CSD13302W Serie Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12-V N channel NexF ET power MOSFET sin A 595-CSD13302WT
Hoja de datos
4,378En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 710
: 3,000

Si SMD/SMT DSBGA-4 N-Channel 1 Channel 12 V 1.6 A 17.1 mOhms - 10 V, 10 V 700 mV 7.8 nC - 55 C + 150 C 1.8 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 12-V N channel NexF ET power MOSFET sin A 595-CSD13302W
Hoja de datos
Plazo de entrega no en existencias 6 Semanas
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
: 250

Si SMD/SMT DSBGA-4 N-Channel 1 Channel 12 V 1.6 A 17.1 mOhms - 10 V, 10 V 700 mV 7.8 nC - 55 C + 150 C 1.8 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel