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OptiMOS-T Serie Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 16

Filtros aplicados:

Serie = OptiMOS-T

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Dp - Disipación de potencia

Empaquetado

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 30A DPAK-2 OptiMOS-T

IPD30N10S3L-34
Infineon Technologies
1: S/ 8.56
3,124En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD30N10S3L-34

N.º de artículo de Mouser
726-IPD30N10S3L34

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 30A DPAK-2 OptiMOS-T

Obtenga más información

Hoja de datos

3,124En existencias

Cinta cortada

S/ 8.56

S/ 5.46

S/ 3.78

S/ 3.20

S/ 2.77

Envase tipo carrete

S/ 2.55

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

30 A

31 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

24 nC

- 55 C

+ 175 C

57 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T

IPD50N04S3-08
Infineon Technologies
1: S/ 9.25
2,130En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD50N04S3-08

N.º de artículo de Mouser
726-IPD50N04S3-08

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T

Obtenga más información

Hoja de datos

2,130En existencias

Cinta cortada

S/ 9.25

S/ 6.32

S/ 4.39

S/ 3.71

S/ 3.10

Envase tipo carrete

S/ 2.95

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

50 A

8 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

27 nC

- 55 C

+ 175 C

68 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T

IPD90N04S3-04
Infineon Technologies
1: S/ 12.86
1,725En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD90N04S3-04

N.º de artículo de Mouser
726-IPD90N04S3-04

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T

Obtenga más información

Hoja de datos

1,725En existencias

Cinta cortada

S/ 12.86

S/ 12.64

Envase tipo carrete

S/ 4.47

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

90 A

3.8 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

60 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 100A D2PAK-2 OptiMOS-T

IPB100N10S3-05
Infineon Technologies
1: S/ 21.84
415En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPB100N10S3-05

N.º de artículo de Mouser
726-IPB100N10S305

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 100A D2PAK-2 OptiMOS-T

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Hoja de datos

415En existencias

Cinta cortada

S/ 21.84

S/ 16.34

S/ 13.03

S/ 12.86

Envase tipo carrete

S/ 12.43

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

100 A

4.8 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

135 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 35A D2PAK-2 OptiMOS-T

IPB35N10S3L-26
Infineon Technologies
1: S/ 12.77
980En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPB35N10S3L-26

N.º de artículo de Mouser
726-IPB35N10S3L-26

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 35A D2PAK-2 OptiMOS-T

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Hoja de datos

980En existencias

Cinta cortada

S/ 12.77

S/ 8.26

S/ 5.89

S/ 5.03

Envase tipo carrete

S/ 4.26

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

35 A

20.3 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

39 nC

- 55 C

+ 175 C

71 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 100A TO220-3 OptiMOS-T

IPP100N10S3-05
Infineon Technologies
1: S/ 23.22
409En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPP100N10S3-05

N.º de artículo de Mouser
726-IPP100N10S305

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 100A TO220-3 OptiMOS-T

Hoja de datos

409En existencias

S/ 23.22

S/ 15.52

S/ 14.96

S/ 14.71

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

100 V

100 A

4.8 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

135 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T

IPB70N10S3-12
Infineon Technologies
1: S/ 16.17
725En existencias
1,000En pedido
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPB70N10S3-12

N.º de artículo de Mouser
726-IPB70N10S312

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T

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Hoja de datos

725En existencias

1,000En pedido

Cinta cortada

S/ 16.17

S/ 10.54

S/ 8.26

S/ 7.10

Envase tipo carrete

S/ 6.02

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

70 A

9.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

66 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T

IPB70N10S3L-12
Infineon Technologies
1: S/ 16.43
2,884En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPB70N10S3L-12

N.º de artículo de Mouser
726-IPB70N10S3L-12

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T

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Hoja de datos

2,884En existencias

Cinta cortada

S/ 16.43

S/ 10.75

S/ 7.53

S/ 6.41

Envase tipo carrete

S/ 5.89

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

70 A

12 mOhms

- 20 V, 20 V

1.7 V

60 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 35A DPAK-2 OptiMOS-T

IPD35N10S3L-26
Infineon Technologies
1: S/ 9.98
4,782En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD35N10S3L-26

