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STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

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Resultados: 1,318

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Fabricante = STMicroelectronics

Tecnología

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Paquete / Cubierta

Polaridad del transistor

Número de canales

Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente

Id - Corriente de drenaje continua

Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente

Vgs - Tensión entre puerta y fuente

Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente

Qg - Carga de puerta

Temperatura de trabajo mínima

Temperatura de trabajo máxima

Dp - Disipación de potencia

Modo canal

Calificación

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En conformidad con la RoHS

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N.° de pieza

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.60 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package

STP8N90K5
STMicroelectronics
1: S/16.21
778En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP8N90K5

N.º de artículo de Mouser
511-STP8N90K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 900 V, 0.60 Ohm typ., 8 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220 package

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778En existencias

S/16.21

S/8.43

S/7.61

S/6.24

S/6.02

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

900 V

8 A

680 mOhms

- 30 V, 30 V

5 V

11 nC

- 55 C

+ 150 C

130 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 V 0.95 Ohm 6 A Zener-protecte

STU7N80K5
STMicroelectronics
1: S/11.31
1,841En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STU7N80K5

N.º de artículo de Mouser
511-STU7N80K5

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 800 V 0.95 Ohm 6 A Zener-protecte

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1,841En existencias

S/11.31

S/5.25

S/4.73

S/4.00

S/3.59

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-251-3

N-Channel

1 Channel

800 V

6 A

950 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

13.4 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 0.058 Ohm typ., 48 A MDmesh DM2 Power MOSFET i

STW58N65DM2AG
STMicroelectronics
1: S/43.73
454En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW58N65DM2AG

N.º de artículo de Mouser
511-STW58N65DM2AG

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 650 V, 0.058 Ohm typ., 48 A MDmesh DM2 Power MOSFET i

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454En existencias

S/43.73

S/38.92

S/35.30

S/29.37

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

48 A

65 mOhms

- 25 V, 25 V

4 V

88 nC

- 55 C

+ 150 C

360 W

Enhancement

AEC-Q101

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 36 mOhm typ., 68 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long lea

STWA70N65DM6
STMicroelectronics
1: S/55.86
596En existencias
599En pedido

N.º de artículo del Fabricante
STWA70N65DM6

N.º de artículo de Mouser
511-STWA70N65DM6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 36 mOhm typ., 68 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long lea

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596En existencias

599En pedido

S/55.86

S/47.52

S/41.11

S/36.34

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

650 V

68 A

40 mOhms

- 25 V, 25 V

4.75 V

125 nC

- 55 C

+ 150 C

450 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 0.68 Ohm 10A SuperMESH3

STF13N95K3
STMicroelectronics
1: S/31.26
966En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF13N95K3

N.º de artículo de Mouser
511-STF13N95K3

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 950V 0.68 Ohm 10A SuperMESH3

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966En existencias

S/31.26

S/15.95

S/15.18

S/14.84

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

950 V

10 A

850 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

51 nC

- 55 C

+ 150 C

40 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.275 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP ultra

STFU18N65M2
STMicroelectronics
1: S/13.50
978En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STFU18N65M2

N.º de artículo de Mouser
511-STFU18N65M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.275 Ohm typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP ultra

Hoja de datos

978En existencias

S/13.50

S/6.75

S/6.11

S/4.95

S/4.82

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

12 A

330 mOhms

- 25 V, 25 V

2 V

20 nC

- 55 C

+ 150 C

25 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.56Ohm 7.5A MDmesh M2

STP10N60M2
STMicroelectronics
1: S/6.88
1,774En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP10N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STP10N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-CH 600V 0.56Ohm 7.5A MDmesh M2

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1,774En existencias

S/6.88

S/3.98

S/3.75

S/2.65

S/2.57

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

7.5 A

560 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

13.5 nC

- 55 C

+ 150 C

85 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 162 mOhm typ., 17 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220 package

STP24N60M6
STMicroelectronics
1: S/12.00
792En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP24N60M6

N.º de artículo de Mouser
511-STP24N60M6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 162 mOhm typ., 17 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220 package

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Hoja de datos

792En existencias

S/12.00

S/6.88

S/6.24

S/5.03

S/4.95

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

17 A

190 mOhms

- 25 V, 25 V

3.25 V

23 nC

- 55 C

+ 150 C

130 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-channel 40 V, 0.0125 Ohm typ., 10 A STripFET F6 Power MOSFET in a SO-8 package

