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Infineon OptiMOS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 794

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 power MOSFET for automotive applications

IAUCN04S7N010GATMA1
Infineon Technologies
1: S/9.03
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IAUCN04S7N010GATMA1

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726-IAUCN04S7N010GAT

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 power MOSFET for automotive applications

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S/9.03

S/5.81

S/4.00

S/3.39

S/2.88

Envase tipo carrete

S/2.69

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Mult.: 1

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SMD/SMT

PG-THSOG-4-1

N-Channel

1 Channel

40 V

252 A

1.04 mOhms

20 V

3 V

59 nC

- 55 C

+ 175 C

123 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V

IQE036N08NM6SCATMA1
Infineon Technologies
1: S/17.42
630En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IQE036N08NM6SCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE036N08NM6SCAT

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 n-channel power MOSFET 80 V

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Cinta cortada

S/17.42

S/11.40

S/8.00

S/6.71

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Envase tipo carrete

S/5.81

Min.: 1
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Carrete: 6,000

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 8 Power MOSFET, 80 V

ISC016N08NM8ATMA1
Infineon Technologies
1: S/19.95
500En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
ISC016N08NM8ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC016N08NM8ATMA

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 8 Power MOSFET, 80 V

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S/19.95

S/13.03

S/10.19

S/8.51

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Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

PG-TDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

268 A

1.54 mOhms

20 V

3.5 V

76 nC

- 55 C

+ 175 C

263 W

Enhancement

OptiMOS

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250 A, 40 V, Automotive Power MOSFET with OptiMOS-7 Technology

IAUMN04S7N005GAUMA1
Infineon Technologies
1: S/19.95
2,698En existencias
200En pedido
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IAUMN04S7N005GAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUMN04S7N005GAU

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250 A, 40 V, Automotive Power MOSFET with OptiMOS-7 Technology

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S/19.95

S/13.20

S/10.32

S/9.20

S/8.13

Envase tipo carrete

S/8.13

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OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IAUCN04S7N040DATMA1
Infineon Technologies
1: S/9.29
9,994En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IAUCN04S7N040DATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN04S7N040DAT

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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S/9.29

S/5.93

S/3.97

S/3.15

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Envase tipo carrete

S/2.44

MouseReel Disponible

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OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

IPTC039N15NM5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/29.15
5,739En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPTC039N15NM5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-TC039N15NM5ATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V

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Cinta cortada

S/29.15

S/19.65

S/14.53

S/14.49

S/13.72

Envase tipo carrete

S/13.55

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

HDSOP-16

N-Channel

1 Channel

150 V

190 A

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- 20 V, 20 V

3 V

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+ 175 C

319 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 95A TDSON-8

BSC052N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/10.15
16,913En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC052N08NS5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC052N08NS5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 95A TDSON-8

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Cinta cortada

S/10.15

S/6.62

S/5.29

S/4.34

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Envase tipo carrete

S/4.01

MouseReel Disponible

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Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

95 A

7.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2.2 V

32 nC

- 55 C

+ 150 C

83 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 90A DPAK-2

IPD025N06N
Infineon Technologies
1: S/13.29
13,674En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD025N06N

N.º de artículo de Mouser
726-IPD025N06N

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 90A DPAK-2

Hoja de datos

13,674En existencias

Cinta cortada

S/13.29

S/8.60

S/6.32

S/5.33

S/4.69

Envase tipo carrete

S/4.60

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

60 V

90 A

2.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

83 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

IPD053N08N3GATMA1
Infineon Technologies
1: S/9.50
50,360En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD053N08N3GATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD053N08N3GA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET > 60-80V

Hoja de datos

50,360En existencias

Cinta cortada

S/9.50

S/6.88

S/5.42

S/4.86

Envase tipo carrete

S/4.86

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

80 V

90 A

5.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

52 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 30A DPAK-2 OptiMOS

IPD30N08S2L21ATMA1
Infineon Technologies
1: S/10.45
36,720En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD30N08S2L21ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD30N08S2L21ATM

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 30A DPAK-2 OptiMOS

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Hoja de datos

36,720En existencias

Cinta cortada

S/10.45

S/6.75

S/4.60

S/3.68

S/3.62

Envase tipo carrete

S/3.38

MouseReel Disponible

Min.: 1
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Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

75 V

30 A

15.9 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

72 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 7.7A DSO-8 OptiMOS 3M

BSO220N03MDGXUMA1
Infineon Technologies
1: S/5.20
62,877En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSO220N03MDGXUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSO220N03MDGXUMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 7.7A DSO-8 OptiMOS 3M

