5014 Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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 Fabricante:
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad.
Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Paquete / Cubierta
Polaridad del transistor
Número de canales
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente
Id - Corriente de drenaje continua
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente
Vgs - Tensión entre puerta y fuente
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente
Qg - Carga de puerta
Temperatura de trabajo mínima
Temperatura de trabajo máxima
Dp - Disipación de potencia
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado

Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET MOS7 500 V 14 Ohm TO-247
Hoja de datos
520En existencias
74En pedido
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 35 A 140 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 72 nC - 55 C + 150 C 403 W Enhancement Power MOS 7 Tube

Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) FREDFET MOS7 500 V 14 Ohm TO-247
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 35 A 140 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 72 nC - 55 C + 150 C 403 W Enhancement Tube
Microchip Technology Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET MOS7 500 V 14 Ohm TO-268
Hoja de datos
No en existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si SMD/SMT D3PAK-3 N-Channel 1 Channel 500 V 35 A 140 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 72 nC - 55 C + 150 C 403 W Enhancement Tube
Renesas Electronics RJK5014DPP-A0#T2
Renesas Electronics MOSFETs Nch Power MOSFET 500V 19A 390mohm TO-220F
Hoja de datos

Tray
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
589En existencias
Min.: 1
Mult.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 35 A 60 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 68 nC - 55 C + 150 C 162 W Enhancement CoolMOS Tube