STS10P4LLF6
STMicroelectronics
1: S/7.05
2,750En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STS10P4LLF6

N.º de artículo de Mouser
511-STS10P4LLF6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) P-channel 40 V, 0.0125 Ohm typ., 10 A STripFET F6 Power MOSFET in a SO-8 package

Hoja de datos

2,750En existencias

Cinta cortada

S/7.05

S/4.47

S/2.99

S/2.35

S/2.15

Envase tipo carrete

S/1.97

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

SOIC-8

P-Channel

1 Channel

40 V

10 A

12.5 mOhms

- 20 V, 20 V

1 V

34 nC

- 55 C

+ 150 C

2.7 W

Enhancement

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 550 mOhm typ., 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package

STD8N60DM2
STMicroelectronics
1: S/7.87
1,754En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STD8N60DM2

N.º de artículo de Mouser
511-STD8N60DM2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 550 mOhm typ., 8 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a DPAK package

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Hoja de datos

1,754En existencias

Cinta cortada

S/7.87

S/5.03

S/3.33

S/2.66

S/2.40

Envase tipo carrete

S/2.17

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

8 A

570 mOhms

- 30 V, 30 V

3 V

4 nC

- 55 C

+ 150 C

85 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1050 V, 1 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in TO-220FP package

STF10N105K5
STMicroelectronics
1: S/15.44
1,025En existencias
1,000En pedido

N.º de artículo del Fabricante
STF10N105K5

N.º de artículo de Mouser
511-STF10N105K5

STMicroelectronics

Obtenga más información

Hoja de datos

1,025En existencias

1,000En pedido

S/15.44

S/7.31

S/6.54

S/5.76

S/5.72

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

1.05 kV

6 A

1 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

21.5 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V Mdmesh 8A

STF10NM60N
STMicroelectronics
1: S/15.27
768En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STF10NM60N

N.º de artículo de Mouser
511-STF10NM60N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V Mdmesh 8A

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Hoja de datos

768En existencias

S/15.27

S/7.83

S/7.35

S/6.71

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

650 V

10 A

550 mOhms

- 25 V, 25 V

4 V

19 nC

- 55 C

+ 150 C

70 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 950 V, 1 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a H2PAK-2 package

STH6N95K5-2
STMicroelectronics
1: S/14.71
889En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STH6N95K5-2

N.º de artículo de Mouser
511-STH6N95K5-2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 950 V, 1 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a H2PAK-2 package

Hoja de datos

889En existencias

Cinta cortada

S/14.71

S/9.63

S/6.71

S/5.81

Envase tipo carrete

S/5.42

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 1,000

SMD/SMT

H2PAK-2

N-Channel

1 Channel

950 V

6 A

1.25 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

13 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 400 Volt 9 Amp Zener SuperMESH

STP11NK40Z
STMicroelectronics
1: S/10.92
1,313En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP11NK40Z

N.º de artículo de Mouser
511-STP11NK40Z

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 400 Volt 9 Amp Zener SuperMESH

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Hoja de datos

1,313En existencias

S/10.92

S/3.99

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

400 V

9 A

550 mOhms

- 30 V, 30 V

4.5 V

32 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 400V-0.49ohms Zener SuperMESH 9A

STP11NK40ZFP
STMicroelectronics
1: S/13.55
1,245En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP11NK40ZFP

N.º de artículo de Mouser
511-STP11NK40ZFP

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch, 400V-0.49ohms Zener SuperMESH 9A

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Hoja de datos

1,245En existencias

S/13.55

S/6.79

S/6.11

S/4.99

S/4.82

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

400 V

9 A

550 mOhms

- 30 V, 30 V

4.5 V

32 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 0.190ohm 16A Mdmesh

STP22NM60N
STMicroelectronics
1: S/20.77
609En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP22NM60N

N.º de artículo de Mouser
511-STP22NM60N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V 0.190ohm 16A Mdmesh

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Hoja de datos

609En existencias

S/20.77

S/9.59

S/9.07

S/8.47

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

16 A

200 mOhms

- 30 V, 30 V

4 V

44 nC

- 55 C

+ 150 C

125 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 105 mOhm typ., 25 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220 package

