TGS4306-FC

Qorvo
772-TGS4306-FC
TGS4306-FC

Fabricante:

Descripción:
Circuitos integrados de interruptores de RF 77GHz SP4T

Hoja de datos:
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Mínimo: 323   Múltiples: 323
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S/-.--
Precio ext.:
S/-.--
Est. Tarifa:

Precio (PEN)

Cantidad Precio unitario
Precio ext.
S/94.64 S/30,568.72
646 Presupuesto

Atributo del producto Valor de atributo Seleccionar atributo
Qorvo
Categoría de producto: Circuitos integrados de interruptores de RF
RoHS:  
77 GHz
Die
Si
TGS4306
Gel Pack
Marca: Qorvo
País de ensamblaje: Not Available
País de difusión: Not Available
País de origen: US
Tipo de producto: RF Switch ICs
Cantidad de empaque de fábrica: 323
Subcategoría: Wireless & RF Integrated Circuits
Alias de las piezas n.º: 1067656
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Atributos seleccionados: 0 

                        
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5-0810-13

Hoja de datos

PCN

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CNHTS:
8542319000
CAHTS:
8542330000
USHTS:
8542390090
JPHTS:
8542330996
KRHTS:
8532331000
MXHTS:
8542330299
ECCN:
EAR99

GaN Solutions

Qorvo is your smart RF partner for building solutions using Gallium Nitride (GaN) technology. No longer a technology just for defense and aerospace applications, GaN is enabling higher and higher frequencies in more complex applications, such as phased arrays, radar, base transceiver stations for 5G, cable TV (CATV), VSAT, and defense communications. Qorvo provides proven, record-setting GaN circuit reliability and compact, high-efficiency products. This paves the way for more robust performance, lower operating costs and longer operational lifetimes.

GaN Switches

Qorvo Gallium Nitride (GaN) Switches are suited for RF Switching applications and feature high breakdown voltages combined with the low on-resistance and off-state capacitance. This enables a dramatic increases in power handling. GaAs FET switches are widely used in the RF industry, and typically used for power levels on the order of a few watts or less. GaN FETs are able to use the same circuit architectures to handle power levels on the order of tens of watts.

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