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PowerMESH Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 12

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Nombre comercial = PowerMESH

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1700 V, 7 Ohm typ., 2.6 A, PowerMESH Power MOSFET in TO-247 package

STW3N170
STMicroelectronics
1: S/ 26.36
1,188En existencias
600En pedido

N.º de artículo del Fabricante
STW3N170

N.º de artículo de Mouser
511-STW3N170

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1700 V, 7 Ohm typ., 2.6 A, PowerMESH Power MOSFET in TO-247 package

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1,188En existencias

600En pedido

S/ 26.36

S/ 15.27

S/ 12.13

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-3PF-3

N-Channel

1 Channel

1.7 kV

2.6 A

13 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

44 nC

- 55 C

+ 150 C

63 W

Enhancement

PowerMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 40 Amp

STE40NC60
STMicroelectronics
1: S/ 169.03
146En existencias
100En pedido

N.º de artículo del Fabricante
STE40NC60

N.º de artículo de Mouser
511-STE40NC60

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600 Volt 40 Amp

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146En existencias

100En pedido

S/ 169.03

S/ 129.77

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

ISOTOP-4

N-Channel

1 Channel

600 V

40 A

130 mOhms

- 30 V, 30 V

2 V

430 nC

- 65 C

+ 150 C

460 W

Enhancement

PowerMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 53 Amp

STE53NC50
STMicroelectronics
1: S/ 163.40
162En existencias
300En pedido

N.º de artículo del Fabricante
STE53NC50

N.º de artículo de Mouser
511-STE53NC50

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 500 Volt 53 Amp

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162En existencias

300En pedido

S/ 163.40

S/ 133.56

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

ISOTOP-4

N-Channel

1 Channel

500 V

53 A

80 mOhms

- 30 V, 30 V

2 V

434 nC

- 65 C

+ 150 C

460 W

Enhancement

PowerMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1500 V 2.5 A PowerMESH

STFW3N150
STMicroelectronics
1: S/ 19.01
1,374En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STFW3N150

N.º de artículo de Mouser
511-STFW3N150

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1500 V 2.5 A PowerMESH

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Más información disponible

S/ 19.01

S/ 10.54

S/ 7.65

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-3PF-3

N-Channel

1 Channel

1.5 kV

2.5 A

9 Ohms

- 20 V, 20 V

3 V

29.3 nC

- 55 C

+ 150 C

63 W

Enhancement

PowerMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1500 V 4 A PowerMESH

STFW4N150
STMicroelectronics
1: S/ 28.55
1,371En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STFW4N150

N.º de artículo de Mouser
511-STFW4N150

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1500 V 4 A PowerMESH

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1,371En existencias

S/ 28.55

S/ 16.64

S/ 13.46

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-3PF-3

N-Channel

1 Channel

1.5 kV

4 A

7 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

50 nC

- 55 C

+ 150 C

63 W

Enhancement

PowerMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1500 V PowerMesh

STW4N150
STMicroelectronics
1: S/ 31.09
789En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW4N150

N.º de artículo de Mouser
511-STW4N150

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1500 V PowerMesh

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789En existencias

Más información disponible

S/ 31.09

S/ 17.93

S/ 14.75

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.5 kV

4 A

7 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

30 nC

- 55 C

+ 150 C

160 W

Enhancement

PowerMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 1500V HI-VOLT PWRMESH PWR MOSFET

STW9N150
STMicroelectronics
1: S/ 40.76
563En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW9N150

N.º de artículo de Mouser
511-STW9N150

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 1500V HI-VOLT PWRMESH PWR MOSFET

Hoja de datos

563En existencias

S/ 40.76

S/ 24.04

S/ 21.37

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.5 kV

8 A

2.5 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

89.3 nC

- 55 C

+ 150 C

320 W

Enhancement

PowerMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1700 V, 7 Ohm typ., 2.6 A, PowerMESH Power MOSFET in TO-3PF package

STFW3N170
STMicroelectronics
1: S/ 26.66
219En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STFW3N170

N.º de artículo de Mouser
511-STFW3N170

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1700 V, 7 Ohm typ., 2.6 A, PowerMESH Power MOSFET in TO-3PF package

Hoja de datos

219En existencias

Más información disponible

S/ 26.66

S/ 15.44

S/ 12.30

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-3PF-3

N-Channel

1 Channel

1.7 kV

2.6 A

7 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

44 nC

- 55 C

+ 150 C

63 W

Enhancement

PowerMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1500V 6Ohm 2.5A N-Channel

STP3N150
STMicroelectronics
1: S/ 23.52
78En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP3N150

N.º de artículo de Mouser
511-STP3N150

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1500V 6Ohm 2.5A N-Channel

Hoja de datos

78En existencias

Más información disponible

S/ 23.52

S/ 12.60

S/ 11.48

S/ 10.41

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

1.5 kV

2.5 A

9 Ohms

- 30 V, 30 V

5 V

29.3 nC

- 50 C

+ 150 C

140 W

Enhancement

PowerMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PowerMESH MOSFET

STP4N150
STMicroelectronics
1: S/ 24.08
476En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP4N150

N.º de artículo de Mouser
511-STP4N150

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PowerMESH MOSFET

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Hoja de datos

476En existencias

Más información disponible

S/ 24.08

S/ 12.69

S/ 11.65

S/ 11.14

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

1.5 kV

4 A

5 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

50 nC

- 55 C

+ 150 C

160 W

Enhancement

PowerMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 1500V 6Ohm 2.5A PowerMESH

STH3N150-2
STMicroelectronics
1: S/ 25.89

N.º de artículo del Fabricante
STH3N150-2

N.º de artículo de Mouser
511-STH3N150-2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 1500V 6Ohm 2.5A PowerMESH

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Más información disponible

Cinta cortada

S/ 25.89

S/ 17.37

S/ 12.51

S/ 12.38

Envase tipo carrete

S/ 11.57

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

H2PAK-2

N-Channel

1 Channel

1.5 kV

2.5 A

9 Ohms

- 20 V, 20 V

3 V

29.3 nC

- 55 C

+ 150 C

140 W

Enhancement

PowerMESH

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1500V 6Ohm 2.5A N-Channel

STW3N150
STMicroelectronics
1: S/ 19.26

N.º de artículo del Fabricante
STW3N150

N.º de artículo de Mouser
511-STW3N150

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 1500V 6Ohm 2.5A N-Channel

Hoja de datos

Más información disponible

S/ 19.26

S/ 11.48

S/ 9.50

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

1.5 kV

2.5 A

9 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

29.3 nC

- 55 C

+ 150 C

140 W

Enhancement

PowerMESH

Tube

PowerMESH Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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