N.º de artículo de Mouser
726-IPD35N10S3L26

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 35A DPAK-2 OptiMOS-T

Obtenga más información

Hoja de datos

4,782En existencias

Cinta cortada

S/ 9.98

S/ 6.36

S/ 4.43

S/ 3.73

S/ 3.23

Envase tipo carrete

S/ 2.97

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

35 A

24 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

30 nC

- 55 C

+ 175 C

71 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 70A DPAK-2 OptiMOS-T

IPD70N10S3L-12
Infineon Technologies
1: S/ 13.67
5,815En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD70N10S3L-12

N.º de artículo de Mouser
726-IPD70N10S3L12

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 70A DPAK-2 OptiMOS-T

Obtenga más información

Hoja de datos

5,815En existencias

Cinta cortada

S/ 13.67

S/ 13.37

S/ 10.23

S/ 8.56

S/ 7.35

Envase tipo carrete

S/ 4.95

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

70 A

11.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.7 V

59 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T

IPB50N10S3L-16
Infineon Technologies
1: S/ 15.14
990En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPB50N10S3L-16

N.º de artículo de Mouser
726-IPB50N10S3L16

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 70A D2PAK-2 OptiMOS-T

Obtenga más información

Hoja de datos

990En existencias

Cinta cortada

S/ 15.14

S/ 9.85

S/ 6.84

S/ 5.55

Envase tipo carrete

S/ 4.82

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

50 A

15.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2.4 V

64 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 70A DPAK-2 OptiMOS-T

IPD70N10S3-12
Infineon Technologies
1: S/ 13.37
346En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD70N10S3-12

N.º de artículo de Mouser
726-IPD70N10S312

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 70A DPAK-2 OptiMOS-T

Obtenga más información

Hoja de datos

346En existencias

Cinta cortada

S/ 13.37

S/ 8.99

S/ 6.49

S/ 5.46

S/ 5.25

Envase tipo carrete

S/ 5.07

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

70 A

11.1 mOhms

- 20 V, 20 V

3 V

51 nC

- 55 C

+ 175 C

125 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 50A DPAK-2 OptiMOS-T

IPD50N10S3L-16
Infineon Technologies
1: S/ 12.94
2,500En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD50N10S3L-16

N.º de artículo de Mouser
726-IPD50N10S3L16

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 100V 50A DPAK-2 OptiMOS-T

Obtenga más información

Hoja de datos

2,500En existencias

Cinta cortada

S/ 12.94

S/ 8.43

S/ 5.50

S/ 4.17

Envase tipo carrete

S/ 4.17

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

100 V

50 A

15 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

49 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T

IPD50N04S3-09
Infineon Technologies
2,500: S/ 2.75
Plazo de entrega no en existencias 9 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD50N04S3-09

N.º de artículo de Mouser
726-IPD50N04S3-09

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 9 Semanas

Envase tipo carrete

S/ 2.75

Min.: 2,500
Mult.: 2,500

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

50 A

9 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

20 nC

- 55 C

+ 175 C

63 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 80A DPAK-2 OptiMOS-T

IPD80N04S3-06
Infineon Technologies
2,500: S/ 3.92
Plazo de entrega no en existencias 9 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD80N04S3-06

N.º de artículo de Mouser
726-IPD80N04S3-06

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 80A DPAK-2 OptiMOS-T

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 9 Semanas

Envase tipo carrete

S/ 3.92

Min.: 2,500
Mult.: 2,500

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

80 A

6 mOhms

- 20 V, 20 V

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T

IPD90N04S3-H4
Infineon Technologies
2,500: S/ 4.69
Plazo de entrega no en existencias 9 Semanas
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPD90N04S3-H4

N.º de artículo de Mouser
726-IPD90N04S3-H4

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 90A DPAK-2 OptiMOS-T

Obtenga más información

Hoja de datos

Plazo de entrega no en existencias 9 Semanas

Envase tipo carrete

S/ 4.69

Min.: 2,500
Mult.: 2,500

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

90 A

4.3 mOhms

- 20 V, 20 V

4 V

46 nC

- 55 C

+ 175 C

115 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel

OptiMOS-T Serie Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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