Hoja de datos

62,877En existencias

Cinta cortada

S/5.20

S/3.25

S/2.13

S/1.66

S/1.51

Envase tipo carrete

S/1.23

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

2 Channel

30 V

7.7 A

21.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

7.8 nC

- 55 C

+ 150 C

2 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200 A, 40 V, Automotive Power MOSFET with OptiMOS-7 Technology

IAUMN04S7N006GAUMA1
Infineon Technologies
1: S/14.19
170En existencias
200En pedido
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IAUMN04S7N006GAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUMN04S7N006GAU

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200 A, 40 V, Automotive Power MOSFET with OptiMOS-7 Technology

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170En existencias

200En pedido

Cinta cortada

S/14.19

S/9.72

S/8.26

S/6.62

S/6.49

Envase tipo carrete

S/6.49

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150 A, 40 V, Automotive Power MOSFET with OptiMOS-7 Technology

IAUMN04S7N011GAUMA1
Infineon Technologies
1: S/13.89
130En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IAUMN04S7N011GAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUMN04S7N011GAU

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 150 A, 40 V, Automotive Power MOSFET with OptiMOS-7 Technology

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Hoja de datos

130En existencias

Cinta cortada

S/13.89

S/9.03

S/6.62

S/5.55

S/5.16

Envase tipo carrete

S/4.82

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200 A, 40 V, Automotive Power MOSFET with OptiMOS-7 Technology

IAUMN04S7N009GAUMA1
Infineon Technologies
1: S/15.31
186En existencias
200En pedido
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IAUMN04S7N009GAUMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUMN04S7N009GAU

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 200 A, 40 V, Automotive Power MOSFET with OptiMOS-7 Technology

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Hoja de datos

186En existencias

200En pedido

Cinta cortada

S/15.31

S/9.98

S/7.83

S/6.58

S/6.06

Envase tipo carrete

S/5.68

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(120V,300V)

IPD70N12S311ATMA1
Infineon Technologies
1: S/12.21
15,706En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD70N12S311ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD70N12S311ATMA

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(120V,300V)

Hoja de datos

15,706En existencias

Cinta cortada

S/12.21

S/7.65

S/5.46

S/4.47

S/4.18

Envase tipo carrete

S/4.18

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

120 V

70 A

9.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

65 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

AEC-Q101

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 40A TDSON-8

BSZ042N06NSATMA1
Infineon Technologies
1: S/5.50
39,133En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ042N06NSATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ042N06NSATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 40A TDSON-8

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Hoja de datos

39,133En existencias

Cinta cortada

S/5.50

S/4.21

S/3.50

S/2.98

Ver

Envase tipo carrete

S/2.61

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

98 A

4.9 mOhms

- 20 V, 20 V

2.8 V

27 nC

- 55 C

+ 150 C

69 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS

BSC010N04LSATMA1
Infineon Technologies
1: S/10.71
66,293En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC010N04LSATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC010N04LSATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 100A TDSON-8 FL OptiMOS

Obtenga más información

Hoja de datos

66,293En existencias

Cinta cortada

S/10.71

S/7.22

S/4.95

S/3.95

Ver

Envase tipo carrete

S/3.28

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

1 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

133 nC

- 55 C

+ 150 C

139 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

IPD068N10N3GATMA1
Infineon Technologies
1: S/7.83
33,251En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD068N10N3GATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD068N10N3GATMA

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >80 - 100V

Hoja de datos

33,251En existencias

Cinta cortada

S/7.83

S/5.72

S/4.30

S/4.14

Envase tipo carrete

S/4.14

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

90 A

6.8 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

51 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC110N06NS3 G
Infineon Technologies
1: S/6.15
83,662En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC110N06NS3 G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC110N06NS3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 50A TDSON-8 OptiMOS 3

Obtenga más información

Hoja de datos

83,662En existencias

Cinta cortada

S/6.15

S/3.85

S/2.56

S/2.02

Envase tipo carrete

S/1.67

Ver

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

50 A

9 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

33 nC

- 55 C

+ 150 C

50 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DIFFERENTIATED MOSFETS

BSC065N06LS5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/8.51
78,455En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC065N06LS5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC065N06LS5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) DIFFERENTIATED MOSFETS

Obtenga más información

Hoja de datos

78,455En existencias

Cinta cortada

S/8.51

S/5.38

S/3.67

S/2.91

Ver

Envase tipo carrete

S/2.55

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

64 A

5.3 mOhms

- 20 V, 20 V

1.1 V

13 nC

- 55 C

+ 150 C

46 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8

BSZ075N08NS5ATMA1
Infineon Technologies
1: S/6.54
69,466En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ075N08NS5ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ075N08NS5ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 40A TSDSON-8

