
1,000
S/3.38
2,500
S/3.21
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOS10 TO-220AB 80V 5.3mohm
TK5R3E08QM,S1X
Toshiba
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5,924 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TK5R3E08QMS1X
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) UMOS10 TO-220AB 80V 5.3mohm
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S/11.18
10
S/4.64
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S/3.87
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Optoacopladores de salida Triac y SCR Phototriac 600V 3750Vrms 70mA
TLP267J(TPL,E
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S/4.13
37,273 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TLP267JTPLE
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Optoacopladores de salida Triac y SCR Phototriac 600V 3750Vrms 70mA
37,273 En existencias
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1
S/4.13
10
S/2.88
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S/2.12
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S/1.79
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S/1.47
6,000
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S/1.68
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S/1.39
9,000
S/1.32
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S/1.29
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Optoacopladores de salida de transistores 4ch Transistor opto coupler
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TLP292-4(TPR,E
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20,912 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TLP292-4TPRE
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Optoacopladores de salida de transistores 4ch Transistor opto coupler
20,912 En existencias
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1
S/7.14
10
S/5.12
100
S/3.84
500
S/3.30
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S/2.88
4,000
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S/3.12
4,000
S/2.70
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S/2.61
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Optoacopladores de salida de transistores Photocoupler 350V .05A 5000Vrms
TLP388(D4GB-TR,E
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13,658 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TLP388D4GB-TRE
Toshiba
Optoacopladores de salida de transistores Photocoupler 350V .05A 5000Vrms
13,658 En existencias
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1
S/3.40
10
S/2.37
100
S/1.73
500
S/1.45
3,000
S/1.17
6,000
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S/1.35
6,000
S/1.11
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S/1.05
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Optoacopladores de salida de fotodiodo Photovoltaic Coupler; High Voc; SO6L; RoHS; VDE
360°
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TLP3910(D4C20TPE
Toshiba
1:
S/14.79
2,701 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TLP3910D4C20TPE
Toshiba
Optoacopladores de salida de fotodiodo Photovoltaic Coupler; High Voc; SO6L; RoHS; VDE
2,701 En existencias
1
S/14.79
10
S/9.07
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S/7.48
500
S/6.79
1,000
S/6.54
1,500
S/6.28
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Optoacopladores de salida de fotodiodo Photovoltaic Coupler; High Voc; SO6L; RoHS
360°
TLP3910(TP,E
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S/14.79
8,251 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TLP3910TPE
Toshiba
Optoacopladores de salida de fotodiodo Photovoltaic Coupler; High Voc; SO6L; RoHS
8,251 En existencias
1
S/14.79
10
S/10.88
100
S/8.51
500
S/7.48
1,500
S/6.58
3,000
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1,000
S/6.92
3,000
S/6.41
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Controladores de puerta con aislamiento óptico Gate Drive Coupler 10V 2.5A
TLP5772(TP,E
Toshiba
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1,531 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TLP5772TPE
Toshiba
Controladores de puerta con aislamiento óptico Gate Drive Coupler 10V 2.5A
1,531 En existencias
1
S/10.02
10
S/7.22
100
S/5.55
500
S/4.99
1,500
S/4.01
3,000
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1,000
S/4.21
3,000
S/3.92
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Optoacopladores de salida de fotodiodo PV Coupler Automotive; AEC-Q101
TLX9905(TPL,F
Toshiba
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S/17.67
1,212 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TLX9905TPLF
Toshiba
Optoacopladores de salida de fotodiodo PV Coupler Automotive; AEC-Q101
1,212 En existencias
1
S/17.67
10
S/13.03
100
S/10.28
500
S/9.12
3,000
S/8.17
6,000
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S/8.69
6,000
S/7.96
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR
TPH2R003PL,LQ
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S/7.18
5,165 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TPH2R003PLLQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR
5,165 En existencias
1
S/7.18
10
S/4.56
100
S/3.05
500
S/2.40
1,000
S/2.19
3,000
S/2.02
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40 Volt N-Channel
TPH3R704PL,L1Q
Toshiba
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S/5.72
8,591 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TPH3R704PLL1Q
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40 Volt N-Channel
8,591 En existencias
1
S/5.72
10
S/3.60
100
S/2.38
500
S/1.86
5,000
S/1.49
25,000
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S/1.57
25,000
S/1.47
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X35PBF Power MOSFET Trans VGS10V VDS30V
TPN2R203NC,L1Q
Toshiba
1:
S/7.53
13,454 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TPN2R203NCL1Q
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X35PBF Power MOSFET Trans VGS10V VDS30V
13,454 En existencias
1
S/7.53
10
S/4.82
100
S/3.20
500
S/2.52
1,000
Ver
5,000
S/2.15
1,000
S/2.30
2,500
S/2.17
5,000