STP33N60M6
STMicroelectronics
1: S/21.63
670En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP33N60M6

N.º de artículo de Mouser
511-STP33N60M6

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 105 mOhm typ., 25 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220 package

Obtenga más información

Hoja de datos

670En existencias

S/21.63

S/14.36

S/10.23

S/9.07

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

25 A

125 mOhms

- 25 V, 25 V

3.25 V

33.4 nC

- 55 C

+ 150 C

190 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 1050 V, 1.4 Ohm typ., 4 A MDmesh K5 Power Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) in a TO-220 package

STP7N105K5
STMicroelectronics
1: S/15.70
897En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STP7N105K5

N.º de artículo de Mouser
511-STP7N105K5

STMicroelectronics

Obtenga más información

Hoja de datos

897En existencias

S/15.70

S/7.96

S/7.18

S/6.84

S/5.89

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

1.05 kV

4 A

2 Ohms

- 30 V, 30 V

4 V

17 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 3.5 Ohm typ., 500 mA SuperMESH Power MOSFET in a TO-92 package

STQ2HNK60ZR-AP
STMicroelectronics
1: S/5.07
3,357En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STQ2HNK60ZR-AP

N.º de artículo de Mouser
511-STQ2HNK60ZR-AP

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 3.5 Ohm typ., 500 mA SuperMESH Power MOSFET in a TO-92 package

Obtenga más información

Hoja de datos

3,357En existencias

S/5.07

S/3.59

S/2.41

S/1.90

S/1.71

Envase tipo carrete

S/1.49

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,000

Through Hole

TO-92-3

N-Channel

1 Channel

600 V

500 mA

4.8 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

15 nC

- 55 C

+ 150 C

3 W

Enhancement

SuperMESH

Ammo Pack

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.024 Ohm typ., 84 A MDmesh M5 Power MOSFET in a TO247-4 packag

STW88N65M5-4
STMicroelectronics
1: S/66.22
166En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW88N65M5-4

N.º de artículo de Mouser
511-STW88N65M5-4

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 650 V, 0.024 Ohm typ., 84 A MDmesh M5 Power MOSFET in a TO247-4 packag

Obtenga más información

Hoja de datos

166En existencias

S/66.22

S/45.62

S/45.49

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-4

N-Channel

1 Channel

650 V

84 A

29 mOhms

- 25 V, 25 V

3 V

204 nC

- 55 C

+ 150 C

450 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 950 V, 1.15 Ohm typ 7 A SuperMESH Power MOSFET

STW9NK95Z
STMicroelectronics
1: S/17.20
777En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STW9NK95Z

N.º de artículo de Mouser
511-STW9NK95Z

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 950 V, 1.15 Ohm typ 7 A SuperMESH Power MOSFET

Hoja de datos

777En existencias

S/17.20

S/9.46

S/6.67

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-247-3

N-Channel

1 Channel

950 V

7 A

1.38 Ohms

- 30 V, 30 V

3 V

56 nC

- 55 C

+ 150 C

160 W

Enhancement

SuperMESH

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 2.4 mOhm typ., 120 A STripFET F6 Power MOSFET i

STLD125N4F6AG
STMicroelectronics
1: S/13.80
2,487En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
STLD125N4F6AG

N.º de artículo de Mouser
511-STLD125N4F6AG

NRND

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) Automotive-grade N-channel 40 V, 2.4 mOhm typ., 120 A STripFET F6 Power MOSFET i

Obtenga más información

Hoja de datos

2,487En existencias

Cinta cortada

S/13.80

S/9.03

S/6.36

S/5.42

S/4.99

Envase tipo carrete

S/4.99

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

PowerFLAT-5x6-8

N-Channel

1 Channel

40 V

120 A

2.4 mOhms

- 20 V, 20 V

2 V

91 nC

- 55 C

+ 175 C

130 W

Enhancement

AEC-Q101

STripFET

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 340 mOhm typ., 11 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a DPAK package

STD15N60M2-EP
STMicroelectronics
1: S/9.98
2,461En existencias
NRND

N.º de artículo del Fabricante
STD15N60M2-EP

N.º de artículo de Mouser
511-STD15N60M2-EP

NRND

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 340 mOhm typ., 11 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a DPAK package

