7352 Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Nombre comercial Empaquetado
Texas Instruments Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 30V Sync Buck NexFET 2,694En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 2,500

Si SMD/SMT LSON-CLIP-8 N-Channel 2 Channel 30 V 25 A 9 mOhms, 2.8 mOhms - 8 V, 10 V 2.1 V 12.5 nC - 55 C + 150 C 8.5 W Enhancement NexFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Texas Instruments CSD87352Q5DG4
Texas Instruments MOSFETs 30-V N channel sync hronous buck NexFET
Reel