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IQEH80NE2LM7UCGSCATMA1

Name: Infineon IQEH80NE2LM7UCGSCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-IQEH80NE2LM7UCGS
Price: 11.35 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

726-IQEH80NE2LM7UCGS

Fabricante N.º:

IQEH80NE2LM7UCGSCATMA1

Fabricante:

Infineon Technologies

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V

Ciclo de vida:

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	S/11.35	S/11.35
	S/7.31	S/73.10
	S/5.03	S/503.00
	S/4.02	S/2,010.00
	S/3.81	S/3,810.00
	S/3.80	S/9,500.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 6000)
	S/3.62	S/21,720.00

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Polaridad del transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	25 V
Id - Corriente de drenaje continua:	282 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	800 uOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	16 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	2 V
Qg - Carga de puerta:	17.2 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 175 C
Dp - Disipación de potencia :	107 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	OptiMOS
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Infineon Technologies
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	AT
Tiempo de caída:	2.7 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	50 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	1.4 ns
Serie:	OptiMOS 7
Cantidad de empaque de fábrica:	6000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	20.1 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	5.4 ns
Alias de las piezas n.º:	IQEH80NE2LM7UCGSC SP006008718

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs

Infineon N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs are class-leading power MOSFETs for the highest power density and energy-efficient solutions. Ultra-low gate and output charges, together with the lowest on-state resistance in small footprint packages, make ideal choices for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, datacom, and telecom applications. Superfast switching Control FETs, together with low EMI Sync FETs, provide solutions that are easy to design. Infineon N-Channel OptiMOS™ Power MOSFETs provide excellent gate charge and are optimized for DC-DC conversion.

N-Channel OptiMOS™ 7 Power MOSFETs

Infineon Technologies N-Channel OptiMOS™ 7 Power MOSFETs are high-performance N-channel transistors designed for demanding power conversion applications. These MOSFETs offer very low on-resistance, superior thermal resistance, and excellent Miller ratio for dv/dt ruggedness. The OptiMOS™ 7 power MOSFETs are optimized for both hard-switching and soft-switching topologies, and FOM_oss. These MOSFETs are 100% avalanche tested and are RoHS compliant. The OptiMOS™ 7 power MOSFETs are halogen-free according to IEC61249‑2‑21.