3991 Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Seleccionar Imagen N.° de pieza Fabricante: Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio: (PEN) Filtre los resultados en la tabla por precio unitario en función de su cantidad. Cantidad RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Paquete / Cubierta Polaridad del transistor Número de canales Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente Id - Corriente de drenaje continua Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente Vgs - Tensión entre puerta y fuente Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente Qg - Carga de puerta Temperatura de trabajo mínima Temperatura de trabajo máxima Dp - Disipación de potencia Modo canal Empaquetado
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V 5,647En existencias
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: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-FL-8 N-Channel 1 Channel 40 V 98 A 3.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 21 nC - 55 C + 175 C 63 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V 5,000En existencias
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: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-FL-8 N-Channel 1 Channel 40 V 77 A 4.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 16 nC - 55 C + 175 C 50 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V 4,787En existencias
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: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-FL-8 N-Channel 1 Channel 40 V 63 A 5.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 12 nC - 55 C + 175 C 42 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V 5,485En existencias
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: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-FL-8 N-Channel 1 Channel 40 V 193 A 1.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 51 nC - 55 C + 175 C 115 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) SOT669 N-CH 60V 44A 56,269En existencias
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: 1,500

Si SMD/SMT SOT-669-5 N-Channel 1 Channel 54 V 31 A 24.7 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 20 nC - 55 C + 175 C 74 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 40V 13,077En existencias
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: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-FL-8 N-Channel 1 Channel 40 V 121 A 2.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 29 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel