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OptiMOS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 794

Filtros aplicados:

Nombre comercial = OptiMOS

Tecnología

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

Empaquetado

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL_55/60V

IPG20N06S4L11AATMA1
Infineon Technologies
1: S/ 10.23
2,710En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPG20N06S4L11AATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPG20N06S4L11AAT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CHANNEL_55/60V

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Hoja de datos

2,710En existencias

Cinta cortada

S/ 10.23

S/ 6.58

S/ 4.52

S/ 3.58

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Envase tipo carrete

S/ 3.27

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: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

2 Channel

60 V

20 A

11.2 mOhms

- 16 V, 16 V

1.2 V

53 nC

- 55 C

+ 175 C

65 W

Enhancement

AEC-Q101

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

BSC0502NSIATMA1
Infineon Technologies
1: S/ 6.75
9,948En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC0502NSIATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC0502NSIATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

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Hoja de datos

9,948En existencias

Cinta cortada

S/ 6.75

S/ 4.39

S/ 2.84

S/ 2.24

S/ 1.97

Envase tipo carrete

S/ 1.84

MouseReel Disponible

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: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

100 A

2.3 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

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43 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS

BSC0902NSI
Infineon Technologies
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9,541En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC0902NSI

N.º de artículo de Mouser
726-BSC0902NSI

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 100A TDSON-8 OptiMOS

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Hoja de datos

9,541En existencias

Cinta cortada

S/ 5.20

S/ 2.35

S/ 1.81

S/ 1.58

S/ 1.38

Envase tipo carrete

S/ 1.29

MouseReel Disponible

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TDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

100 A

2.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

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- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V,30V 40A,40A TISON-8

BSC0923NDI
Infineon Technologies
1: S/ 6.97
4,583En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSC0923NDI

N.º de artículo de Mouser
726-BSC0923NDI

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V,30V 40A,40A TISON-8

Hoja de datos

4,583En existencias

Cinta cortada

S/ 6.97

S/ 4.43

S/ 2.94

S/ 2.31

Ver

Envase tipo carrete

S/ 1.93

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

TISON-8

N-Channel

2 Channel

30 V

40 A

3.8 mOhms, 2.1 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

10 nC, 18.4 nC

- 55 C

+ 150 C

2.5 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

BSZ0503NSIATMA1
Infineon Technologies
1: S/ 5.42
9,366En existencias

N.º de artículo del Fabricante
BSZ0503NSIATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSZ0503NSIATMA1

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) IFX FET 15V-30V

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Hoja de datos

9,366En existencias

Cinta cortada

S/ 5.42

S/ 3.40

S/ 2.25

S/ 1.78

Ver

Envase tipo carrete

S/ 1.39

MouseReel Disponible

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SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

30 V

82 A

3.5 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

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- 55 C

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36 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)

IAUC120N06S5N017ATMA1
Infineon Technologies
1: S/ 13.37
3,859En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IAUC120N06S5N017ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUC120N06S5N017

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_)40V 60V)

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3,859En existencias

Cinta cortada

S/ 13.37

S/ 8.64

S/ 6.02

S/ 5.07

S/ 4.73

Envase tipo carrete

S/ 4.73

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8-43

N-Channel

1 Channel

60 V

120 A

1.6 mOhms

- 20 V, 20 V

2.8 V

73.7 nC

- 55 C

+ 175 C

167 W

Enhancement

AEC-Q101

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V,40V)

IPC70N04S5L4R2ATMA1
Infineon Technologies
1: S/ 5.89
9,700En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPC70N04S5L4R2ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPC70N04S5L4R2AT

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V,40V)

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Hoja de datos

9,700En existencias

Cinta cortada

S/ 5.89

S/ 3.70

S/ 2.45

S/ 1.91

Ver

Envase tipo carrete

S/ 1.53

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

70 A

3.4 mOhms

- 16 V, 16 V

1.2 V

30 nC

- 55 C

+ 175 C

50 W

Enhancement

AEC-Q101

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 55V 20A TDSON-8 OptiMOS

IPG20N06S2L-50
Infineon Technologies
1: S/ 7.35
2,971En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPG20N06S2L-50

