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MOSIX Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 8

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Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-220SIS PD=30W 1MHz PWR MOSFET TRNS

TK2K2A60F,S4X
Toshiba
1: S/7.01
340En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK2K2A60F,S4X

N.º de artículo de Mouser
757-TK2K2A60FS4X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-220SIS PD=30W 1MHz PWR MOSFET TRNS

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340En existencias

S/7.01

S/3.70

S/2.92

S/2.15

S/1.83

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

3.5 A

2.2 Ohms

- 30 V, 30 V

4 V

13 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

MOSIX

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-220SIS PD=40W 1MHz PWR MOSFET TRNS

TK1K0A60F,S4X
Toshiba
1: S/8.04
39En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK1K0A60F,S4X

N.º de artículo de Mouser
757-TK1K0A60FS4X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-220SIS PD=40W 1MHz PWR MOSFET TRNS

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39En existencias

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S/8.04

S/3.85

S/3.75

S/2.73

S/2.45

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

7.5 A

1 Ohms

- 30 V, 30 V

4 V

24 nC

- 55 C

+ 150 C

40 W

Enhancement

MOSIX

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch TT-MOSIX 600V 40W 1130pF 10A

TK750A60F,S4X
Toshiba
1: S/12.17
114En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK750A60F,S4X

N.º de artículo de Mouser
757-TK750A60FS4X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch TT-MOSIX 600V 40W 1130pF 10A

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Hoja de datos

114En existencias

S/12.17

S/6.06

S/5.42

S/4.39

S/4.34

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

10 A

750 mOhms

- 30 V, 30 V

2 V

30 nC

- 55 C

+ 150 C

40 W

Enhancement

MOSIX

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch TT-MOSIX 600V 35W 740pF 6A

TK1K2A60F,S4X
Toshiba
1: S/7.65
228En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK1K2A60F,S4X

N.º de artículo de Mouser
757-TK1K2A60FS4X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch TT-MOSIX 600V 35W 740pF 6A

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228En existencias

S/7.65

S/3.66

S/3.50

S/2.34

S/2.29

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220SIS-3

N-Channel

1 Channel

600 V

6 A

1.2 Ohms

- 30 V, 30 V

2 V

21 nC

+ 150 C

35 W

Enhancement

MOSIX

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-220SIS PD=30W 1MHz PWR MOSFET TRNS

TK4K1A60F,S4X
Toshiba
1: S/5.93
243En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK4K1A60F,S4X

N.º de artículo de Mouser
757-TK4K1A60FS4X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-220SIS PD=30W 1MHz PWR MOSFET TRNS

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243En existencias

S/5.93

S/2.78

S/2.55

S/1.93

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

2 A

4.1 Ohms

- 30 V, 30 V

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8 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

MOSIX

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch TT-MOSIX 600V 45W 1320pF 11A

TK650A60F,S4X
Toshiba
1: S/9.20
277En existencias

N.º de artículo del Fabricante
TK650A60F,S4X

N.º de artículo de Mouser
757-TK650A60FS4X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch TT-MOSIX 600V 45W 1320pF 11A

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277En existencias

S/9.20

S/4.47

S/4.43

S/3.19

S/2.96

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220SIS-3

N-Channel

1 Channel

600 V

11 A

650 mOhms

- 30 V, 30 V

2 V

34 nC

+ 150 C

45 W

Enhancement

MOSIX

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-220SIS PD=35W 1MHz PWR MOSFET TRNS

TK1K7A60F,S4X
Toshiba
1: S/6.88

N.º de artículo del Fabricante
TK1K7A60F,S4X

N.º de artículo de Mouser
757-TK1K7A60FS4X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TO-220SIS PD=35W 1MHz PWR MOSFET TRNS

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S/6.88

S/3.28

S/2.84

S/2.30

S/1.99

Min.: 1
Mult.: 1

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TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

4 A

1.7 Ohms

- 30 V, 30 V

4 V

16 nC

- 55 C

+ 150 C

35 W

Enhancement

MOSIX

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch TT-MOSIX 600V 30W 490pF 3.7A

TK1K9A60F,S4X
Toshiba
1: S/6.88
Plazo de entrega 17 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
TK1K9A60F,S4X

N.º de artículo de Mouser
757-TK1K9A60FS4X

Toshiba

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch TT-MOSIX 600V 30W 490pF 3.7A

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Plazo de entrega 17 Semanas

S/6.88

S/2.82

S/2.42

S/2.03

S/1.99

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Through Hole

TO-220-3

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1 Channel

600 V

3.7 A

1.9 Ohms

- 30 V, 30 V

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