SSM6K781G,LF

Toshiba
757-SSM6K781GLF
SSM6K781G,LF

Fabricante:

Descripción:
Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) WCSP6C S-MOS TRSTR Pd=0mW F=1MHz

Modelo ECAD:
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Precio (PEN)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™
S/ 3.27 S/ 3.27
S/ 2.03 S/ 20.30
S/ 1.31 S/ 131.00
S/ 1.00 S/ 500.00
S/ 0.899 S/ 899.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 3000)
S/ 0.735 S/ 2,205.00
S/ 0.684 S/ 4,104.00
S/ 0.679 S/ 6,111.00
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Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Toshiba
Categoría de producto: Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:  
Si
SMD/SMT
WCSP6C-6
N-Channel
1 Channel
12 V
7 A
14.4 mOhms
- 8 V, 8 V
400 mV
5.4 nC
- 55 C
+ 150 C
1.6 W
Enhancement
U-MOSVII-H
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marca: Toshiba
Configuración: Single
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: TW
Sensibles a la humedad: Yes
Tipo de producto: MOSFETs
Serie: SSM6K
Cantidad de empaque de fábrica: 3000
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Peso de la unidad: 1.400 mg
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Atributos seleccionados: 0

CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541210000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541210101
KRHTS:
8541219000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

U-MOSVII-H MOSFETs

Toshiba U-MOSVII-H MOSFETs are logic-level gate drive and low-voltage gate drive devices offered in both single-channel and dual-channel variants. These devices have a drain-source voltage range of 12V to 60V and a continuous drain current range from 0.15m to 9.0A. Toshiba U-MOSVII-H MOSFETs are offered in a wide range of compact, surface-mounted package types, making them ideal for high-density applications.