N.º de artículo de Mouser
726-IPG20N06S2L-50

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 55V 20A TDSON-8 OptiMOS

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Hoja de datos

2,971En existencias

Cinta cortada

S/ 7.35

S/ 4.73

S/ 3.13

S/ 2.46

Ver

Envase tipo carrete

S/ 2.08

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

2 Channel

55 V

20 A

50 mOhms

- 20 V, 20 V

1.6 V

17 nC

- 55 C

+ 175 C

51 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

MOSFETs OptiMOS 7 Power-Transistor

IAUCN10S7L040ATMA1
Infineon Technologies
Disponibilidad restringida
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IAUCN10S7L040ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN10S7L040ATM

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs OptiMOS 7 Power-Transistor

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Hoja de datos

Disponibilidad restringida

SMD/SMT

PG-TDSON-8

N-Channel

1 Channel

100 V

130 A

3.3 mOhms

16 V

2 V

44.3 nC

- 55 C

+ 175 C

118 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

MOSFETs 150 V, N-Ch, 2.5 mOhms max, Automotive MOSFET, TOLL (10x12)

IAUTN15S6N025ATMA1
Infineon Technologies
Disponibilidad restringida
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IAUTN15S6N025ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUTN15S6N025ATM

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs 150 V, N-Ch, 2.5 mOhms max, Automotive MOSFET, TOLL (10x12)

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Hoja de datos

Disponibilidad restringida

SMD/SMT

PG-HSOF-8-1

N-Channel

1 Channel

150 V

245 A

2.5 mOhms

20 V

4 V

107 nC

- 55 C

+ 175 C

357 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

MOSFETs 150 V, N-Ch, 2.5 mOhms max, Automotive MOSFET, TOLT (10x15)

IAUTN15S6N025TATMA1
Infineon Technologies
Disponibilidad restringida
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IAUTN15S6N025TATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUTN15S6N025TAT

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs 150 V, N-Ch, 2.5 mOhms max, Automotive MOSFET, TOLT (10x15)

Obtenga más información

Hoja de datos

Disponibilidad restringida

SMD/SMT

PG-HDSOP-16-1

N-Channel

1 Channel

150 V

245 A

2.5 mOhms

20 V

4 V

107 nC

- 55 C

+ 175 C

357 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

MOSFETs OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V

IQE018N06NM6SCATMA1
Infineon Technologies
Disponibilidad restringida
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IQE018N06NM6SCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQE018N06NM6SCAT

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V

Obtenga más información

Hoja de datos

Disponibilidad restringida

SMD/SMT

PG-TSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

178 mA

2.2 mOhms

- 20 V, 20 V

3.3 V

56 nC

- 55 C

+ 175 C

125 mW

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

MOSFETs OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V

IQEH64NE2LM7UCGSCATMA1
Infineon Technologies
Disponibilidad restringida
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IQEH64NE2LM7UCGSCATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IQEH64NE2LM7UCGS

Nuevo producto

Infineon Technologies

MOSFETs OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V

Obtenga más información

Hoja de datos

Disponibilidad restringida

SMD/SMT

N-Channel

1 Channel

25 V

348 A

640 uOhms

16 V

2 V

22 nC

- 55 C

+ 175 C

130 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V

ISC009N06NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/ 15.78
3,392En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
ISC009N06NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC009N06NM6ATMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V

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Hoja de datos

3,392En existencias

Cinta cortada

S/ 15.78

S/ 10.92

S/ 9.33

S/ 9.03

Ver

Envase tipo carrete

S/ 7.78

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

PG-TDSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

344 A

900 uOhms

20 V

3.3 V

97 nC

- 55 C

+ 175 C

221 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V

ISZ025N06NM6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/ 6.49
3,490En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
ISZ025N06NM6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISZ025N06NM6ATMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V

