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BUK9Q22-80LJ

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Mouser N.º:

771-BUK9Q22-80LJ

Fabricante N.º:

BUK9Q22-80LJ

Fabricante:

Nexperia

Descripción:

MOSFETs BUK9Q22-80L/SOT8002/MLPAK33

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

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Hoja de datos:

BUK9Q22-80LJ Hoja de datos (PDF)

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Atributo del producto	Valor de atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Nexperia
Categoría de producto:	Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)
Restricción de entrega:	Mouser actualmente no vende este producto en su región.
RoHS:
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	Nexperia
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	MY
Tipo de producto:	MOSFETs
Cantidad de empaque de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Alias de las piezas n.º:	934670290118 934670000000

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BUK9Q22-80LJ Hoja de datos (PDF)

TARIC:: 8541290000

BUK9Q N-Channel Trench MOSFET

Nexperia BXK9Q29-60A N-Channel Trench MOSFET is an enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT8002-3 (MLPAK33) SMD plastic package using Trench MOSFET technology. This N-channel MOSFET is logic-level compatible, fast switching, and fully automotive qualified to AEC-Q101 at 175°C. The BXK9Q29-60A trench MOSFET features a 60V maximum drain-source voltage, 84A maximum peak drain current, and 27W maximum total power dissipation. This N-channel MOSFET also features a 23.7mΩ typical drain-source on-state resistance, 25mJ maximum non-repetitive drain-source avalanche energy, and 15.8A maximum non-repetitive avalanche current. The BXK9Q29-60A trench MOSFET is EU/CN RoHS-compliant. Typical applications include LED lighting, switching circuits, and DC-DC conversion.