Obtenga más información

Hoja de datos

69,466En existencias

Cinta cortada

S/6.54

S/4.60

S/3.75

S/3.23

Ver

Envase tipo carrete

S/2.89

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

40 A

8.5 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

24 nC

- 55 C

+ 150 C

69 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)

IAUC120N06S5N022ATMA1
Infineon Technologies
1: S/11.18
1,189En existencias
4,900En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IAUC120N06S5N022ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUC120N06S5N022

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)

Hoja de datos

1,189En existencias

4,900En pedido

Cinta cortada

S/11.18

S/7.18

S/4.90

S/3.90

Ver

Envase tipo carrete

S/3.16

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

170 A

2.24 mOhms

- 20 V, 20 V

2.8 V

68 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

AEC-Q101

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 33A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC360N15NS3 G
Infineon Technologies
1: S/10.49
7,053En existencias

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BSC360N15NS3 G

N.º de artículo de Mouser
726-BSC360N15NS3G

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 33A TDSON-8 OptiMOS 3

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S/4.56

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Envase tipo carrete

S/3.29

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

150 V

33 A

36 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

12 nC

- 55 C

+ 150 C

74 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS

BSC014N06NS
Infineon Technologies
1: S/16.34
6,638En existencias
5,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
BSC014N06NS

N.º de artículo de Mouser
726-BSC014N06NS

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 60V 100A TDSON-8 OptiMOS

Hoja de datos

6,638En existencias

5,000En pedido

Cinta cortada

S/16.34

S/10.66

S/8.34

S/7.01

S/6.28

Envase tipo carrete

S/6.06

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

100 A

1.45 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

89 nC

- 55 C

+ 150 C

156 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 81A TDSON-8 OptiMOS 3

BSC054N04NSGATMA1
Infineon Technologies
1: S/5.33
53,892En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
BSC054N04NSGATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC054N04NSGATMA

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 81A TDSON-8 OptiMOS 3

Hoja de datos

53,892En existencias

Cinta cortada

S/5.33

S/3.34

S/2.20

S/1.71

S/1.42

Envase tipo carrete

S/1.33

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

81 A

4.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

34 nC

- 55 C

+ 150 C

57 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon OptiMOS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

D2PAK-3 (TO-263-3)
DirectFET-SB
DPAK-3 (TO-252-3)
DSO-8
HDSOP-16
HSOF-5
HSOF-5-1
HSOF-5-2
HSOF-5-5
HSOF-8
HSOG-8
LHDSO-10
PG-HDSOP-16-1
PG-HSOF-8
PG-HSOF-8-1
PG-HSOG-8-1
PG-LHDSO-10-1
PG-LHDSO-10-2
PG-LHDSO-10-3
PG-TDSON-8

178 mA
4.7 A
5 A
7 A
7.7 A
7.8 A, 7.9 A
7.9 A
8.1 A, 8.4 A
8.8 A, 10.2 A
8.8 A, 9.6 A
9.3 A
9.6 A
10.9 A
11 A
11.3 A
13 A
15.2 A
18 A
18.5 A
20 A

290 uOhms
350 uOhms
360 uOhms
390 uOhms
400 uOhms
420 uOhms
450 uOhms
470 uOhms
480 uOhms
490 uOhms
500 uOhms
510 uOhms
540 uOhms
550 uOhms
570 uOhms
600 uOhms
640 uOhms
650 uOhms
680 uOhms
700 uOhms

700 mV
900 mV
1 V
1.1 V
1.2 V
1.3 V
1.5 V
1.6 V
1.7 V
1.8 V
1.9 V
2 V
2.1 V
2.2 V
2.3 V
2.4 V
2.5 V
2.6 V
2.7 V
2.8 V

3 nC, 8.8 nC
3.6 nC
5 nC, 23 nC
5.5 nC
5.6 nC
5.6 nC, 15 nC
5.6 nC, 16 nC
5.6 nC, 20 nC
6.4 nC
6.6 nC, 30.6 nC
6.8 nC
6.9 nC
7 nC
7.5 nC
7.8 nC
7.9 nC
7.9 nC, 8.1 nC
8 nC
8.3 nC
8.7 nC

125 mW
2 W
2.5 W
2.5 W, 6.25 W
25 W
26 W
27 W
28 W
29 W
30 W
31 W
32 W
33 W
33.8 W
34 W
35 W
36 W
37 W
37.5 W
38 W