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Hoja de datos

2,461En existencias

Cinta cortada

S/9.98

S/5.50

S/4.18

S/3.74

S/3.12

Envase tipo carrete

S/2.97

MouseReel Disponible

Min.: 1
Mult.: 1

Carrete: 2,500

SMD/SMT

DPAK-3 (TO-252-3)

N-Channel

1 Channel

600 V

11 A

378 mOhms

- 25 V, 25 V

2 V

17 nC

- 55 C

+ 150 C

110 W

Enhancement

MDmesh

Reel, Cut Tape, MouseReel

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 140 mOhm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP ultra

STFU26N60M2
STMicroelectronics
1: S/15.27
922En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STFU26N60M2

N.º de artículo de Mouser
511-STFU26N60M2

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-channel 600 V, 140 mOhm typ., 20 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP ultra

Hoja de datos

922En existencias

S/15.27

S/9.93

S/7.61

S/6.36

S/5.55

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-220-3

N-Channel

1 Channel

600 V

20 A

165 mOhms

- 25 V, 25 V

2 V

34 nC

- 55 C

+ 150 C

30 W

Enhancement

MDmesh

Tube

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.28Ohm 11A Mdmesh II I2PAK

STI13NM60N
STMicroelectronics
1: S/11.61
913En existencias

N.º de artículo del Fabricante
STI13NM60N

N.º de artículo de Mouser
511-STI13NM60N

STMicroelectronics

Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET) N-Ch 600V 0.28Ohm 11A Mdmesh II I2PAK

Hoja de datos

913En existencias

S/11.61

S/7.44

S/5.07

S/4.21

S/3.65

Min.: 1
Mult.: 1

Through Hole

TO-262-3

N-Channel

1 Channel

600 V

11 A

360 mOhms

- 25 V, 25 V

2 V

30 nC

- 55 C

+ 150 C

90 W

Enhancement

MDmesh

Tube

STMicroelectronics Transistor metal-óxido-semiconductor de efecto de campo (MOSFET)

Oficina de Servicio al Cliente

Empresa

Recursos

Soporte

ACEPACK SMIT-9
D2PAK-3 (TO-263-3)
DPAK-3 (TO-252-3)
H2PAK-2
H2PAK-3
H2PAK-6
H2PAK-7
HU3PAK-7
I2PAK-3
IPAK-3
ISOTOP-4
Max247-3
PowerFLAT-2x2-6
PowerFLAT-3.3x3.3-8
PowerFLAT-3.3x3.3-HV-8
PowerFLAT-4
PowerFLAT-5
PowerFLAT-5x5-12
PowerFLAT-5x6-4
PowerFLAT5x6-8

20 V
24 V
30 V
33 V
40 V
45 V
55 V
60 V
65 V
68 V
70 V
75 V
80 V
100 V
120 V
200 V
250 V
300 V
330 V
400 V

250 mA
300 mA
400 mA
430 mA
500 mA
600 mA
1 A
1.2 A
1.4 A
1.5 A
1.8 A
1.85 A
2 A
2.1 A
2.2 A
2.3 A
2.4 A
2.5 A
2.6 A
2.7 A

800 uOhms
1 mOhms
1.1 mOhms
1.15 mOhms
1.2 mOhms
1.27 mOhms
1.3 mOhms
1.6 mOhms
1.68 mOhms
1.7 mOhms
2 mOhms
2.1 mOhms
2.15 mOhms
2.2 mOhms
2.3 mOhms
2.4 mOhms
2.5 mOhms
2.6 mOhms
2.7 mOhms
2.9 mOhms

700 mV
800 mV
1 V
1.5 V
1.7 V
2 V
2.25 V
2.3 V
2.5 V
3 V
3.2 V
3.25 V
3.5 V
3.75 V
3.8 V
4 V
4.2 V
4.5 V
4.75 V
5 V

900 pC
2.63 nC
3 nC
3.4 nC
3.6 nC
3.7 nC
4 nC
4.5 nC
4.6 nC
4.8 nC
4.9 nC
5 nC
5.3 nC
5.4 nC
5.7 nC
6 nC
6.2 nC
6.4 nC
6.5 nC
6.9 nC

321 mW
350 mW
1.6 W
2 W
2.4 W
2.5 W
2.6 W
2.7 W
2.8 W
2.9 W
3 W
3.1 W
3.2 W
3.3 W
4.8 W
5 W
6 W
20 W
21 W
22 W