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X3-Class Serie Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 13

Filtros aplicados:

Serie = X3-Class

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V UltraJunc X3 Pwr MOSFET

IXFK240N25X3
IXYS
1: S/138.25
855En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFK240N25X3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFK240N25X3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V UltraJunc X3 Pwr MOSFET

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Hoja de datos

855En existencias

S/138.25

S/105.78

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-264-3

N-Channel

1 Channel

250 V

240 A

4.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

345 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 kW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V/80A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET

IXFP80N25X3
IXYS
1: S/44.42
510En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFP80N25X3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFP80N25X3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V/80A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET

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Hoja de datos

510En existencias

S/44.42

S/24.77

S/23.95

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

250 V

80 A

13 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

83 nC

- 55 C

+ 150 C

390 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V/80A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET

IXFH80N25X3
IXYS
1: S/52.37
364En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFH80N25X3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFH80N25X3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V/80A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET

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Hoja de datos

364En existencias

S/52.37

S/31.52

S/29.71

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

250 V

80 A

16 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

83 nC

- 55 C

+ 150 C

390 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V Enh FET 200Vdgr 300A 4mOhm

IXFX300N20X3
IXYS
1: S/141.30
250En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFX300N20X3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFX300N20X3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V Enh FET 200Vdgr 300A 4mOhm

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Hoja de datos

250En existencias

S/141.30

S/105.61

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-PLUS-3

N-Channel

1 Channel

200 V

300 A

4 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

375 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 mW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V/80A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET

IXFA80N25X3
IXYS
1: S/45.15
664En existencias
300En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IXFA80N25X3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFA80N25X3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V/80A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET

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Hoja de datos

664En existencias

300En pedido

S/45.15

S/25.33

S/24.60

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

TO-263-3

N-Channel

1 Channel

250 V

80 A

13 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

83 nC

- 55 C

+ 150 C

390 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V/60A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET

IXFP60N25X3
IXYS
1: S/39.78
225En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFP60N25X3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFP60N25X3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V/60A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET

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Hoja de datos

225En existencias

S/39.78

S/25.20

S/22.32

S/20.73

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

250 V

60 A

19 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

50 nC

- 55 C

+ 150 C

320 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V Enh FET 200Vdgr 300A 4mOhm

IXFK300N20X3
IXYS
1: S/105.74
217En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFK300N20X3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFK300N20X3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 200V Enh FET 200Vdgr 300A 4mOhm

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Hoja de datos

217En existencias

S/105.74

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-264-3

N-Channel

1 Channel

200 V

300 A

4 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

375 nC

- 55 C

+ 150 C

1.25 kW

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V/60A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET

IXFA60N25X3
IXYS
1: S/40.42
137En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFA60N25X3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFA60N25X3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V/60A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

137En existencias

S/40.42

S/22.32

S/20.55

S/18.23

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

TO-263-3

N-Channel

1 Channel

250 V

60 A

19 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

50 nC

- 55 C

+ 150 C

320 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V/60A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET

IXFP60N25X3M
IXYS
1: S/40.03
206En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IXFP60N25X3M

N.º de artículo de Mouser
747-IXFP60N25X3M

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V/60A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET

Obtenga más información

Hoja de datos

206En existencias

S/40.03

S/22.06

S/20.60

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

250 V

60 A

19 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

50 nC

- 55 C

+ 150 C

320 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V/170A Ultra Junc tion X3-Class MOSFE

IXFT170N25X3HV
IXYS
1: S/94.34
44En existencias
1,020En pedido

N.º de artículo del Fabricante
IXFT170N25X3HV

N.º de artículo de Mouser
747-IXFT170N25X3HV

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V/170A Ultra Junc tion X3-Class MOSFE

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Hoja de datos

44En existencias

1,020En pedido

S/94.34

S/62.52

Min.: 1
Mult.: 1

SMD/SMT

D3PAK-3 (TO-268-3)

N-Channel

1 Channel

250 V

170 A

6.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

190 nC

- 55 C

+ 150 C

960 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V/44A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET

IXFJ80N25X3
IXYS
300: S/37.02
Plazo de entrega no en existencias 29 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IXFJ80N25X3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFJ80N25X3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V/44A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 29 Semanas

S/37.02

Min.: 300
Mult.: 30

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

250 V

44 A

18 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

83 nC

- 55 C

+ 150 C

104 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V/170A Ultra Junc tion X3-Class MOSFE

IXFK170N25X3
IXYS
1: S/91.07
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IXFK170N25X3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFK170N25X3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V/170A Ultra Junc tion X3-Class MOSFE

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Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas

S/91.07

S/69.49

S/59.68

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-264-3

N-Channel

1 Channel

250 V

170 A

6.1 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

190 nC

- 55 C

+ 150 C

960 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V/60A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET

IXFQ60N25X3
IXYS
300: S/23.56
Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas

N.º de artículo del Fabricante
IXFQ60N25X3

N.º de artículo de Mouser
747-IXFQ60N25X3

IXYS

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 250V/60A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET

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Plazo de entrega no en existencias 27 Semanas

S/23.56

S/22.66

Min.: 300
Mult.: 30

Through Hole

TO-3P-3

N-Channel

1 Channel

250 V

60 A

19 mOhms

- 20 V, 20 V

2.5 V

50 nC

- 55 C

+ 150 C

320 W

Enhancement

HiPerFET

Tube

X3-Class Serie Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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