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Hoja de datos

3,490En existencias

Cinta cortada

S/ 6.49

S/ 4.30

S/ 3.59

S/ 3.46

Envase tipo carrete

S/ 3.02

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

PG-TDSON-8

N-Channel

1 Channel

60 V

137 A

2.5 mOhms

20 V

3.3 V

32 nC

- 55 C

+ 175 C

100 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS

BSC014NE2LSIATMA1
Infineon Technologies
1: S/ 8.60
5,328En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
BSC014NE2LSIATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-BSC014NE2LSI

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 25V 100A TDSON-8 OptiMOS

Hoja de datos

5,328En existencias

Cinta cortada

S/ 8.60

S/ 5.50

S/ 3.70

S/ 2.94

Ver

Envase tipo carrete

S/ 2.58

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

25 V

100 A

1.2 mOhms

- 20 V, 20 V

1.2 V

52 nC

- 55 C

+ 150 C

74 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

IPB025N08N3 G
Infineon Technologies
1: S/ 26.14
5,578En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPB025N08N3 G

N.º de artículo de Mouser
726-IPB025N08N3G

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 80V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

Obtenga más información

Hoja de datos

5,578En existencias

Cinta cortada

S/ 26.14

S/ 17.11

S/ 12.60

S/ 11.22

Envase tipo carrete

S/ 9.93

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

80 V

120 A

2.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2.8 V

206 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 120V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

IPB038N12N3 G
Infineon Technologies
1: S/ 20.68
4,846En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPB038N12N3 G

N.º de artículo de Mouser
726-IPB038N12N3GXT

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 120V 120A D2PAK-2 OptiMOS 3

Obtenga más información

Hoja de datos

4,846En existencias

Cinta cortada

S/ 20.68

S/ 14.62

S/ 11.83

S/ 10.54

Envase tipo carrete

S/ 9.29

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

120 V

120 A

3.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

211 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 130A D2PAK-6 OptiMOS 3

IPB065N15N3 G
Infineon Technologies
1: S/ 26.75
2,822En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPB065N15N3 G

N.º de artículo de Mouser
726-IPB065N15N3G

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 150V 130A D2PAK-6 OptiMOS 3

Obtenga más información

Hoja de datos

2,822En existencias

Cinta cortada

S/ 26.75

S/ 20.51

S/ 16.60

S/ 15.52

Envase tipo carrete

S/ 13.16

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

150 V

130 A

5.2 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

93 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V,40V)

IPC100N04S5L2R6ATMA1
Infineon Technologies
1: S/ 7.22
9,583En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
IPC100N04S5L2R6ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPC100N04S5L2R6A

NRND

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V,40V)

Obtenga más información

Hoja de datos

9,583En existencias

Cinta cortada

S/ 7.22

S/ 4.60

S/ 3.06

S/ 2.41

Ver

Envase tipo carrete

S/ 2.03

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

100 A

2 mOhms

- 16 V, 16 V

1.2 V

55 nC

- 55 C

+ 175 C

75 W

Enhancement

AEC-Q101

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2

IPB180N04S4-00
Infineon Technologies
1: S/ 20.25
991En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB180N04S4-00

N.º de artículo de Mouser
726-IPB180N04S4-00

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2

Obtenga más información

Hoja de datos

991En existencias

Cinta cortada

S/ 20.25

S/ 13.37

S/ 10.49

S/ 9.33

Envase tipo carrete

S/ 8.26

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

TO-263-7

N-Channel

1 Channel

40 V

180 A

800 uOhms

- 20 V, 20 V

2 V

286 nC

- 55 C

+ 175 C

300 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 30A DPAK-2 OptiMOS-T2

IPD30N03S4L-09
Infineon Technologies
1: S/ 2.41
3,513En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD30N03S4L-09

N.º de artículo de Mouser
726-IPD30N03S4L09

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 30A DPAK-2 OptiMOS-T2

Obtenga más información

Hoja de datos

3,513En existencias

Cinta cortada

S/ 2.41

S/ 2.07

S/ 1.45

S/ 1.25

Envase tipo carrete

S/ 1.25

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

30 V

30 A

9 mOhms

- 16 V, 16 V

1.5 V

20 nC

- 55 C

+ 175 C

42 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 30A DPAK-2 OptiMOS

IPD30N08S222ATMA1
Infineon Technologies
1: S/ 10.23
1,204En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD30N08S222ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IPD30N08S222ATMA

