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OptiMOS 7 Serie Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 74

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Serie = OptiMOS 7

Tecnología

Estilo de montaje

Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

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Infineon Technologies
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3,800En existencias
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IAUZN08S7N046ATMA1

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726-IAUZN08S7N046ATM

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

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Hoja de datos

3,800En existencias

Cinta cortada

S/ 10.71

S/ 6.71

S/ 4.69

S/ 3.73

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Envase tipo carrete

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OptiMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

IAUZN10S7L289ATMA1
Infineon Technologies
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Nuevo producto

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IAUZN10S7L289ATMA1

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726-IAUZN10S7L289ATM

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

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4,350En existencias

Cinta cortada

S/ 5.93

S/ 3.71

S/ 2.45

S/ 1.92

Envase tipo carrete

S/ 1.49

Ver

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Enhancement

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

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Infineon Technologies
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

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Cinta cortada

S/ 9.89

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S/ 3.42

S/ 3.02

Envase tipo carrete

S/ 2.88

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PG-TDSON-8

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1 Channel

100 V

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Enhancement

OptiMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V

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Infineon Technologies
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IQEH50NE2LM7UCGSCATMA1

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S/ 14.71

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S/ 6.67

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Envase tipo carrete

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1 Channel

25 V

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OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V

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Infineon Technologies
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S/ 8.13

S/ 5.59

S/ 4.56

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OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V

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Infineon Technologies
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5,189En existencias
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IQEH80NE2LM7UCGSCATMA1

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S/ 7.53

S/ 5.20

S/ 4.14

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Envase tipo carrete

S/ 3.62

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V

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Infineon Technologies
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4,472En existencias
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IQEH84NE2LM7UCGATMA1

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S/ 11.05

S/ 7.10

S/ 4.86

S/ 3.86

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Envase tipo carrete

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OptiMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V

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Infineon Technologies
1: S/ 9.89
4,173En existencias
Nuevo producto

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ISC011N04NM7VATMA1

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726-ISC011N04NM7VATM

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Cinta cortada

S/ 9.89

S/ 6.41

S/ 4.34

S/ 3.44

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OptiMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 n-channel power MOSFET 80 V in SuperSO8

ISC019N08NM7ATMA1
Infineon Technologies
1: S/ 16.68
2,699En existencias
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N.º de artículo del Fabricante
ISC019N08NM7ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC019N08NM7ATMA

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 n-channel power MOSFET 80 V in SuperSO8

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Cinta cortada

S/ 16.68

S/ 10.92

S/ 7.65

S/ 6.54

S/ 6.02

Envase tipo carrete

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1 Channel

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Enhancement

OptiMOS

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V

ISCH54N04NM7VATMA1
Infineon Technologies
1: S/ 14.75
3,693En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
ISCH54N04NM7VATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISCH54N04NM7VATM

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V

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3,693En existencias

Cinta cortada

S/ 14.75

S/ 9.63

S/ 6.71

S/ 5.72

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Envase tipo carrete

S/ 5.20

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1 Channel

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20 V

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Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V

ISCH69N04NM7VATMA1
Infineon Technologies
1: S/ 12.81
3,409En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
ISCH69N04NM7VATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISCH69N04NM7VATM

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Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V

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3,409En existencias

Cinta cortada

S/ 12.81

S/ 8.34

S/ 5.76

S/ 4.77

Ver

Envase tipo carrete

S/ 4.29

Min.: 1
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TDSON-8

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20 V

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Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V

ISCH99N04NM7VATMA1
Infineon Technologies
1: S/ 11.05
3,720En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
ISCH99N04NM7VATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISCH99N04NM7VATM

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V

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3,720En existencias

Cinta cortada

S/ 11.05

S/ 7.14

S/ 4.90

S/ 3.89

Ver

Envase tipo carrete

S/ 3.48

Min.: 1
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: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

284 A

900 uOhms

20 V

3.15 V

68 nC

- 55 C

+ 175 C

150 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V

ISZ015N04NM7VATMA1
Infineon Technologies
1: S/ 8.34
3,889En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
ISZ015N04NM7VATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISZ015N04NM7VATM

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V

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3,889En existencias

Cinta cortada

S/ 8.34

S/ 5.33

S/ 3.58

S/ 2.83

Ver

Envase tipo carrete

S/ 2.37

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TSDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

177 A

1.4 mOhms

20 V

3.15 V

37 nC

- 55 C

+ 175 C

94 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40 V, N-Ch, 3.78 m?, Automotive Power MOSFET, SSO8 HB (5x6), OptiMOS-7

IAUCN04S7L037HATMA1
Infineon Technologies
1: S/ 5.07
780En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IAUCN04S7L037HATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN04S7L037HAT

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) 40 V, N-Ch, 3.78 m?, Automotive Power MOSFET, SSO8 HB (5x6), OptiMOS-7

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Hoja de datos

780En existencias

Cinta cortada

S/ 5.07

S/ 3.31

S/ 2.74

S/ 2.63

Ver

Envase tipo carrete

S/ 2.48

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

PG-TDSON-8

N-Channel

2 Channel

40 V

84 A

3.78 mOhms

16 V

1.8 V

15 nC

- 55 C

+ 175 C

50 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

IAUCN04S7N040HATMA1
Infineon Technologies
1: S/ 8.73
864En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IAUCN04S7N040HATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN04S7N040HAT

