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SI4825DDY-T1-GE3

Name: Vishay SI4825DDY-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 781-SI4825DDY-GE3
Price: 6.24 PEN
Availability: InStock

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Mouser N.º:

781-SI4825DDY-GE3

Fabricante N.º:

SI4825DDY-T1-GE3

Fabricante:

Vishay Semiconductors

Descripción:

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) -30V Vds 25V Vgs SO-8

Hoja de datos:

SI4825DDY-T1-GE3 Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Empaque:

Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)

Cinta cortada

MouseReel™ (+S/ 23.00)

Precio (PEN)

Cantidad	Precio unitario	Precio ext.
Cinta cortada / MouseReel™ ^†
	S/ 6.24	S/ 6.24
	S/ 3.94	S/ 39.40
	S/ 2.62	S/ 262.00
	S/ 2.05	S/ 1,025.00
	S/ 1.87	S/ 1,870.00
Envase tipo carrete completo (pedir en múltiplos de 2500)
	S/ 1.68	S/ 4,200.00

† S/ 23.00 Se agregará y calculará la tarifa de MouseReel™ en su carrito de compras. Ningún artículo de MouseReel™ se puede cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Paquete / Cubierta:	SOIC-8
Polaridad del transistor:	P-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	30 V
Id - Corriente de drenaje continua:	14.9 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	12.5 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente:	- 25 V, 25 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1.4 V
Qg - Carga de puerta:	57 nC
Temperatura de trabajo mínima:	- 55 C
Temperatura de trabajo máxima:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	5 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	TrenchFET
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Vishay Semiconductors
Configuración:	Single
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	CN
Tiempo de caída:	9 ns
Transconductancia hacia delante - Mín.:	28 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de subida:	12 ns
Serie:	SI4
Cantidad de empaque de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 P-Channel
Tiempo de retardo de apagado típico:	40 ns
Tiempo típico de demora de encendido:	13 ns
Alias de las piezas n.º:	SI4825DDY-GE3
Peso de la unidad:	750 mg

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Hoja de datos

SI4825DDY-T1-GE3 Hoja de datos

Application Notes

Mounting LITTLE FOOT‚ SO-8 Power MOSFETs

Models

Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Si4 TrenchFET® Power MOSFETs

Vishay / Siliconix Si4 TrenchFET® Power MOSFETs are used for amplifying electronic signals. These devices are available in N-channel, P-channel, and N- and P-channel versions. The Si4 MOSFETs offer different V_GS and V_DS options and temperature ranges. Vishay / Siliconix Si4 TrenchFET Power MOSFETs operate in an enhancement mode and are used for switching between electronic signals. These surface-mount MOSFETs are 100% R_gand UIS tested.