S/2.15
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X35PBF Power MOSFET Trans VGS4.5VVDS30V
TPN2R703NL,L1Q
Toshiba
1:
S/7.53
19,650 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TPN2R703NLL1Q
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) X35PBF Power MOSFET Trans VGS4.5VVDS30V
19,650 En existencias
1
S/7.53
10
S/4.82
100
S/3.20
500
S/2.52
1,000
Ver
5,000
S/2.15
1,000
S/2.30
2,500
S/2.17
5,000
S/2.15
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 22A 27W UMOSVIII 710pF 11nC
TPN30008NH,LQ
Toshiba
1:
S/7.10
11,567 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TPN30008NHLQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 22A 27W UMOSVIII 710pF 11nC
11,567 En existencias
1
S/7.10
10
S/4.52
100
S/3.01
500
S/2.37
1,000
S/2.16
3,000
S/1.98
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 132W 1MHz Automotive; AEC-Q101
TPW1R104PB,L1XHQ
Toshiba
1:
S/9.85
17,051 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TPW1R104PB,L1XHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 132W 1MHz Automotive; AEC-Q101
17,051 En existencias
1
S/9.85
10
S/4.56
100
S/3.56
500
S/3.17
1,000
Ver
5,000
S/3.10
1,000
S/3.14
2,500
S/3.13
5,000
S/3.10
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Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR
TPW2900ENH,L1Q
Toshiba
1:
S/15.78
1,414 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-TPW2900ENHL1Q
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) POWER MOSFET TRANSISTOR
1,414 En existencias
1
S/15.78
10
S/10.32
100
S/7.22
500
S/6.36
1,000
S/5.93
5,000
S/5.93
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=170W F=1MHZ AEC-Q101
XPH4R10ANB,L1XHQ
Toshiba
1:
S/9.93
6,890 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-XPH4R10ANBL1XHQ
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PD=170W F=1MHZ AEC-Q101
6,890 En existencias
1
S/9.93
10
S/6.41
100
S/4.34
500
S/3.47
1,000
Ver
5,000
S/3.15
1,000
S/3.20
2,500
S/3.15
5,000
S/3.15
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Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Sm Sig FET Id 0.2A 30V 20V
2SK2009TE85LF
Toshiba
1:
S/3.53
23,020 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-2SK2009TE85LF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch Sm Sig FET Id 0.2A 30V 20V
23,020 En existencias
1
S/3.53
10
S/2.18
100
S/1.41
500
S/1.08
3,000
S/0.808
6,000
Ver
1,000
S/0.972
6,000
S/0.753
9,000
S/0.744
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Detalles
Codificadores, decodificadores, multiplexores y demultiplexores 74HC CMOS logic IC series 6V 16 pins
+4 imágenes
74HC151D(BJ)
Toshiba
1:
S/3.40
12,802 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-74HC151DBJ
Toshiba
Codificadores, decodificadores, multiplexores y demultiplexores 74HC CMOS logic IC series 6V 16 pins
12,802 En existencias
1
S/3.40
10
S/2.05
25
S/1.71
100
S/1.29
2,500
S/0.731
5,000
Ver
250
S/1.11
500
S/0.968
1,000
S/0.864
5,000
S/0.632
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Detalles
Básculas electrónicas CMOS Logic IC Series
+5 imágenes
74VHC574FT(BE)
Toshiba
1:
S/3.74
60,783 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-74VHC574FTBE
Toshiba
Básculas electrónicas CMOS Logic IC Series
60,783 En existencias
1
S/3.74
10
S/2.23
25
S/1.87
100
S/1.41
2,500
S/0.796
5,000
Ver
250
S/1.20
500
S/1.05
1,000
S/0.942
5,000
S/0.688
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Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS ESD Standard Type Protection Diode
DF5A3.6FU(TE85L,F)
Toshiba
1:
S/1.55
51,451 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-DF5A36FUTE85LF
Toshiba
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS ESD Standard Type Protection Diode
51,451 En existencias
1
S/1.55
10
S/1.31
100
S/0.662
500
S/0.542
3,000
S/0.335
6,000
Ver
1,000
S/0.40
6,000
S/0.318
9,000
S/0.28
24,000
S/0.249
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Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS X34 ESD Protection Diode ESV package
DF5A6.2CJE,LM
Toshiba
1:
S/0.731
107,087 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-DF5A62CJELM
Toshiba
Diodos de protección contra ESD / Diodos TVS X34 ESD Protection Diode ESV package
107,087 En existencias
1
S/0.731
10
S/0.486
100
S/0.211
500
S/0.206
1,000
S/0.202
4,000
S/0.12
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Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Transistores digitales AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-symmetrical) NPN x 2 Q1BSR=4.7kO, Q1BER=4.7kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-563)
RN1901FE,LXHF(CT
Toshiba
1:
S/1.72
34,670 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-RN1901FELXHFCT
Toshiba
Transistores digitales AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-symmetrical) NPN x 2 Q1BSR=4.7kO, Q1BER=4.7kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-563)
34,670 En existencias
1
S/1.72
10
S/1.07
100
S/0.671
500
S/0.503
1,000
Ver
4,000
S/0.314
1,000
S/0.447
2,000
S/0.40
4,000
S/0.314
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Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) WCSP6C S-MOS TRSTR Pd=0mW F=1MHz
SSM6K781G,LF
Toshiba
1:
S/3.27
51,796 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-SSM6K781GLF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) WCSP6C S-MOS TRSTR Pd=0mW F=1MHz
51,796 En existencias
1
S/3.27
10
S/2.03
100
S/1.31
500
S/1.00
3,000
S/0.735
6,000
Ver
1,000
S/0.899
6,000
S/0.684
9,000
S/0.679
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Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SM Sig N-CH MOS 0.1A 30V -20 VGSS
SSM6N15AFU,LF
Toshiba
1:
S/1.33
320,012 En existencias
N.º de artículo de Mouser 757-SSM6N15AFULF
Toshiba
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SM Sig N-CH MOS 0.1A 30V -20 VGSS
320,012 En existencias
1
S/1.33
10
S/0.817
100
S/0.512
500
S/0.378
3,000
S/0.258
6,000
Ver
1,000
S/0.327
6,000
S/0.237
9,000
S/0.202
24,000
S/0.198
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Min.: 1 Mult.: 1
Detalles