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

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Hoja de datos

864En existencias

Cinta cortada

S/ 8.73

S/ 5.59

S/ 3.75

S/ 2.98

Ver

Envase tipo carrete

S/ 2.48

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

PG-TDSON-8

N-Channel

2 Channel

40 V

82 A

4.01 mOhms

20 V

3 V

13 nC

- 55 C

+ 175 C

52 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

IAUZN04S7L019ATMA1
Infineon Technologies
1: S/ 6.92
881En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IAUZN04S7L019ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUZN04S7L019ATM

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

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Hoja de datos

881En existencias

Cinta cortada

S/ 6.92

S/ 4.39

S/ 2.91

S/ 2.29

Envase tipo carrete

S/ 1.84

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

PG-TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

154 A

1.9 mOhms

16 V

1.8 V

34 nC

- 55 C

+ 175 C

83 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

IAUZN04S7N032ATMA1
Infineon Technologies
1: S/ 5.72
702En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IAUZN04S7N032ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUZN04S7N032ATM

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

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Hoja de datos

702En existencias

Cinta cortada

S/ 5.72

S/ 3.59

S/ 2.37

S/ 1.85

Envase tipo carrete

S/ 1.45

Ver

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

PG-TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

97 A

3.25 mOhms

20 V

3 V

16 nC

- 55 C

+ 175 C

58 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

IAUZN08S7L177ATMA1
Infineon Technologies
1: S/ 5.89
2,938En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IAUZN08S7L177ATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUZN08S7L177ATM

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor

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Hoja de datos

2,938En existencias

Más información disponible

Cinta cortada

S/ 5.89

S/ 3.70

S/ 2.44

S/ 1.93

Ver

Envase tipo carrete

S/ 1.44

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

PG-TDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

35 A

17.7 mOhms

16 V

2 V

11.8 nC

- 55 C

+ 175 C

45 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V

ISC016N04NM7VATMA1
Infineon Technologies
1: S/ 7.10
2,804En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
ISC016N04NM7VATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-ISC016N04NM7VATM

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) OptiMOS 7 Power-Transistor, 40 V

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Hoja de datos

2,804En existencias

Cinta cortada

S/ 7.10

S/ 4.56

S/ 3.00

S/ 2.35

Ver

Envase tipo carrete

S/ 1.89

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

40 V

174 A

1.49 mOhms

20 V

3.15 V

37 nC

- 55 C

+ 175 C

94 W

Enhancement

OptiMOS

Reel, Cut Tape

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IAUCN04S7L053DATMA1
Infineon Technologies
1: S/ 8.17
4,277En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IAUCN04S7L053DATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN04S7L053DAT

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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Hoja de datos

4,277En existencias

Más información disponible

Cinta cortada

S/ 8.17

S/ 5.20

S/ 3.48

S/ 2.75

S/ 2.31

Envase tipo carrete

S/ 2.11

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

: 5,000

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IAUCN04S7N019DATMA1
Infineon Technologies
1: S/ 12.69
7,482En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IAUCN04S7N019DATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN04S7N019DAT

Nuevo producto

Infineon Technologies

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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7,482En existencias

Cinta cortada

S/ 12.69

S/ 8.21

S/ 5.68

S/ 4.64

Ver

Envase tipo carrete

S/ 4.14

MouseReel Disponible

Min.: 1
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: 5,000

OptiMOS

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

IAUCN04S7N040DATMA1
Infineon Technologies
1: S/ 9.29
9,985En existencias
Nuevo producto

N.º de artículo del Fabricante
IAUCN04S7N040DATMA1

N.º de artículo de Mouser
726-IAUCN04S7N040DAT

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(20V 40V)

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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUCN08S7N019ATMA1
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Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) MOSFET_(75V 120V(

IAUCN08S7N024ATMA1
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IAUCN08S7N024ATMA1

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TDSON-8

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165 A

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3.2 V

51.5 nC

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148 W

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AEC-Q101

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IAUCN08S7N034ATMA1
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SMD/SMT

TDSON-8

N-Channel

1 Channel

80 V

120 A

3.4 mOhms

- 20 V, 20 V

3.2 V

35.2 nC

- 55 C

+ 175 C

118 W

Enhancement

AEC-Q101

OptiMOS

Reel, Cut Tape

OptiMOS 7 Serie Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

27 A
35 A
62 A
65 A
76 A
77 A
79 A
82 A
84 A
91 A
97 A
99 A
100 A
103 A
117 A
120 A
127 A
129 A
130 A
132 A

390 uOhms
420 uOhms
480 uOhms
500 uOhms
510 uOhms
520 uOhms
540 uOhms
570 uOhms
640 uOhms
650 uOhms
680 uOhms
720 uOhms
770 uOhms
800 uOhms
820 uOhms
840 uOhms
900 uOhms
1.04 mOhms
1.05 mOhms
1.15 mOhms

7.5 nC
9 nC
10.9 nC
11 nC
11.8 nC
13 nC
15 nC
16 nC
17.2 nC
18 nC
22 nC
22.2 nC
23 nC
25 nC
27 nC
27.2 nC
29 nC
30 nC
34 nC
35.2 nC

39 W
40 W
45 W
50 W
52 W
57 W
58 W
65 W
70 W
75 W
81 W
83 W
94 W
96 W
98 W
107 W
115 W
118 W
123 W
130 W