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 75V 30A DPAK-2 OptiMOS

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Hoja de datos

1,204En existencias

Cinta cortada

S/ 10.23

S/ 6.58

S/ 4.52

S/ 3.59

S/ 3.34

Envase tipo carrete

S/ 3.28

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

75 V

30 A

17.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2.1 V

57 nC

- 55 C

+ 175 C

136 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2

IPD50N03S4L-06
Infineon Technologies
1: S/ 5.46
3,971En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPD50N03S4L-06

N.º de artículo de Mouser
726-IPD50N03S4L-06

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 30V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2

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Hoja de datos

3,971En existencias

Cinta cortada

S/ 5.46

S/ 3.42

S/ 2.26

S/ 1.76

S/ 1.60

Envase tipo carrete

S/ 1.43

Min.: 1
Mult.: 1

: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

30 V

50 A

5.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1.5 V

31 nC

- 55 C

+ 175 C

56 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 120A D2PAK-2 OptiMOS-T2

IPB120N04S4-02
Infineon Technologies
1: S/ 13.93
873En existencias

N.º de artículo del Fabricante
IPB120N04S4-02

N.º de artículo de Mouser
726-IPB120N04S4-02

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 40V 120A D2PAK-2 OptiMOS-T2

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Hoja de datos

873En existencias

Cinta cortada

S/ 13.93

S/ 9.07

S/ 6.97

S/ 5.98

Envase tipo carrete

S/ 5.07

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 1,000

SMD/SMT

D2PAK-3 (TO-263-3)

N-Channel

1 Channel

40 V

120 A

1.58 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

134 nC

- 55 C

+ 175 C

158 W

Enhancement

AEC-Q100

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

OptiMOS Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

D2PAK-3 (TO-263-3)
DirectFET-SB
DPAK-3 (TO-252-3)
DSO-8
HDSOP-16
HSOF-5
HSOF-5-1
HSOF-5-2
HSOF-5-5
HSOF-8
HSOG-8
LHDSO-10
PG-HDSOP-16-1
PG-HSOF-8
PG-HSOF-8-1
PG-HSOG-8-1
PG-LHDSO-10-1
PG-LHDSO-10-2
PG-LHDSO-10-3
PG-TDSON-8

178 mA
4.7 A
5 A
7 A
7.7 A
7.8 A, 7.9 A
7.9 A
8.1 A, 8.4 A
8.8 A, 10.2 A
8.8 A, 9.6 A
9.3 A
9.6 A
10.9 A
11 A
11.3 A
13 A
15.2 A
18 A
18.5 A
20 A

290 uOhms
350 uOhms
360 uOhms
390 uOhms
400 uOhms
420 uOhms
450 uOhms
470 uOhms
480 uOhms
490 uOhms
500 uOhms
510 uOhms
520 uOhms
540 uOhms
550 uOhms
570 uOhms
600 uOhms
640 uOhms
650 uOhms
680 uOhms

700 mV
900 mV
1 V
1.1 V
1.2 V
1.3 V
1.5 V
1.6 V
1.7 V
1.8 V
1.9 V
2 V
2.1 V
2.2 V
2.3 V
2.4 V
2.5 V
2.6 V
2.7 V
2.8 V

3 nC, 8.8 nC
3.6 nC
5 nC, 23 nC
5.5 nC
5.6 nC
5.6 nC, 15 nC
5.6 nC, 16 nC
5.6 nC, 20 nC
6.4 nC
6.6 nC, 30.6 nC
6.8 nC
6.9 nC
7 nC
7.5 nC
7.8 nC
7.9 nC
7.9 nC, 8.1 nC
8 nC
8.3 nC
8.7 nC

125 mW
2 W
2.5 W
2.5 W, 6.25 W
25 W
26 W
27 W
28 W
29 W
30 W
31 W
32 W
33 W
33.8 W
34 W
35 W
36 W
37 W
37.5 W
38 W