5110 Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Vishay Semiconductors Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) PWRPK 100V 55A
Hoja de datos
2,950En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 100 V (D-S) MOSFET PowerPAK 1212-8S, 12.6 m a. 10V 12.5 m a. 7.5V
Hoja de datos
2,597En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT PowerPAK-8 N-Channel 1 Channel 100 V 46.3 A 12.6 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 12.8 nC - 55 C + 150 C 56.8 W Enhancement Reel, Cut Tape
onsemi Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SMALL SIGNAL MOSFET 60V 310mA DUAL N-CH
Hoja de datos
130,243En existencias
MouseReel Disponible
Min.: 1
Mult.: 1
Máx.: 12,000
: 4,000

Si SMD/SMT SOT-563-6 N-Channel 2 Channel 60 V 294 mA 1.6 Ohms - 20 V, 20 V 1 V 700 pC - 55 C + 150 C 250 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Channel 100 V (D-S) MOSFET PowerPAK SO-8, 12.5 m a. 10V 12.3 m a. 7.5V
Hoja de datos
5,683En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SO-8 N-Channel 1 Channel 100 V 47.6 A 12.5 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 12.8 nC - 55 C + 150 C 59.5 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET >100-150V
Hoja de datos
858En existencias
Min.: 1
Mult.: 1
: 4,800

Si SMD/SMT WG-WDSON-5 N-Channel 1 Channel 150 V 60 A 11.3 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 33 nC - 40 C + 150 C 78 W Enhancement OptiMOS DirectFET Reel, Cut Tape
Infineon Technologies IRF100DM116XTMA1
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) TRENCH >=100V No en existencias
Min.: 4,800
Mult.: 4,800
: 4,800

Si Reel