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EPAD Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 20

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Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

ALD210808PCL
Advanced Linear Devices
1: S/ 39.09
18En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD210808PCL

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585-ALD210808PCL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

Hoja de datos

18En existencias

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10.6 V

80 mA

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820 mV

0 C

+ 70 C

500 mW

Enhancement

EPAD

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

ALD212902PAL
Advanced Linear Devices
1: S/ 39.73
34En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD212902PAL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD212902PAL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

Hoja de datos

34En existencias

S/ 39.73

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+ 70 C

500 mW

Enhancement

EPAD

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

ALD212908SAL
Advanced Linear Devices
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16En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD212908SAL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD212908SAL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

Hoja de datos

16En existencias

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2 Channel

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500 mW

Enhancement

EPAD

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

ALD212914SAL
Advanced Linear Devices
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32En existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD212914SAL

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585-ALD212914SAL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

Hoja de datos

32En existencias

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79 mA

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500 mW

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EPAD

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

ALD210802PCL
Advanced Linear Devices
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No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD210802PCL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD210802PCL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

Hoja de datos

No en existencias

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EPAD

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

ALD210802SCL
Advanced Linear Devices
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No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD210802SCL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD210802SCL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

Hoja de datos

No en existencias

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

ALD210804PCL
Advanced Linear Devices
50: S/ 29.84
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD210804PCL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD210804PCL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

Hoja de datos

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

ALD210804SCL
Advanced Linear Devices
50: S/ 26.96
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ALD210804SCL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD210804SCL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

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Advanced Linear Devices
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N.º de artículo del Fabricante
ALD210808APCL

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Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

Hoja de datos

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

ALD210808ASCL
Advanced Linear Devices
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N.º de artículo del Fabricante
ALD210808ASCL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD210808ASCL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

Hoja de datos

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S/ 35.30

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EPAD

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

ALD210808SCL
Advanced Linear Devices
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N.º de artículo del Fabricante
ALD210808SCL

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585-ALD210808SCL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

Hoja de datos

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S/ 27.18

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EPAD

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ALD210814PCL
Advanced Linear Devices
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ALD210814PCL

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585-ALD210814PCL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

Hoja de datos

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S/ 29.84

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PDIP-16

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EPAD

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

ALD210814SCL
Advanced Linear Devices
50: S/ 26.96
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N.º de artículo del Fabricante
ALD210814SCL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD210814SCL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Quad N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

Hoja de datos

No en existencias

S/ 26.96

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EPAD

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

ALD212902SAL
Advanced Linear Devices
50: S/ 26.27
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD212902SAL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD212902SAL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

Hoja de datos

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S/ 26.27

S/ 21.24

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SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

2 Channel

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EPAD

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

ALD212904PAL
Advanced Linear Devices
50: S/ 28.04
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD212904PAL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD212904PAL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

Hoja de datos

No en existencias

S/ 28.04

S/ 23.39

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EPAD

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

ALD212904SAL
Advanced Linear Devices
50: S/ 26.27
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD212904SAL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD212904SAL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

Hoja de datos

No en existencias

S/ 26.27

S/ 21.24

S/ 18.88

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SOIC-8

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EPAD

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

ALD212908APAL
Advanced Linear Devices
50: S/ 42.48
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD212908APAL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD212908APAL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

Hoja de datos

No en existencias

S/ 42.48

S/ 35.43

S/ 31.56

S/ 29.50

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PDIP-8

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2 Channel

10.6 V

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EPAD

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

ALD212908ASAL
Advanced Linear Devices
50: S/ 36.51
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD212908ASAL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD212908ASAL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

Hoja de datos

No en existencias

S/ 36.51

S/ 30.40

S/ 27.09

S/ 25.33

Min.: 50
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SMD/SMT

SOIC-8

N-Channel

2 Channel

10.6 V

80 mA

14 Ohms

- 12 V, 12 V

820 mV

0 C

+ 70 C

500 mW

Enhancement

EPAD

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

ALD212908PAL
Advanced Linear Devices
50: S/ 28.04
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD212908PAL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD212908PAL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

Hoja de datos

No en existencias

S/ 28.04

S/ 23.39

S/ 20.81

S/ 19.48

Min.: 50
Mult.: 50

Through Hole

PDIP-8

N-Channel

2 Channel

10 V

79 mA

14 Ohms

- 12 V, 12 V

780 mV

0 C

+ 70 C

500 mW

Enhancement

EPAD

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

ALD212914PAL
Advanced Linear Devices
50: S/ 36.46
No en existencias

N.º de artículo del Fabricante
ALD212914PAL

N.º de artículo de Mouser
585-ALD212914PAL

Advanced Linear Devices

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Dual N-Ch Matched Pr VGS=0.0V

Hoja de datos

No en existencias

S/ 36.46

S/ 30.40

S/ 27.09

S/ 25.33

Min.: 50
Mult.: 50

Through Hole

PDIP-8

N-Channel

2 Channel

10 V

79 mA

14 Ohms

- 12 V, 12 V

1.4 V

0 C

+ 70 C

500 mW

Enhancement

EPAD

Tube

EPAD Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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